EUV微影面臨六大挑戰　材料工程/計量技術解難題

半個多世紀以來，傳統摩爾定律2D縮放定義了半導體產業的技術路線圖。在2000年左右的Dennard縮放時代，半導體業界每兩年可以將電晶體尺寸縮小50%。 圖1　從1970年代至今，電晶體微縮的方法已走過三個階段...
2022 年 09 月 01 日

材料/EDA全面動員　先進製程繼續向前走

由於美中科技戰越演越烈，美國政府對半導體曝光設備出口到中國，訂下越來越嚴密的規範，導致在中文科技媒體圈裡面，對曝光設備，尤其是專門用來實現7奈米以下製程的極紫外光(EUV)曝光機的討論，已到了汗牛充棟的地步。有許多觀點甚至將中國半導體製造業發展先進製程時所遭遇到的問題，都歸咎在美國政府對中國的禁運上。但半導體製造技術的發展，除了曝光、沉積、蝕刻這些關鍵步驟所使用的機台外，環繞在這些設備周邊的材料，也會對設備本身的性能、生產良率的高低，產生巨大影響。...
2022 年 09 月 01 日

三星24Gbps GDDR6 DRAM亮相　顯卡效能躍升可期

三星(Samsung)宣布推出GDDR6 DRAM，其處理速度可達24 Gbps。此款記憶體採用三星第三代10nm(1z)製程，以及極紫外光(EUV)技術，有助於提升下一代顯卡、筆電/遊戲主機、人工智慧(AI)應用，以及高速運算(HPC)系統的效能。隨著客戶在2022年7月開始驗證產品，三星預計配合GPU平台推出，將24Gbps...
2022 年 07 月 18 日

英特爾公布Intel 4製程細節　效能/密度大幅升級

英特爾日前於美國檀香山舉行的VLSI國際研討會中，公布了Intel 4製程的技術細節。相較於Intel 7，Intel 4於相同功耗提升20%以上的效能，高效能元件庫(library cell)的密度則是2倍，同時達成兩項關鍵目標：它滿足開發中產品的需求，包括PC客戶端的Meteor...
2022 年 07 月 07 日

應材發表新技術　為製程微縮增添動能

為了持續提高電晶體密度，晶片製造商正採取兩種可相互搭配的途徑。一種是依循傳統摩爾定律的2D微縮，藉由導入極紫外光(EUV)微影系統與材料工程以縮小線寬；另一種是使用設計技術最佳化(DTCO)與3D技術，將邏輯單元布局最佳化來增加密度，而不需要改變微影間距。若採取第二條路徑，必須導入晶背電源分配網路與閘極全環(Gate-All-Around,...
2022 年 04 月 27 日

Stochastics成EUV製程缺陷主因　新創公司Fractilia提解方

在先進半導體製程中，隨機性(Stochastics)微影圖案誤差的量測與控制，已經成為一項不可忽視的課題。致力於為隨機性微影圖案誤差提供量測跟控制解決方案的新創公司Fractilia，近日發表了最新版本的Fractilia自動化量測平台(FAME)，讓半導體晶圓廠得以管控在極紫外光微影(EUV)製程中，因隨機性誤差而產生的良率問題。隨機性誤差是微影圖案(Patterning)製程中，最主要的錯誤來源。晶圓廠在FAME的協助下，能更快做出更好的決策，以解決隨機性微影圖案誤差這個新型良率殺手，並拿回對先進微影圖案製程的控制權，同時提升元件良率與曝光機與蝕刻機的生產力。...
2022 年 03 月 31 日

三星4nm EUV製程Exynos 2200處理器現身

三星電子(Samsung)宣布推出新款旗艦行動處理器Exynos 2200。採用基於AMD RDNA 2架構的三星Xclipse繪圖處理單元(GPU)。Exynos 2200搭載高階Arm處理器核心，及升級的神經網路處理器(NPU)，除了提升社群應用程式及攝影的整體操作外，亦能強化手機遊戲體驗。...
2022 年 02 月 08 日

三星5nm穿戴式處理器亮相　小尺寸內大幅強化效能

三星(Samsung)日前推出新的穿戴式設備處理器Exynos W920，該處理器整合LTE調制解調器(Modem)，且採用5nm極紫外光(EUV)製程，為次世代穿戴設備提供更好的效能。三星LSI系統行銷副總Harry...
2021 年 08 月 13 日

五年推進四個世代　英特爾製程技術準備飆車

自發表IDM 2.0戰略後，英特爾(Intel)顯然在半導體製程的推進上加足馬力。27日英特爾詳盡揭露其製程與封裝技術的最新路線規劃，並宣布一系列基礎創新，為2025年及其之後的產品注入動力。除了首次發表全新電晶體架構RibbonFET外，尚有稱作PowerVia的背部供電方案。英特爾亦強調迅速轉往下一世代EUV工具的計畫，稱之為高數值孔徑(High...
2021 年 07 月 28 日

全球晶圓產能台灣獨占鰲頭　中國急起直追

產業研究機構IC Insights發表「2021~2025年全球晶圓產能報告」，分析各地區(或國家)晶圓產能。統計指出，台灣截至2020年12月，占全球晶圓產能的21.4%，領先全球。排名第二的是韓國，市占率達20.4%。台灣是8吋晶圓產能的領導者；在12吋晶圓方面，韓國位居第一，台灣第二。三星和SK海力士(SK...
2021 年 07 月 22 日

搶進5奈米世代　三星發表Exynos 2100處理器

三星電子(Samsung Electronics)正式發表其使用5奈米EUV製程生產的第一款行動應用處理器Exynos 2100。該晶片採用8核心架構，並整合Arm Mali-G78 GPU以及NPU，在運算、繪圖處理與人工智慧(AI)應用方面，性能均比前一代產品明顯提升。其照相功能也因為搭載了新的影像訊號處理器(ISP)，而在規格上大幅升級。...
2021 年 01 月 14 日

KLA新工具解決3D NAND製程與3nm邏輯缺陷難題

KLA日前發布兩款新產品：PWG5晶圓幾何形狀量測系統和Surfscan SP7XP晶圓缺陷檢測系統。這些新系統旨在解決高端記憶體和邏輯整合電路製造中極其困難的問題。 功能強大的快閃記憶體建立在3D NAND的結構之中，這些結構堆疊得越來越高，就如同分子摩天大樓一樣。當今市場上最先進的行動通訊設備中採用的頂級記憶晶片有96層，然而為了不斷提高空間和成本效益，它們將很快被128或更多層的3D...
2020 年 12 月 21 日
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