瞄準16/14nm檢測需求 漢微科明年產能翻三倍

半導體電子束檢測(E-beam Inspection)設備龍頭漢微科正全速擴產。繼28和20奈米(nm)之後,2015年晶圓代工廠紛紛跨入16或14奈米鰭式電晶體(FinFET)世代,對高解析度的電子束檢測設備需求將更加強勁,因而帶動漢微科提早展開布局,將於2013~2014年投入新台幣10億元擴建新廠房,並於2014下半年正式投產,挹注三倍設備產能。 ...
2013 年 08 月 02 日

FinFET改變戰局 台積將組大聯盟抗三星/Intel

晶圓代工廠邁入高投資與技術門檻的鰭式場效電晶體(FinFET)製程世代後,與整合元件製造商(IDM)的競爭將更為激烈,因此台積電正積極籌組大聯盟(Grand Alliance),串連矽智財(IP)、半導體設備/材料,以及電子設計自動化(EDA)供應商等合作夥伴的力量,強化在FinFET市場的競爭力。...
2013 年 07 月 22 日

催生新世代處理器 台積電翻新晶圓製程技術

台積電正多管齊下打造兼顧效能與功耗的新世代處理器。為優化處理器性能並改善電晶體漏電流問題,台積電除攜手矽智財(IP)業者,推進鰭式電晶體(FinFET)製程商用腳步外,亦計畫從晶圓導線(Interconnect)和封裝技術著手,加速實現三維晶片(3D...
2013 年 07 月 01 日

專訪台積電董事長暨總執行長張忠謀 台積28奈米產能今年擴三倍

台積電今年將大幅擴產28奈米(nm)製程產能。2012年台積電靠著領先的28奈米技術,在晶圓代工市場打下漂亮一仗,營收及獲利皆屢創新高。邁入2013年,台積電確信28奈米製程需求依然強勁,故預計將產能提高三倍,不予競爭對手可趁之機,同時也協助更多新客戶順利將晶片從40奈米轉進28奈米世代。
2013 年 02 月 04 日

養大金雞母 台積電28奈米產能將擴三倍

台積電將於2013年大幅擴產28奈米(nm)製程產能。2012年台積電靠著領先的28奈米技術,在晶圓代工市場打下漂亮一仗,營收及獲利皆屢創新高。邁入2013年,台積電確信28奈米製程需求依然強勁,故預計將產能提高三倍,不予競爭對手可趁之機,同時也協助更多新客戶順利將晶片從40奈米轉進28奈米世代。 ...
2013 年 01 月 18 日

先進製程衝第一 台積電16/10奈米搶先開火

台積電先進製程布局火力全開。除20奈米(nm)已先行導入試產外,台積電2013~2015年還將進一步採用鰭式場效應晶體(FinFET)技術,打造16、10奈米製程;同時亦可望推出18吋(450mm)晶圓樣品製造設備,全力防堵三星(Samsung)及格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)追趕。 ...
2012 年 09 月 07 日

專訪格羅方德先進技術架構主管Subramani Kengeri HKMG成28奈米量產致勝關鍵

趁台積電28奈米(nm)產能供應不及之際,格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)已積極展開搶單攻勢。挾在高介電常數金屬閘極(HKMG)技術豐富經驗,格羅方德已成功拿下超微(AMD)第二代加速處理器(APU)、意法半導體(ST)及多家通訊晶片大廠等九十幾個設計定案(Tape...
2012 年 07 月 12 日

催生18吋晶圓技術 ASML啟動客戶共同投資計畫

艾司摩爾(ASML)宣布啟動客戶共同投資計畫(Co-investment Program),邀請客戶參與其下一代極紫外線(EUV)微影(Lithography)和18吋晶圓設備研發,其中英特爾(Intel)已率先加入,透過該計畫可望為14奈米製程及18吋晶圓的發展時程縮短2年。 ...
2012 年 07 月 11 日

強打HKMG技術 格羅方德搶食28奈米大餅

趁台積電28奈米(nm)產能供應不及之際,格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)已積極展開搶單攻勢。挾在高介電常數金屬閘極(HKMG)技術豐富經驗,格羅方德已成功拿下超微(AMD)第二代加速處理器(APU)、意法半導體(ST)及多家通訊晶片大廠等九十幾個設計定案(Tape...
2012 年 06 月 18 日

打通量產關鍵環節 高功率LPP光源加速EUV商用

EUV微影預計將在後193奈米浸潤式微影技術時代,成為關鍵尺寸成像的解決方案,而高功率LPP光源系統則是實現EUV微影商用的重要條件;藉由超過400瓦輸出功率的LPP光源,可滿足光阻劑靈敏度等各方面的製程需求,並進一步抑制光學元件的退化。
2011 年 12 月 29 日

供應鏈業者競相投入 3D IC/先進製程量產倍道兼行

在各式電子產品邁向低功耗及輕薄設計趨勢下,3D IC與28、20奈米等先進製程的發展無疑成為今年台灣國際半導體展會上最受矚目的焦點,包括晶圓代工廠、封測業者與半導體設備商均已積極展開投入,期加快3D IC與先進製程的量產腳步,從而延伸摩爾定律。
2011 年 10 月 13 日

先進製程慢熱 台積電轉攻3D IC

20和14奈米先進製程的極紫外光微影(EUV)製程與多重電子束(MEB)無光罩微影技術尚未完備,且生產成本仍大幅超出市場預期,量產時程延緩將在所難免。因此,在先進製程技術面臨關卡之際,台積電積極鎖定三維晶片(3D...
2011 年 09 月 12 日