供應鏈業者競相投入 3D IC/先進製程量產倍道兼行

在各式電子產品邁向低功耗及輕薄設計趨勢下,3D IC與28、20奈米等先進製程的發展無疑成為今年台灣國際半導體展會上最受矚目的焦點,包括晶圓代工廠、封測業者與半導體設備商均已積極展開投入,期加快3D IC與先進製程的量產腳步,從而延伸摩爾定律。
2011 年 10 月 13 日

先進製程慢熱 台積電轉攻3D IC

20和14奈米先進製程的極紫外光微影(EUV)製程與多重電子束(MEB)無光罩微影技術尚未完備,且生產成本仍大幅超出市場預期,量產時程延緩將在所難免。因此,在先進製程技術面臨關卡之際,台積電積極鎖定三維晶片(3D...
2011 年 09 月 12 日

先進製程競爭加劇 EUV提前商用有譜

受到邏輯晶圓廠與儲存型快閃(NAND Flash)記憶體製造商大舉加碼先進製程的激勵,微影(Lithography)掃描機大廠艾司摩爾(ASML)與極紫外光(EUV)雷射光源供應商西盟(Cymer)均已緊鑼密鼓展開量產用EUV微影掃描機台的相關研發工作,預計2012年可望率先用於22奈米製程節點的商用生產。 ...
2010 年 12 月 13 日

決戰先進製程 台積電/GF各唱各的調

在台積電決定跳過22奈米直接投入20奈米製程研發後,全球晶圓(GlobalFoundries)日前也對外宣布,將傾力布局20奈米製程,並試圖以閘極優先(Gate First)的高介電層/金屬閘(Hight-k...
2010 年 10 月 25 日

延續摩爾定律商機 3D IC/先進製程缺一不可

今年國際半導體展,除涵蓋LED製程、MEMS、綠色製程與二手設備外,最受關注的熱門焦點,莫過於3D IC的發展,尤其在矽穿孔技術日趨成熟後,3D IC商用腳步也逐漸加快,可望在先進製程的搭配下,實現更高的晶片整合。
2010 年 10 月 07 日

專訪ASML研發副總裁Jos Benschop

歷經將近20年的發展,極紫外光(EUV)微影技術終於在相關業者的努力下,穩步邁向大量商用階段。尤其是近期在光學鏡頭與光阻劑(Photoresist)的發展取得重大斬獲,更加確立EUV在下世代微影技術的重要角色。不過,「革命尚未成功」,眼前還有最後一道難題--光罩缺陷檢測(Mask...
2009 年 11 月 23 日

提升研發效益 IMEC以合作加速產業創新

為降低先進技術高昂的研發經費門檻並分散開發風險,跨國界的技術合作已勢在必行,因此讓獨立且非營利的微電子技術研究機構IMEC重要性與日俱增,其結合產官學研資源所建立的研發平台,不僅可讓合作夥伴共享技術成果,更為產業界注入一股源源不絕的創新動力。
2008 年 12 月 15 日

CMOS製程微縮/異質整合齊頭並進 摩爾定律無限延伸

藉由在微影技術與CMOS材料上的突破,以及在多項策略性應用領域的技術創新,IMEC在先進微電子領域的技術成果再度向前邁進一大步,並讓半導體的功能整合發展超越摩爾定律的想像空間。
2008 年 11 月 28 日

雙重曝光技術護航 ArF浸潤式微影穩居主流

在雙重曝光技術與相關設備漸趨成熟的加持下,原本面臨物理極限的193奈米浸潤式微影因而得以延伸應用至32奈米與22奈米製程節點,成為下一世代微影製程的主流技術。
2008 年 09 月 01 日