快捷雙開關返馳式解決方案搶攻AIO市場

為一體成型(All-In-One, AIO)電腦應用開發電源供應產品的設計人員正面臨到各種的挑戰,包括有限設計空間、滿足世界各地能源法規要求,以及易於設計的解決方案。有鑑於此,全球高性能電源和可攜式產品供應商快捷半導體(Fairchild)推出一款採用mWSaver技術的雙開關返馳式解決方案。 ...
2011 年 08 月 08 日

瞄準PV/EV 晶片商布局寬能隙功率半導體

看準太陽能、電動車(EV)等高利潤利基型應用後勢潛力無窮,英飛凌(Infineon)、意法半導體(ST)、國際整流器(IR)、快捷(Fairchild)等半導體大廠已緊鑼密鼓地砸下重金展開藉由碳化矽(SiC)、矽基板氮化鎵(GaN-on-Si)寬能隙化合物半導體開發功率元件計畫,將使寬能隙功率半導體市場卡位戰提前開打。 ...
2011 年 07 月 27 日

快捷新增放大器協助平衡音訊功率和電池壽命

智慧型手機、平板電腦/多媒體上網設備(MID)和可攜式媒體播放器等行動產品的設計人員,都面對要使產品中的小型揚聲器提供更響亮清晰的音色,同時儘量減小對電池壽命之影響的挑戰。為因應這一挑戰,快捷半導體(Fairchild)開發出帶有整合降壓轉換器的FAB1200身歷聲Class-G接地參考(Ground-referenced)耳機放大器,以及帶有身歷聲Class-G耳機放大器和1.2瓦Class-D單聲道揚聲器放大器的FAB2200音訊子系統。 ...
2011 年 07 月 25 日

快捷提供全功率範圍LED照明解決方案

隨著發光二極體(LED)照明應用日益普及,設計人員面臨一系列的挑戰,包括複雜的設計、高系統效率要求、有限的電路板空間,以及需要管理多家廠商,以滿足所有的設計需求。為協助設計人員面對這些挑戰,快捷半導體(Fairchild)為高、中、低功率範圍LED照明應用提供廣泛的LED照明解決方案。 ...
2011 年 07 月 15 日

快捷瞄準智慧型手機市場展出多元解決方案

可攜式設備,尤其是智慧型手機,正在引起消費者的極大興趣,有鑑於此,全球領先的高性能電源和可攜式產品供應商快捷半導體(Fairchild)將在2011年7月14~15日在深圳會展中心舉辦的Portable...
2011 年 07 月 05 日

快捷功率級非對稱雙MOSFET元件簡化設計

電源工程師一直面對縮小應用空間和提高功率密度的兩個主要挑戰,而在筆記型電腦、負載點(Point-of-load)、伺服器、遊戲和電訊應用中,上述兩點尤其重要。為協助設計人員面對這些挑戰,快捷半導體(Fairchild)已開發出FDMS36xxS系列功率級非對稱雙金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)模組,達成高功率密度與簡化設計的需求。 ...
2011 年 06 月 24 日

滿足高功率/易設計要求 快捷雙MOSFET亮相

為在兼顧小尺寸前提下,提高功率密度,快捷(Fairchild)推出功率級非對稱雙金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET),以因應運算裝置追求更快處理器執行速度與更小體積的設計要求。  ...
2011 年 06 月 21 日

快捷於PCIM Asia闡釋功率電子技術趨勢

全球高性能電源和可攜式產品供應商快捷半導體(Fairchild)的技術專家將與來自電子界和學術界專家,共同於6月21~23日在上海舉行的PCIM(Power Conversion, Intelligent...
2011 年 06 月 17 日

快捷發表可攜式音訊產品提高電池使用壽命

高性能電源和可攜式產品供應商快捷半導體(Fairchild)正在加強資源,以便因應現今可攜式音訊應用面臨的關鍵挑戰,即滿足消費者對體積更小、音色更響亮清晰的多媒體行動設備的需求,同時盡量減低對電池壽命的影響。 ...
2011 年 06 月 15 日

快捷PowerTrench MOSFET提高系統功率密度

為協助設計人員提升高效AC-DC轉換器等應用的系統效率,同時減少元件數目,以構建具備快速開關速度、更高效率和功率密度的現代功率系統快捷半導體(Fairchild)為PowerTrench金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)系列中的100伏特和150伏特元件增添工業類型的封裝選擇,包括TO-220、D2PAK、TO247、I2PAK、TO220...
2011 年 06 月 14 日

快捷多產品問世力推高效率變頻馬達發展

全球高性能電源和可攜式產品供應商快捷半導體(Fairchild)開發出馬達驅動器設計工具,協助設計人員為其特定應用挑選最合適的快捷Motion-SPM元件。這款工具適用於永磁同步馬達(PMSM)和直流感應馬達變速驅動應用的三相正弦調變逆變器。 ...
2011 年 06 月 06 日

下世代功率半導體競技賽開打 GaN/SiC爭搶主流寶座

基於GaN與SiC材料的新世代功率半導體技術之間的戰火,近期再度升溫,尤其在首款SiC功率半導體商品成功問世後,更讓SiC技術聲勢大漲;面對SiC技術急起直追,已推出低電壓功率產品的GaN陣營亦不甘示弱,正積極朝向更高電壓市場邁進。
2011 年 05 月 30 日