Quobly/意法半導體建立策略合作關係

Quobly宣布與意法半導體(STMicroelectronics, ST)進行轉型合作，以生產規模化的量子處理器單元(QPU)。透過運用意法半導體的FD-SOI半導體製程技術，此項合作將使大規模量子運算變得可行且符合成本效益。...
2024 年 12 月 20 日

意法半導體18奈米技術提升新一代MCU成本競爭力

意法半導體(ST)推出了一項18奈米完全空乏型矽絕緣層金氧半電晶體(Fully Depleted Silicon On Insulator, FD-SOI)技術並整合嵌入式相變記憶體(ePCM)的先進製程，支援下一代嵌入式處理器進化升級。這項新製程技術是意法半導體和三星晶圓代工廠共同研發，使嵌入式處理應用能夠大幅提升性能和降低功耗，同時還能整合容量更大的記憶體和更多的類比和數位外部周邊。搭載新技術的首款下一代STM32微控制器產品將於2024下半年開始提供部分客戶樣片，並預計於2025年下半年排產。...
2024 年 03 月 28 日

ST雙管齊下布局SiC/GaN製造

半導體製造在全球的產業發展中不僅有重要的戰略意義，也是各項新興技術的推手。近年來，半導體供應鏈面對疫情、經濟局勢變化與地緣政治事件的衝擊，積極朝向提高供應鏈韌性的目標前進。半導體供應商如意法半導體(ST)，便積極透過製造基地布局、技術整合與建立永續生產模式等作法，期望強化企業的發展性。...
2023 年 05 月 18 日

自駕/電氣化帶動車用晶片商機　ST趁勝追擊

汽車產業在電氣化與智慧化的發展下，出現劇烈的變革，車用半導體的需求大幅提升，身在其中的車用半導體供應商勢必改變其市場布局。2021年意法半導體(ST)的總營收70%的來自車用產品，30%來自工業及個人電子產品中的電源解決方案。因此ST提出新的市場策略來因應汽車產業的變化，並協助客戶轉型。...
2023 年 01 月 12 日

ST/格羅方德將在法國建立12吋晶圓廠

意法半導體(ST)和半導體製造商格羅方德(GlobalFoundries)宣布，雙方簽署了一份合作備忘錄，在意法半導體現有的法國Crolles晶圓廠附近，建立一個新的12吋晶圓聯營廠。該工廠目標在2026年前提升到最大產能。在工廠完工後，最高年產將能達到62萬片12吋晶圓。...
2022 年 07 月 18 日

鎖定網路邊緣應用　萊迪思發表新款FPGA

針對各種網路邊緣應用，萊迪思(Lattice)近日再度發表新款低功耗FPGA CertusPro-NX。此通用型FPGA為該公司18個月內推出的第四款Nexus FPGA，不僅功耗優於目前市場上同等級的FPGA，還可在最小的封裝尺寸中提供更高通訊頻寬，且是同類產品中唯一支持LPDDR4外部記憶體的FPGA。此FPGA是專為通訊、運算、工業、汽車和消費性應用所開發的產品。...
2021 年 07 月 06 日

搶攻物聯網邊緣裝置市場　NXP應用處理器強化安全機制

恩智浦(NXP)發表EdgeVerse產品系列新款應用處理器，包含i.MX 8ULP、通過Microsoft Azure Sphere認證的i.MX 8ULP-CS(雲端安全)系列和新一代智慧應用處理器i.MX...
2021 年 05 月 22 日

恩智浦i.MX應用處理器　搶攻工業物聯網邊緣

恩智浦半導體(NXP Semiconductors)發表EdgeVerse產品系列新款應用處理器，包含i.MX 8ULP、通過Microsoft Azure Sphere認證的i.MX 8ULP-CS(雲端安全)系列和新一代高效能智慧應用處理器i.MX...
2021 年 04 月 08 日

格羅方德嵌入式磁阻記憶體跨過量產里程碑

格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)近日宣布，其22nm FD-SOI(22FDX)平台上的嵌入式磁阻記憶體(eMRAM)已投入生產。同時格羅方德正與多家客戶共同合作，計劃於2020年實現多重下線生產。格羅方德樹立業界里程碑，證明了eMRAM的可擴展性在物聯網、通用微控制器、邊緣AI和其他低功耗應用在進階製程節點上是經濟有效的選擇。...
2020 年 03 月 05 日

專訪CEA-Leti執行長Emmanuel Sabonnadiere　SOI將成邊緣AI重要推手

由於製程微縮導致絕緣層的厚度越來越薄，閘極漏電流成為IC設計團隊所面臨的最棘手問題之一。針對這個問題，改用絕緣層上覆矽(SOI)材料是一種有效的解決方案，但由於支持這條發展路徑的主力晶圓代工廠之一--格芯(GlobalFoundries)已經宣布停止發展先進製程，使得SOI陣營必須更努力推動生態系統的發展。作為SOI材料的發明者，法國研究機構CEA-Leti深知推動SOI生態系統健全發展的重要性，而邊緣AI的發展趨勢，將為SOI技術創造出更大的發揮空間。
2019 年 11 月 16 日

格羅方德策略聚焦　未來布局三大重點出列

近日格羅方德(GlobalFoundries)在台舉辦年度技術論壇，主題聚焦在12奈米FinFET與絕緣層上覆矽(SOI)製程的特殊應用。自從該公司宣布暫停發展7奈米製程，聚焦12奈米以上及SOI製程之後，該公司除了既有的邏輯晶圓代工業務之外，在射頻(RF)、設計服務跟先進封裝上，也有更多投入，並且將組織調整為車用/工業與多重市場、行動與無線基礎建設、運算與有線基礎建設三大部門，顯然退出先進製程的競爭行列，反而讓格羅方德有資源專注在生態系統的培養跟建構上。...
2019 年 11 月 13 日

邊緣AI追求極致功耗/性能比　SOI製程將成重要推手

由於製程微縮導致絕緣層的厚度越來越薄，閘極漏電流成為IC設計團隊所面臨的最棘手問題之一。針對這個問題，改用絕緣層上覆矽(SOI)材料是一種有效的解決方案，但由於支持這條發展路徑的主力晶圓代工廠之一–格芯(GlobalFoundries)已經宣布停止發展先進製程，使得SOI陣營必須更努力推動生態系統的發展。作為SOI材料的發明者，法國研究機構CEA-Leti深知推動SOI生態系統健全發展的重要性，而邊緣AI的發展趨勢，將為SOI技術創造出更大的發揮空間。...
2019 年 10 月 28 日
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