imec展示最新介面氧化技術 鐵電記憶體性能再升級

比利時微電子研究中心(imec)於近日舉行的2022年IEEE國際電子會議(IEDM)上,展示了一款摻雜鑭(La)元素的氧化鉿鋯(HZO)電容器,不僅將循環操作次數提高到1011次,同時具備更佳的電滯曲線,喚醒效應亦有所改善。此次能夠實現鐵電電容的多項性能升級,關鍵在於介面氧化工程技術。這項鐵電電容技術具備高性能、微縮能力與CMOS相容性,將是實現新一代嵌入式與獨立式鐵電隨機存取記憶體(FeRAM)應用的關鍵。...
2022 年 12 月 08 日

高效能運算搧風點火 次世代記憶體蓄勢待發

人工智慧(AI)應用的興起,帶動了高效能運算的發展。為了應付極為繁重的運算任務,處理器、微控制器(MCU)業者,不是推出運算效能更高的新產品,就是推出了內建專用加速單元的解決方案,來提升運算單元處理AI運算的效率。...
2022 年 08 月 15 日