宜特晶片電路修補技術跨入5nm製程

宜特日前宣布其IC晶片Focus Ion Beam(FIB)電路修補技術達5nm製程,這是從2018年首度完成7nm製程的樣品後,再次挑戰更先進製程的電路修補,並成功協助客戶優化晶片效能,加速產品上市。先進製程的開發成本越趨昂貴、晶圓產能短缺交期更長,即使電路模擬軟體(如EDA工具)的輔助設計不斷提升,仍無法確保晶片成品能百分之百達到設計目標,一旦發現電路瑕疵只能再次進行光罩改版;然而光罩價格不斐,且重新下光罩後,等待修改過後的晶片時間通常超過一個月,因此,多數IC設計業者會選擇IC電路修補,只需幾個小時內即可完成修改,確保電路設計符合預期,並降低時間及金錢的成本耗損。...
2021 年 07 月 08 日

有效降低氮化鉭層電阻 鈷助力先進製程效能提升

隨著人工智慧及大數據時代來臨,晶片也須透過不斷微縮提升效能。面對7奈米(nm)先進製程,如何生產效能更高、耗電更少、面積更小,且符合可靠度要求的晶片,為當今半導體製程的重要課題。
2020 年 01 月 18 日

遵循三大基礎功夫 晶背FIB電路修補難度降

隨著摩爾定律,半導體製程從1微米(µm)、0.5微米、0.13微米不斷微縮到奈米(nm)等級,如此先進製程的電路修補,考驗FIB(Focused Ion Beam)實驗室的技術發展及應用能力。特別當製程來到16奈米以下的製程,封裝型式多數為覆晶技術(Flip...
2019 年 05 月 12 日

宜特IC電路除錯完成28奈米最小線寬修改

宜特科技正式突破技術門檻,在IC電路除錯技術上完成難度極高的28奈米最小線寬修改,且電路除錯能力更深入至IC最底層(Metal 1)。除擁有技術外,該公司也建造完成國內唯一同時擁有可勝任40奈米與28奈米線路修改的實驗室,除一般的Front-side聚焦離子束(FIB,...
2012 年 02 月 16 日