攻新材料/互連技術 IMEC力克10nm設計難關

比利時微電子研究中心(IMEC)正全速開發下世代10奈米製程技術。為協助半導體產業跨越10奈米鰭式電晶體(FinFET)製程技術門檻,IMEC已啟動新一代電晶體通道材料和電路互連(Interconnect)研究計畫,將以矽鍺/三五族材料替代矽方案,並透過奈米線(Nanowire)或石墨烯技術實現更細緻的電路成型與布局,加速10奈米以下製程問世。 ...
2013 年 09 月 03 日

爭搶1x奈米代工商機 晶圓廠決戰FinFET製程

鰭式電晶體(FinFET)將成晶圓廠新角力戰場。為卡位16/14奈米市場商機,台積、聯電和格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)正傾力投資FinFET技術,並各自祭出供應鏈聯合作戰策略,預計將於2014~2015年陸續投入量產,讓晶圓代工市場頓時硝煙彌漫。
2013 年 09 月 02 日

中低階行動裝置竄紅 半導體業投資策略轉彎

中國大陸點燃中低價行動裝置龐大需求,已牽動半導體產業改變投資策略。隨著高單價的高階行動裝置買氣趨緩,晶片商已將火力轉向平均銷售價格(ASP)較低的中低階行動裝置市場;因應此一趨勢,晶圓代工業者也啟動新的設備採購計畫或提高自製比重,並利用已攤提完畢的八吋廠產線部署高毛利的高壓特殊製程,以發揮更大的投資效益。 ...
2013 年 08 月 14 日

鎖定大陸IC設計市場 台積/格羅方德再掀28nm熱鬥

台積電與格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)的28奈米製程戰火將擴大延燒。中國大陸IC設計業者為搶進行動裝置市場,紛紛投入28奈米晶片開發。瞄準此一商機,台積電與格羅方德均積極展開擴產,並致力強化技術支援能力,以爭取大陸IC設計業者青睞。
2013 年 08 月 12 日

專訪台積電先進元件科技暨TCAD部門總監Carlos H. Diaz 台積電將全面翻新晶圓製程

台積電正多管齊下打造兼顧效能與功耗的新世代處理器。為優化處理器性能並改善電晶體漏電流問題,台積電除攜手矽智財(IP)業者,推進鰭式電晶體(FinFET)製程商用腳步外,亦計畫從晶圓導線(Interconnect)和封裝技術著手,加速實現三維晶片(3D...
2013 年 08 月 08 日

FinFET複雜度破表 半導體設備商投資不手軟

鰭式電晶體(FinFET)製程將帶動新一波半導體設備投資熱潮。由於FinFET導入立體式電晶體結構,使得晶圓製程中的蝕刻和缺陷檢測複雜度較以往大幅攀升,因此包括科林研發(Lam Research)和東京威力科創(TEL)等半導體設備大廠已積極加碼研發支出,甚至發動購併攻勢,以強化設備性能,滿足FinFET製程要求。 ...
2013 年 08 月 08 日

瞄準16/14nm檢測需求 漢微科明年產能翻三倍

半導體電子束檢測(E-beam Inspection)設備龍頭漢微科正全速擴產。繼28和20奈米(nm)之後,2015年晶圓代工廠紛紛跨入16或14奈米鰭式電晶體(FinFET)世代,對高解析度的電子束檢測設備需求將更加強勁,因而帶動漢微科提早展開布局,將於2013~2014年投入新台幣10億元擴建新廠房,並於2014下半年正式投產,挹注三倍設備產能。 ...
2013 年 08 月 02 日

28奈米強勁需求撐腰 台積電卯全力擴產

台積電發動新一波擴產計畫。台積電在18日法說會中宣布,將加速台南Fab14廠五、六、七期擴建工程,以在2014~2015年加入28奈米量產行列,同時提出新一代超大晶圓廠(Giga-Fab)計畫,將以空橋連接所有Fab14新舊廠,全面提高量產效率,以因應日益增長的28奈米處理器製造需求。...
2013 年 07 月 19 日

搶攻FinFET設計商機 益華發布新Virtuoso平台

益華(Cadence)針對28奈米以下製程及鰭式場效電晶體(FinFET)製程發布最新版Virtuoso布局(Layout)設計套件,該套件具備電子意識設計(Electrically Aware Design,...
2013 年 07 月 16 日

打造ASIC等級FPGA 賽靈思投產20奈米方案

賽靈思(Xilinx)9日正式宣布,開始投產首款以20奈米(nm)製程製造的現場可編程閘陣列(FPGA),該產品導入全新的UltraScale可編程架構,突破布線、時脈、功耗等技術瓶頸,可讓賽靈思拓展其FPGA應用領域,並爭取到更多原本採用ASIC方案為主的客戶。 ...
2013 年 07 月 10 日

催生新世代處理器 台積電翻新晶圓製程技術

台積電正多管齊下打造兼顧效能與功耗的新世代處理器。為優化處理器性能並改善電晶體漏電流問題,台積電除攜手矽智財(IP)業者,推進鰭式電晶體(FinFET)製程商用腳步外,亦計畫從晶圓導線(Interconnect)和封裝技術著手,加速實現三維晶片(3D...
2013 年 07 月 01 日

攜手新思 聯電加入14奈米FinFET製程戰局

聯華電子正式加入14奈米(nm)鰭式場效電晶體(FinFET)製程戰局。聯電與新思科技(Synopsys)於日前宣布,兩家公司的合作已獲得初步成果;聯電採用新思科技DesignWare邏輯庫矽智財(IP)組合和Galaxy實作平台StarRC寄生參數提取工具,成功完成聯電第一個14奈米FinFET製程驗證工具設計定案。 ...
2013 年 06 月 28 日