提升效率/縮減尺寸/改進功率密度 耦合電感提升48V變壓效率

在資料中心與通訊應用中48V是常用的配電規格,現已有許多不同解決方案能將48V降壓至中間電壓。其中最簡單的方法是採用降壓電路拓撲,其能提供高效能,但通常會有功率密度不足的缺點。運用耦合電感來升級多相降壓元件能大幅提升功率密度,不僅達到其他頂尖替代方案的水準,還能維持可觀的效能優勢。多相耦合電感在繞組之間會有逆向耦合,在每個相位電流上產生抵銷電流漣波的效應。此項優點可以拿來和效率、縮減尺寸、改進功率密度等因素一起做權衡評估。本文所介紹的實例除了能將磁性元件的體積與重量減少四倍,還能以1/8的產業標準模組建構出1.2kW的解決方案,達到的峰值效率超過98%。本文另外還闡述如何運用耦合電感的品質因數(FOM)來優化48V拓撲,對於專注研究DC-to-DC轉換領域的工程師將會有所裨益。...
2024 年 12 月 04 日

ADI推出新一代寬頻微波頻率合成器

亞德諾(ADI)近日推出一款整合壓控振盪器(VCO)的寬頻頻率合成器,適用於航太、無線基礎設施、微波點對點鏈路、電子測試與測量、衛星終端等多種市場。 ADI的ADF5610新型寬頻小數N分頻頻率合成器採用單晶片設計,可在55MHz至15GHz的頻率範圍內輸出RF訊號,並提供相位雜訊性能。相較於需要採用多個窄頻GaAs壓控振盪器和鎖相迴路(PLL)的替代解決方案,ADF5610的功耗低50%、尺寸精小、架構簡單,因此進一步節省物料成本。...
2018 年 07 月 26 日

優化MOSFET性能 低壓超級接面結構一枝獨秀

採用超級接面結構設計的新型低壓MOSFET已逐漸在市場上嶄露頭角,其不僅可克服現有功率MOSFET結構的缺點,亦能達到低RDS(on)、低QG和低QGD等特性,確保在兼顧晶片尺寸與功耗的前提下,提升DC-DC轉換效率與功率密度。
2011 年 12 月 08 日

瑞薩電子推出三款全新功率MOSFET

半導體解決方案主要供應商瑞薩電子(Renesas Electronics),宣布推出第十二代功率金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)產品RJK0210DPA、RJK0211DPA及RJK0212DPA,為適用於一般負載點(POL)、基地台、電腦伺服器與筆電直流對直流(DC-DC)轉換器中的功率半導體裝置。 ...
2010 年 09 月 16 日