GaN射頻元件2024年產業規模突破200億美元

近年來,由於氮化鎵(GaN)在高頻下的較高功率輸出和較小的占位面積,GaN已被RF工業大量採用。根據兩個主要應用:電信基礎設施和國防,推動整個氮化鎵射頻市場預計到2024年成長至20億美元,產業研究機構Yole...
2019 年 06 月 27 日

打造毫米波功率放大器 砷化鎵製程相位補償展妙用

為了克服毫米波巨量天線之相位陣列系統設計,工研院資通所提出適用於砷化鎵製程的相位補償技術,可用於毫米波頻段的高線性度功率放大器。
2019 年 05 月 16 日

車用光達2023年市場規模達63億美元

車用感測器近年來的成長力道強勁,產業研究機構Yole Développement(Yole)宣布,2016~2022年間,汽車雷達市場的年複合成長率為23%。自動緊急煞車(Autonomous...
2018 年 09 月 27 日

新興應用為砷化鎵GaAs重注成長動能

由於手機產業飽和而過了一段發展停滯期,砷化鎵(GaAs)晶圓市場因新興應用帶動重拾成長動能。根據市調機構Yole Développement(Yole)最新研究報告指出,2017年至2023年GaAs晶圓的年複合成長率(CAGR)為15%,其中光子學應用CAGR更高達37%。...
2018 年 08 月 09 日

推升RF應用元件整合度 氮化鎵特性一鳴驚人

若要以矽(Si)與砷化鎵(GaAs)材料實現基地台、相位陣列雷達等RF應用,勢必得增加額外的散熱、保護晶片元件,而氮化鎵(GaN)適合高功率應用的材料特性,將可望解決這個問題,進一步推升RF應用元件的整合度。...
2017 年 10 月 27 日

5G PA高功率需求增 氮化鎵元件身價看漲

具高功率特性的氮化鎵(GaN),將可滿足5G對功率放大器(Power Amplifier, PA)的高頻需求,有充分潛力超越砷化鎵(GaAs)。氮化鎵在高功率應用的實現上,比砷化鎵更具實力,因而能充分滿足5G的高頻需求,除了將逐步在手機的5G功率放大器中出現,基地台功率放大器應用也是另一項發展主力。...
2017 年 05 月 31 日

ADI中功率驅動放大器具高增益與輸出功率

亞德諾半導體(ADI)宣布推出一款運作範圍介於24~35 GHz間的中功率分布式驅動放大器–HMC1131。該放大器在1-dB增益壓縮下提供22 -dB增益、+35 dBm輸出IP3及輸出功率+24...
2015 年 09 月 18 日

ADI分布式功率放大器簡化微波無線電設計

亞德諾(ADI)推出HMC1127與HMC1126單晶微波積體電路(MMIC)分布式功率放大器。這些新型功率放大器裸晶涵蓋2-50GHz頻率範圍,可簡化系統設計和提高性能,頻段之間毋須射頻開關。各放大器I/O內部匹配50歐姆阻抗,便於多晶片模組輕鬆整合。 ...
2015 年 07 月 23 日

克服CA元件成本問題 CMOS RF行情俏

載波聚合(CA)功能為射頻元件所帶來的多頻多模需求,讓功率放大器、天線開關、低雜訊放大器等射頻元件必須涵蓋較以往更多的頻段處理通道,單位成本因而增加,因此許多射頻元件商正積極尋求更高性價比的方案;其中,導入CMOS製程已成為一股明朗可見的趨勢。 ...
2014 年 10 月 28 日

CMOS與MEMS方案走紅 行動裝置RF架構改弦更張

由於智慧手機支援多頻多模LTE已成定局,且對內部元件尺寸、成本要求更加嚴格,因而驅動半導體開發商加速研發創新射頻(RF)技術與解決方案,包括RF MEMS、CMOS RF元件及軟體定義無線電(SDR)技術,皆已受到行動裝置製造商青睞。
2013 年 05 月 02 日

成本/尺寸超優 CMOS RF接收器全速崛起

CMOS射頻(RF)元件壯大發展聲勢。CMOS RF藉矽材料/製程成本低、產能充足等優勢,持續瓜分傳統砷化鎵(GaAs)、矽鍺(SiGe)RF市占;近期,芯科實驗室(Silicon Labs)更發動新一波市場攻勢,率先推出CMOS...
2013 年 04 月 24 日

低成本/高效率GaAs晶圓問世 薄膜太陽能嵌入式應用發光

薄膜太陽能嵌入式應用熱潮將起。GaAs薄膜太陽能電池技術大躍進,不僅製造成本大幅下滑、光電轉換效率高達29%,還能實現可彎折設計,將有助拓展行動裝置、汽車、建築及無人飛行載具等多元嵌入式電源應用市場。
2012 年 11 月 05 日