低價/高效GaAs助攻 薄膜PV嵌入式應用發光

低價、高效率砷化鎵(GaAs)薄膜太陽能將成為無所不在的嵌入式電源。不畏太陽能產業低迷,美國矽谷薄膜太陽能技術創新公司–Alta Devices正積極透過專利的GaAs材料薄化、堆疊及晶圓重複利用技術,量產低成本且轉換效率高達29%的可彎曲薄膜太陽能電池,藉此衝刺行動裝置、汽車、建築及無人飛行載具(UAV)等嵌入式應用市場。 ...
2012 年 10 月 24 日

三菱電機推ADS非線性射頻元件模型程式庫

安捷倫(Agilent)宣布三菱電機(Mitsubishi Electric)最新非線性GaAs和GaN射頻元件模型程式庫,已可搭配安捷倫的ADS先進設計系統使用。該升級版程式庫與ADS 2009 Update...
2012 年 02 月 13 日

安捷倫ADS設計系統平台強化射頻/微波模擬

安捷倫科技(Agilent)宣布旗下最新版的旗艦型射頻(RF)/微波設計與模擬平台ADS 2011,已經開始出貨。作為業界最完整的多技術設計平台,ADS 2011象徵著電子設計自動化技術的一大突破。 ...
2011 年 05 月 02 日

3G砷化鎵PA供貨吃緊 CMOS PA攻勢再起

以CMOS功率放大器取代砷化鎵功率放大器的發展已被提出多時,但至今仍僅在2G手機市場占有約10%的滲透率。值此3G手機大放異彩,功率放大器需求飆漲之際,CMOS功率放大器業者再度出擊,並挾更優異的產品效能與豐沛的製造產能,展開新一波攻勢。
2011 年 02 月 14 日

砷化鎵PA供貨不穩 CMOS PA趁虛而入

有鑑於智慧型手機出貨量快速增長,而採用砷化鎵(GaAs)製程的3G手機功率放大器供貨卻捉襟見肘,CMOS功率放大器業者遂趁勢出擊,並以媲美砷化鎵功率放大器的效能及腳位相容的產品策略快速搶進,期搭上智慧型手機成長列車,為CMOS功率放大器搶占一席之地。 ...
2011 年 01 月 27 日

大幅提升醫療電子安全性 CMOS隔離器超越光耦合器

交流供電的醫療電子系統安全標準要求直流電(DC)的隔離,以保護病人和操作員免於觸電的危險。由於導體直接連接儀器和病人,其上附著的液體和凝膠更增加了觸電風險;因此這些用於系統的隔離器必須耐用和可靠。
2011 年 01 月 10 日

產能過剩/陸廠整併 太陽能供應鏈醞釀洗牌

資策會產業情報研究所(MIC)預估,2011年全球太陽能市場成長熱度退燒,平均成長力道回歸4%,規模達16.3GW。而中國大陸廠商在政策強勢主導下,紛紛從上游矽材、單矽棒/多矽錠、矽晶片,中游電池片、電池模組與下游應用系統多方垂直整合,擴展規模,將導致既有太陽光電供應鏈大洗牌。 ...
2010 年 12 月 27 日

恩智浦推出SiGe:C製程射頻/微波系列產品

恩智浦(NXP)針對高頻無線電應用,推出一系列採用矽鍺(SiGe)製程技術開發的新產品,目的在滿足產業對更強大、高經濟效益和高整合矽技術日益增加的需求。並將在2010年底前推出超過五十種採用矽鍺碳(SiGe:C)技術的產品。QUBiC4...
2010 年 05 月 25 日

CMOS PA下戰帖 砷化鎵陣營老神在在

針對互補式金屬氧化物半導體(CMOS)功率放大器(PA)即將東山再起,砷化鎵(GaAs)PA支持者認為,若須同時滿足功耗效率、堅固耐用性或線性度,CMOS PA僅能達到低階設備的要求,而以現今PA的市占來看,砷化鎵PA早已勝出。 ...
2010 年 03 月 08 日

安捷倫發表新一代高頻寬即時示波器

安捷倫(Agilent)日前宣布新一代高頻寬示波器因成功啟用採磷化銦(InP)技術的前端晶片組,而提供了突破性的功能。新款晶片組使安捷倫得以在2010上半年,推出類比頻寬高於16 GHz的示波器。 ...
2009 年 12 月 24 日

安華高擴充低雜訊放大器系列

安華高(Avago)推出低雜訊放大器(LNA)系列的最新產品,新產品為一款適合全球衛星定位系統(GPS)、不需執照工業、科學與醫療用頻寬及全球微波存取互通介面(WiMAX)應用,具備可變電流與關機功能的高增益低雜訊放大器。 ...
2009 年 11 月 05 日