CGD推出Combo ICeGaN技術　助力電動汽車動力系統進軍百億市場

無晶圓廠環保科技半導體公司Cambridge GaN Devices(CGD)專注於開發高能效氮化鎵(GaN)功率元件，致力於簡化綠色電子產品的設計和實施。近日，CGD進一步公布了關於ICeGaN GaN技術解決方案的詳情，該方案將助力公司進軍功率超過100kW的電動汽車動力總成應用市場，該市場規模預計超過100億美元。Combo...
2025 年 03 月 25 日

新技術/新架構紛紛出籠　生成式AI推動電源設計革命

在生成式AI的帶動下，電源產業正在經歷一場翻天覆地的革命。從元件所使用的材料到測試/驗證，甚至供電網路的設計，許多新技術、新概念正在快速發展。 被稱為「吃電怪獸」的生成式AI，為電源供應器產業帶來巨大的商機及挑戰。為滿足AI資料中心對電源效率與功率密度的要求，電源產業必須一改過去保守穩健的作風，大膽擁抱新技術。不管是採用碳化矽(SiC)、氮化鎵(GaN)等寬能隙元件，或是改變電源設計架構，甚至將負載點(POL)電源與處理器共同封裝，都是很好的例子。...
2025 年 03 月 17 日

CGD發布100kW+氮化鎵技術進軍電動汽車逆變器市場

無晶圓廠環保科技半導體公司Cambridge GaN Devices(CGD)專注於開發高能效氮化鎵(GaN)功率元件，致力於簡化綠色電子產品的設計和實施。近日，CGD進一步公布了關於ICeGaN GaN技術解決方案的詳情，該方案將助力公司進軍功率超過100kW的電動汽車動力總成應用市場，該市場規模預計超過100億美元。Combo...
2025 年 03 月 14 日

英飛凌發布2025年GaN功率半導體預測報告

在全球持續面臨氣候變遷和環境永續發展挑戰之際，英飛凌科技一直站在創新前沿，利用包括矽(Si)、碳化矽(SiC)和氮化鎵(GaN)在內的所有相關半導體材料大幅推動低碳化和數位化領域的發展。 英飛凌在「2025年GaN功率半導體預測報告」中強調，GaN將成為改變遊戲規則的半導體材料，它將大幅改變大眾在消費、交通出行、住宅太陽能、電信和AI資料中心等領域提高能效和推進低碳化的方式。GaN可為終端客戶的應用帶來顯著優勢，包括提高能效表現、縮小尺寸、減輕重量和降低總體成本。如今USB-C充電器和適配器已經是GaN應用的領跑者，有更多產業即將達到GaN的應用關鍵轉折點，這將大幅推動GaN功率半導體市場的發展。...
2025 年 03 月 06 日

TI無輔助GaN返馳式轉換器克服AC/DC變壓器設計挑戰

對更小、更有效率電源供應器的需求與日俱增，推動了氮化鎵(GaN)型功率級的快速普及。在AC/DC變壓器市場中，製造商正快速運用GaN返馳式轉換器，以功能日益強大但體積更小的變壓器，來協助擴大USB Type-C連接成長。...
2025 年 01 月 24 日

高密度電源需求大增　Si/SiC/GaN元件特性各有千秋

在資訊技術與科技快速進步的現代社會中，人們對電源系統的效率與體積的要求不斷提高。以行動智慧裝置為例，2000年初期的電源供應模組功率密度約為每安培1立方公分。而到了2025年，已接近每安培數立方毫米。在短短20年間，功率密度提升了兩到三個數量級，其進步速度可謂驚人。...
2025 年 01 月 23 日

CGD/Qorvo將共同革新電機控制解決方案

英商劍橋氮化鎵元件(Cambridge GaN Devices, CGD)是一家專注於研發高效能氮化鎵(GaN)功率元件的半導體公司，致力於打造更環保的電子元件。近日，該公司與連接和電源解決方案提供商Qorvo合作推出PAC5556A+ICeGaN評估套件(EVK)，融合了電機控制和能效技術。此次合作將Qorvo的高效能BLDC/PMSM電機控制器/驅動器與CGD易於使用的ICeGaN...
2024 年 12 月 09 日

貿澤電子/ADI/Bourns共同出版全新電子書

貿澤電子(Mouser Electronics)近日宣布與Analog Devices(ADI)和Bourns合作出版最新的電子書，探索氮化鎵(GaN)技術在追求效率、效能和永續性的過程中所面對的挑戰和擁有的優勢。...
2024 年 12 月 06 日

Power Integrations推出1700V GaN切換開關IC

Power Integrations宣布推出其InnoMux-2系列的單級、獨立穩壓多路輸出離線式電源供應器IC的新成員。新裝置採用了業界首款透過該公司專有PowiGaN技術製造的1700V氮化鎵切換開關。...
2024 年 11 月 08 日

日本會津廠新產線投產　德州儀器GaN產能大增4倍

德州儀器(TI)宣布，已開始在日本會津廠生產氮化鎵(GaN)功率半導體。隨著會津廠進入生產，加上位於德州達拉斯的現有GaN製造產能，該公司GaN功率半導體的自有產能可增加至四倍之多。 德州儀器在日本會津廠的氮化鎵(GaN)產能正式上線，讓該公司的GaN產能可望擴增4倍...
2024 年 10 月 25 日

英飛凌/AWL-Electricity以GaN功率半導體優化無線供電方案

英飛凌(Infineon)近日宣布與總部位於加拿大的AWL-Electricity合作，後者是MHz級電容耦合諧振式電力傳輸技術的領導者。英飛凌將為AWL-E提供CoolGaN GS61008P，協助該公司開發先進的無線供電解決方案，為眾多產業開闢解決供電難題的新途徑。...
2024 年 10 月 24 日

英飛凌推出全新CoolGaN Drive產品系列

消費電子和工業應用領域正呈現出便攜化、電氣化、輕量化等多樣化的發展趨勢。而這些趨勢都需要緊湊高效的設計，同時還需採用非常規PCB設計，此類設計面臨嚴格的空間限制，進而限制了外部元件的使用。為應對這些挑戰，英飛凌(Infineon)推出CoolGaN...
2024 年 09 月 24 日
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