轉換電子元件新革命 GaN功率技術再進化

國際整流器(IR)的科學家預測既有的技術樣式須要有所變革,因此開發突破性的氮化鎵(GaN)功率元件技術平台,該技術保證其性能指數(FOM)較現今最先進的矽金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)至少優越十倍,能為商業應用的GaN功率元件將帶來嶄新的解決方案,使具備高成本效益的高密度、高效率功率轉換技術出現革命。
2010 年 02 月 25 日