大聯大詮鼎推出GaN 200W LED驅動電源方案

大聯大控股(WPG Holdings)宣布旗下詮鼎集團(AIT Group)推出基於英諾賽科(Innoscience)INN650D01場效應晶體管的高效超薄型200W LED驅動電源方案。 由大聯大詮鼎基於Innoscience...
2022 年 09 月 22 日

德州儀器SEMICON論壇解析GaN電源管理趨勢

德州儀器(TI)出席國際半導體展SEMICON Taiwan 2022,台灣、韓國及南亞總裁李原榮於「功率暨光電半導體」論壇上發表演講,深度解析電源傳輸技術發展趨勢及基於氮化鎵(GaN)的電源管理創新應用。...
2022 年 09 月 21 日

經濟部於SEMICON展出MRAM/電動車快充技術

經濟部技術處於2022 SEMICON Taiwan展出新技術,瞄準記憶體應用、電動車快充、次世代通訊、半導體量測設備與未來多樣化的元宇宙應用,推出包含SOT-MRAM陣列晶片、碳化矽功率模組、氮化鎵射頻高電子遷移率電晶體、2奈米量測機台,以及即時裸視3D服務系統,共五項技術研發成果。其中,碳化矽功率模組可將充電裝電壓提高至800V,滿足電動車的快充需求。...
2022 年 09 月 19 日

Transphorm GaN開關管提供雙向電流/電壓控制

Transphorm宣布獲得美國能源部先進能源研究計畫署(ARPA-E)的合約。該專案是ARPA-E CIRCUITS計畫的一部分,透過與伊利諾理工學院的轉包合約展開,包括提供採用氮化鎵(GaN)的四象限雙向開關管(FQS)。這些開關可用於多種電源轉換應用,如電流源型逆變器、變頻器用於驅動器和微型逆變器、矩陣式開關和固態斷路器等新型應用。...
2022 年 09 月 08 日

德州儀器將於SEMICON論壇分享GaN技術優勢

德州儀器(TI)將出席SEMICON Taiwan 2022,副總裁暨台灣、韓國及南亞總裁李原榮並將於9月15日召開的功率暨光電半導體論壇中以「解析氮化鎵(GaN)技術優勢及其創新應用市場趨勢」為題發表演講,分享德州儀器的GaN技術優勢及其如何突破功率密度和效率極限成功應用於工業領域及更多創新市場。...
2022 年 09 月 07 日

節能/高穩定/高壓需求水漲船高 高功率密度電源應用開枝散葉

在ESG、淨零碳排等風潮下,節能減碳已經是全球共識,企業必須在降低碳足跡、節約能源使用上,投注更多心力。同時電源應用因應小型產品需要輕薄化,以及大型產品講求電源供應穩定兩大趨勢發展。其中,GaN的材料特性不只能協助電動車電池實現高壓設計,還能透過小尺寸封裝,縮小電源IC尺寸。...
2022 年 07 月 18 日

英飛凌/台達電聯手推動寬能隙技術進軍高階電源應用

數位化、低碳等全球大趨勢推升了市場對碳化矽(SiC)、氮化鎵(GaN)等寬能隙(WBG)功率元件的需求。這類元件具備獨特的技術特性,能讓電源產品具有更好的性能和能源效率。在電力電子領域長年耕耘的英飛凌(Infineon)與台達電,日前宣布深化合作關係,將加強推動寬能隙元件在高階電源產品上的應用。...
2022 年 07 月 14 日

ST攜手MACOM開發RF GaN-on-Si原型晶片

意法半導體(ST)和電信/工業/國防和資料中心半導體解決方案供應商MACOM宣布,已成功製造出射頻矽基氮化鎵(RF GaN-on-Si)原型晶片,意法半導體與MACOM將繼續合作,並加強雙方的合作關係。...
2022 年 06 月 15 日

筑波新成立半導體EC工程中心

筑波科技在WBG(Wide Band Gap)寬能帶化合物半導體(氮化鎵GaN、碳化矽SiC 、氮化鋁AlN)的異質材料界面、Wafer 、Epi 的材料分析MA與故障瑕疵分析 FA ,已有很好的測試方案經驗。跟Teradyne...
2022 年 06 月 02 日

TI GaN技術推升資料中心效率

隨著台灣和世界各地資料中心快速增加,使得供電效率的需求隨之上升。德州儀器(TI)副總裁暨台灣、韓國與南亞總裁李原榮於2022 COMPUTEX Taipei論壇中,分享設計工程師如何利用氮化鎵(GaN)技術為資料中心達成體積更小、更高功率密度的解決方案,進而在現有的資料中心實現最大效率。...
2022 年 05 月 27 日

ABI Research:5G基礎建設帶動新材料與技術發展

5G網路持續發展,帶動大量基礎建設,為消費者和企業用戶提供更佳的用戶體驗和更高的傳輸速率。事實證明,在每單位流量的能耗方面,5G的能效比4G高90%。然而,由於大規模多輸入多輸出(mMIMO)的實施和網路密集化水準的提高,預計仍會導致能耗急劇增加。根據產業研究機構ABI...
2022 年 04 月 11 日

ROHM推出8V閘極耐壓150V GaN HEMT量產體制

ROHM已建立150V耐壓GaN HEMT「GNE10xxTB系列(GNE1040TB)」的量產體制,該系列產品的閘極耐壓(閘極-源極間額定電壓)高達8V,非常適用於基地台、資料中心等工控設備和各類型IoT通訊裝置的電源電路。...
2022 年 04 月 01 日