英飛凌/台達電聯手推動寬能隙技術進軍高階電源應用

數位化、低碳等全球大趨勢推升了市場對碳化矽(SiC)、氮化鎵(GaN)等寬能隙(WBG)功率元件的需求。這類元件具備獨特的技術特性,能讓電源產品具有更好的性能和能源效率。在電力電子領域長年耕耘的英飛凌(Infineon)與台達電,日前宣布深化合作關係,將加強推動寬能隙元件在高階電源產品上的應用。...
2022 年 07 月 14 日

ST攜手MACOM開發RF GaN-on-Si原型晶片

意法半導體(ST)和電信/工業/國防和資料中心半導體解決方案供應商MACOM宣布,已成功製造出射頻矽基氮化鎵(RF GaN-on-Si)原型晶片,意法半導體與MACOM將繼續合作,並加強雙方的合作關係。...
2022 年 06 月 15 日

筑波新成立半導體EC工程中心

筑波科技在WBG(Wide Band Gap)寬能帶化合物半導體(氮化鎵GaN、碳化矽SiC 、氮化鋁AlN)的異質材料界面、Wafer 、Epi 的材料分析MA與故障瑕疵分析 FA ,已有很好的測試方案經驗。跟Teradyne...
2022 年 06 月 02 日

TI GaN技術推升資料中心效率

隨著台灣和世界各地資料中心快速增加,使得供電效率的需求隨之上升。德州儀器(TI)副總裁暨台灣、韓國與南亞總裁李原榮於2022 COMPUTEX Taipei論壇中,分享設計工程師如何利用氮化鎵(GaN)技術為資料中心達成體積更小、更高功率密度的解決方案,進而在現有的資料中心實現最大效率。...
2022 年 05 月 27 日

ABI Research:5G基礎建設帶動新材料與技術發展

5G網路持續發展,帶動大量基礎建設,為消費者和企業用戶提供更佳的用戶體驗和更高的傳輸速率。事實證明,在每單位流量的能耗方面,5G的能效比4G高90%。然而,由於大規模多輸入多輸出(mMIMO)的實施和網路密集化水準的提高,預計仍會導致能耗急劇增加。根據產業研究機構ABI...
2022 年 04 月 11 日

ROHM推出8V閘極耐壓150V GaN HEMT量產體制

ROHM已建立150V耐壓GaN HEMT「GNE10xxTB系列(GNE1040TB)」的量產體制,該系列產品的閘極耐壓(閘極-源極間額定電壓)高達8V,非常適用於基地台、資料中心等工控設備和各類型IoT通訊裝置的電源電路。...
2022 年 04 月 01 日

GaN打造高效電源供應器  返馳式電路效率耗損創新低

由返馳式晶片(IC)解決方案所組成的晶片模組,有堅固的750V氮化鎵(GaN)一次側切換開關,搭配高頻主動箝位解決方案,可以設計出一類新型的額定功率達110W的超小型充電器,適用於手機、平板電腦和筆記型電腦。有廠商如Power...
2022 年 03 月 31 日

取代傳統矽基元件 SiC力助車載充電器高效運行

車載充電器(OBC)可將來自電網的交流電轉換為直流電,為車內的電池充電,用於電動車(EV),例如純電動車(BEV)和插電式混合動力汽車(PHEV)。因為它們位於車輛內部,所以重量、尺寸和效率成為關鍵的設計考慮因素。
2022 年 03 月 24 日

DOCSIS 4.0上行/下行全面優化 GaN升級纜線數據機放大器

由於標準和法規不斷快速變化,若要在有線電視市場維持地位可能是一項挑戰。全球混合光纖同軸(HFC)網路已升級至帶有中分頻(Mid-split)或高分頻的有線電纜資料服務介面規範DOCSIS 3.1,以提高上行和下行流量的資料傳輸速度和容量。同時,提倡開發和優化元件的下一代DOCSIS...
2022 年 01 月 27 日

英飛凌單通道閘極驅動器提升GaN SG HEMT性能

極小化研發工作和成本、耐用且高效的運行是現代電力電子系統對於中壓氮化鎵(GaN)開關的關鍵要求。英飛凌(Infineon)根據其戰略性設計的GaN產品系列,不斷加強全系統解決方案,推出了EiceDRIVER...
2021 年 12 月 29 日

氮化鎵進軍工業電源應用 整合度/配套方案為兩大關鍵

氮化鎵(GaN)元件在電源領域的應用,正在快速普及,特別是在消費性電源領域。但在工業電源跟汽車應用上,業界普遍還是有些疑慮。為促進GaN功率元件進一步普及,德州儀器(TI)認為,提高解決方案的整合度,以及建立完善的配套,將是兩項重要工作。...
2021 年 12 月 27 日

晶片缺貨新常態 半導體產業鍛鍊供應鏈韌性

面對劇烈變動的國際局勢,未來晶片缺貨恐成新常態,產業鏈韌性亦是半導體業共同面對的必修課題。
2021 年 12 月 02 日