GaN打造高效電源供應器  返馳式電路效率耗損創新低

由返馳式晶片(IC)解決方案所組成的晶片模組,有堅固的750V氮化鎵(GaN)一次側切換開關,搭配高頻主動箝位解決方案,可以設計出一類新型的額定功率達110W的超小型充電器,適用於手機、平板電腦和筆記型電腦。有廠商如Power...
2022 年 03 月 31 日

取代傳統矽基元件 SiC力助車載充電器高效運行

車載充電器(OBC)可將來自電網的交流電轉換為直流電,為車內的電池充電,用於電動車(EV),例如純電動車(BEV)和插電式混合動力汽車(PHEV)。因為它們位於車輛內部,所以重量、尺寸和效率成為關鍵的設計考慮因素。
2022 年 03 月 24 日

DOCSIS 4.0上行/下行全面優化 GaN升級纜線數據機放大器

由於標準和法規不斷快速變化,若要在有線電視市場維持地位可能是一項挑戰。全球混合光纖同軸(HFC)網路已升級至帶有中分頻(Mid-split)或高分頻的有線電纜資料服務介面規範DOCSIS 3.1,以提高上行和下行流量的資料傳輸速度和容量。同時,提倡開發和優化元件的下一代DOCSIS...
2022 年 01 月 27 日

英飛凌單通道閘極驅動器提升GaN SG HEMT性能

極小化研發工作和成本、耐用且高效的運行是現代電力電子系統對於中壓氮化鎵(GaN)開關的關鍵要求。英飛凌(Infineon)根據其戰略性設計的GaN產品系列,不斷加強全系統解決方案,推出了EiceDRIVER...
2021 年 12 月 29 日

氮化鎵進軍工業電源應用 整合度/配套方案為兩大關鍵

氮化鎵(GaN)元件在電源領域的應用,正在快速普及,特別是在消費性電源領域。但在工業電源跟汽車應用上,業界普遍還是有些疑慮。為促進GaN功率元件進一步普及,德州儀器(TI)認為,提高解決方案的整合度,以及建立完善的配套,將是兩項重要工作。...
2021 年 12 月 27 日

晶片缺貨新常態 半導體產業鍛鍊供應鏈韌性

面對劇烈變動的國際局勢,未來晶片缺貨恐成新常態,產業鏈韌性亦是半導體業共同面對的必修課題。
2021 年 12 月 02 日

功率暨化合物半導體晶圓產能將於2023年突破千萬片大關

國際半導體產業協會(SEMI)近日發布功率暨化合物半導體晶圓廠至2024年展望報告(Power & Compound Fab Report to 2024)中指出,全球疫情蔓延下,半導體供應鏈一度受影響,疫後汽車電子產品不斷提升的需求即將復甦。全球功率暨化合物半導體元件晶圓廠產能2023年可望首次攀至千萬片晶圓大關,達每月1,024萬片約當8吋晶圓(下同),並於2024年持續增長至1,060萬片。...
2021 年 10 月 21 日

搜索低成本/高效益解方 MicroLED技術瓶頸打通關

台灣在LED與LCD產業同時占有舉足輕重的地位,然而技術與應用的成熟讓兩者在近年的市場發展同時遭逢困境,MicroLED顯示器由形成個別畫素的微型LED陣列組成,使用氮化鎵(GaN)LED技術,具高亮度、高動態範圍、廣色域、快速更新率、廣視角和低功耗等特點,也可發展折疊式面板,被看好是下世代顯示器明日之星,連Apple都積極投入技術開發,因而引發各界矚目。
2021 年 10 月 07 日

中央大學攜手是德研發第三代半導體 加速5G基建及電動車創新

是德科技(Keysight)攜手國立中央大學光電科學研究中心(National Central University Optical Sciences Center),共同合作提高了GaN、SiC應用研發及測試驗證之效率,並加速5G基建及電動車創新之步伐。...
2021 年 10 月 05 日

專訪英飛凌電源與感測系統事業部大中華區協理陳志星 寬能隙功率元件GaN/SiC大有可為

半導體的應用越來越廣泛,隨著許多領域陸續電氣化,尤其5G、雲端運算、物聯網、電動車等趨勢,而為了提升效率與擴大應用規模,耐高電壓、更低導通電阻與更快切換速度的寬能隙半導體氮化鎵(GaN)、碳化矽(SiC)迅速崛起,Infineon長期投入功率元件的開發,自然在當紅的第三代半導體擁有完整布局。
2021 年 09 月 30 日

TI/台達電聯手推動伺服器電源邁向第三代半導體時代

德州儀器(TI)近日宣布,其氮化鎵(GaN)技術和C2000即時微控制器(MCU)已獲得台達電採用,開發出專為資料中心設計的高效、高功率企業用伺服器電源供應器(PSU)。與採用傳統架構的企業伺服器電源供應器相比,台達新推出的伺服器電源供應器功率密度可提高80%,效率提升1%。根據能源與氣候政策公司能源創新(Energy...
2021 年 09 月 27 日

意法新GaN閘極驅動器加速實現工業/家庭自動化

意法半導體新推出之STDRIVEG600半橋閘極驅動器輸出電流大,上下橋輸出訊號傳播延遲為45ns,能夠驅動GaN加強型FET高頻開關。 STDRIVEG600的驅動電源電壓最高20V,還適用於驅動N溝道矽基MOSFET,在驅動GaN元件時,可以靈活地施加最高6V閘極-源極電壓(Gate-Source...
2021 年 09 月 14 日