iBeam技術大躍進　Micro LED顯示器有望2022量產

三星投資的新創Micro LED顯示器技術商iBeam Materials(iBeam)日前宣布，已成功展示一項可直接在纖薄、柔性且可彎曲的金屬基板上製造高效氮化鎵(GaN)場效電晶體(FET)的技術。將這項技術與該公司先前發表的MicroLED搭配使用，製造商可以在省去巨量轉移製程，直接將MicroLED與場效電晶體以並排的方式整合在一起。該公司預估，這項直接在金屬基板上製造GaNFET的技術，可望在2022年進入大規模量產。...
2020 年 01 月 31 日

5G基礎建設RF前端2025年規模達25.2億美元

產業研究機構Yole Développement(Yole)發表最新研究指出，電信基礎設施的射頻前端(RF FE)市場規模在2018年達到14.7億美元，預計到2025年將達到25.2億美元。在全球扁平化的電信產業中，RF...
2019 年 12 月 05 日

雅特生科技推出新電源轉換器模組

AE(Advanced Energy)旗下雅特生科技(Artesyn Embedded Power)宣布推出一款直流/直流電源轉換器模組。此款AGQ500系列500W電源轉換器模組主要針對氮化鎵(GaN)射頻功率放大器的各種應用。...
2019 年 11 月 27 日

滿足寬能隙元件測試　量測設備首重高電壓/電流

寬能隙解決方案相繼問世，在相關產品測試需求逐漸增加的情況下，量測業者陸續推出高效、便利的解決方案，在滿足市場測試需求的同時，也助力縮短寬能隙方案開發時程。
2019 年 10 月 14 日

貿澤供貨TI LMG1210 MOSFET/GaN FET驅動器

貿澤電子宣布開始供應德州儀器(TI)旗下LMG1210 200 V半橋MOSFET和GaN FET驅動器。LMG1210是TI領先業界的氮化鎵(GaN)功率產品組合系列的其中一項產品，相較於傳統的矽基選擇，本系列效率更佳，功率密度更高，整體系統尺寸也更小，並特別針對重視速度的功率轉換應用最佳化。...
2019 年 10 月 04 日

緊跟電氣化/智慧化趨勢　功率半導體競逐車電商機

電動車、自駕車的發展創造出龐大功率半導體銷售商機，吸引相關元件供應商爭相投入MOSFET、IGBT，甚至SiC新產品研發。
2019 年 10 月 03 日

滿足寬能隙半導體量測　儀器/探棒雙雙升級

寬能隙功率半導體(SiC，GaN)具備更高的操作溫度、高運行電壓、高運作頻率和低功率損耗。採用寬能隙功率元件，能夠使得導通時及切換時的耗損能量降低，讓整體運作功率大幅降低，同時大幅降低設備的體積、重量及價格。為此，寬能隙解決方案備受電源供應業者青睞，且已逐步進入量產階段，終端產品亦已開始銷售。...
2019 年 09 月 24 日

電源供應市場帶頭衝　GaN功率IC商機超展開

GaN功率半導體，近來無論市場應用或技術進展皆跨入新的發展階段，加上研究機構單體式整合製程的催化，後市可望由電源供應市場逐步壯大。
2019 年 08 月 08 日

GaN射頻元件2024年產業規模突破200億美元

近年來，由於氮化鎵(GaN)在高頻下的較高功率輸出和較小的占位面積，GaN已被RF工業大量採用。根據兩個主要應用：電信基礎設施和國防，推動整個氮化鎵射頻市場預計到2024年成長至20億美元，產業研究機構Yole...
2019 年 06 月 27 日

尺寸微縮/高效率優勢突顯　GaN成功率放大器首要選擇

隨著功率與頻率不斷提高，GaN具備更高的功率密度，加上更好的熱管理能力，進而在市場尺寸、重量、功率、成本要求日漸嚴苛之下脫穎而出。
2019 年 05 月 13 日

推升大功率電源轉換器能效　新GaN功率開關鋒芒畢露

採用GaN HEMT可使電源轉換器的效率增加，對於大功率電源轉換器在能源節省方面有極大助益，並提升終端產品效能。
2019 年 05 月 09 日

各路人馬鴨子划水　化合物半導體前景可期

在VCSEL感測應用現身，加上GaN大舉進駐電源管理之後，化合物半導體開始展現出不容小看的商業應用潛力。
2019 年 05 月 02 日
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