滿足寬能隙半導體量測　儀器/探棒雙雙升級

寬能隙功率半導體(SiC，GaN)具備更高的操作溫度、高運行電壓、高運作頻率和低功率損耗。採用寬能隙功率元件，能夠使得導通時及切換時的耗損能量降低，讓整體運作功率大幅降低，同時大幅降低設備的體積、重量及價格。為此，寬能隙解決方案備受電源供應業者青睞，且已逐步進入量產階段，終端產品亦已開始銷售。...
2019 年 09 月 24 日

電源供應市場帶頭衝　GaN功率IC商機超展開

GaN功率半導體，近來無論市場應用或技術進展皆跨入新的發展階段，加上研究機構單體式整合製程的催化，後市可望由電源供應市場逐步壯大。
2019 年 08 月 08 日

GaN射頻元件2024年產業規模突破200億美元

近年來，由於氮化鎵(GaN)在高頻下的較高功率輸出和較小的占位面積，GaN已被RF工業大量採用。根據兩個主要應用：電信基礎設施和國防，推動整個氮化鎵射頻市場預計到2024年成長至20億美元，產業研究機構Yole...
2019 年 06 月 27 日

尺寸微縮/高效率優勢突顯　GaN成功率放大器首要選擇

隨著功率與頻率不斷提高，GaN具備更高的功率密度，加上更好的熱管理能力，進而在市場尺寸、重量、功率、成本要求日漸嚴苛之下脫穎而出。
2019 年 05 月 13 日

推升大功率電源轉換器能效　新GaN功率開關鋒芒畢露

採用GaN HEMT可使電源轉換器的效率增加，對於大功率電源轉換器在能源節省方面有極大助益，並提升終端產品效能。
2019 年 05 月 09 日

各路人馬鴨子划水　化合物半導體前景可期

在VCSEL感測應用現身，加上GaN大舉進駐電源管理之後，化合物半導體開始展現出不容小看的商業應用潛力。
2019 年 05 月 02 日

矽材料已近物理極限急尋接班　寬能隙GaN表現優異可望出線

使用矽(Silicon)材料的金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)元件於1960年代問世，到了1998年以超接面(Super Junction)技術為主的功率晶體被開始使用，數十年來矽的功率晶體對電子產業的影響甚鉅，但到了今日，矽材料作為功率元件也接近物理開發極限，而相關從業人員早已考量寬能隙材料(Wide...
2019 年 03 月 28 日

氮化鎵電晶體添柴加薪　無線充電功率密度更進一步

無線充電的實現使得手持式裝置得以捨棄傳統電源適配器或充電器的接頭與冗長的電源線。雖然這項技術已存在一段時日，而且有些智慧型手機也已經支援無線充電功能，目前也被應用開發在平板式裝置與筆記型電腦，可以預期在接下來的幾年，無線充電也會被逐漸廣泛使用在其他應用之上。本文將說明氮化鎵(GaN)電晶體優於金氧半電晶體(MOSFET)，應用在無線充電的兩個常用之功率放大拓撲。
2019 年 02 月 27 日

英飛凌展望2019擴大電源領先優勢　搶占車用鰲頭

德國半導體大廠英飛淩(Infineon)科技在功率半導體領域市占全球第一、車用半導體領域全球第二。2018年全球營收達76億歐元，而本於讓人們的生活更加便利、安全和環保的目標之下；2019年，也將在汽車電子、工業電源控制、電源管理與多元電子、數位安全解決方案等四大事業持續推動與發展。...
2019 年 02 月 21 日

(更新)國防/電信驅動RF GaN需求　專利申請戰全面啟動

電信和國防應用推動射頻氮化鎵(RF GaN)蓬勃發展。根據市調機構Yole Développement調查指出，RF GaN產業於2017~2023年間的年複合增長率達到23%。隨著市場不斷地發展，截至2017年底，RF...
2019 年 02 月 19 日

貿澤供貨TI LMG3410R070 GaN功率級產品

貿澤電子(Mouser Electronics)即日起開始供應Texas Instruments(TI)的LMG3410R070 600V 70 mΩ氮化鎵(GaN)功率級產品。LMG3410R070具有超低的輸入與輸出電容，支援高功率密度之電動馬達應用的新型態需求，適合的應用包括工業型與消費型的電源供應器。高效能GaN功率級支援的電流、溫度、電壓和切換頻率皆比矽電晶體更高，同時還可減少多達80%的切換耗損。...
2019 年 01 月 29 日

專訪英飛凌電源及多元電子事業處資深產品行銷經理鄧巍CoolGaN大幅提升電源工作效率

氮化鎵(GaN)近年於電源應用領域大行其道，商機也因而快速成長。為搶攻GaN市場版圖，電源晶片供應商英飛凌(Infineon)趁勢推出新一代GaN解決方案「CoolGaN 600 V增強型HEMT和EiceDRIVER驅動IC」，期能為伺服器、電信、無線充電或適配器(Adapters)等電源產品提供更高的電源效率與功率密度，並減少體積與設計成本。
2019 年 01 月 19 日
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