WattUp晶片樣本開始出貨 RF無線充電進軍消費電子

自Energous在2017年底宣布,該公司的Energous Mid Field WattUp傳輸器參考設計已取得聯邦通訊委員會(FCC)認證後,負責供應相關晶片的戴樂格半導體(Dialog)於日前宣布,WattUp晶片的樣本已經開始出貨,可望應用在智慧型手機、穿戴式裝置、聽戴式(Hearable)裝置等消費性可攜式電子和物聯網(IoT)裝置。這也意味著遠距無線充電即將走出實驗室,進入商品化。...
2018 年 01 月 29 日

無線充電元件市場已成紅海 材料創新成活路

由於無線充電聯盟(Wireless Power Consortium, WPC)Qi規格10W以下的各種元件技術皆已發展成熟,相關市場幾乎已成紅海。除了持續發想與推動各種創新應用之外,成本也必須持續壓低才能協助應用拓展。面對中國業者的價格戰威脅,台廠應積極開發新材料並做出市場區隔。...
2017 年 12 月 19 日

利用單端1.6kW L波段電晶體 高功率GaN提升RF性能

設備設計師經常遇到高功率要求的難題,這是單個固態器件遠遠無法滿足的要求。雖然橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)器件具有比較高的功率,但氮化鎵(GaN)技術為設計師帶來了更高的功率密度和效率,能夠在更小封裝尺寸內實現更高的功率,從而可縮小最終設計方案的整體尺寸。
2017 年 12 月 14 日

VEECO/ALLOS攜手開發低成本Micro-LED生產

Veeco近日宣布與ALLOS Semiconductors(ALLOS)完成一項戰略措施,以展示200mm 矽基板用於氮化鎵藍/綠光Micro-LED的生產上。 雙方合作將其專有的磊晶技術轉移到Propel...
2017 年 11 月 07 日

推升RF應用元件整合度 氮化鎵特性一鳴驚人

若要以矽(Si)與砷化鎵(GaAs)材料實現基地台、相位陣列雷達等RF應用,勢必得增加額外的散熱、保護晶片元件,而氮化鎵(GaN)適合高功率應用的材料特性,將可望解決這個問題,進一步推升RF應用元件的整合度。...
2017 年 10 月 27 日

納微與台積電/Amkor成為GaN IC製造合作夥伴

氮化鎵(GaN)功率IC供應商納微半導體(Navitas),宣布與台積電和艾克爾(Amkor)結成主要製造合作夥伴,以支援客戶在2018年及未來的龐大需求。GaN功率IC平台自從去年推出以來,市場反應一直十分良好,客戶快速採用這項顛覆性產品,為下一代快速手機充電器、小型化消費類電源轉換器和許多其他功率密度驅動的功率電子應用,實現顯著的尺寸、效率和充電速率升級。...
2017 年 10 月 26 日

全氮化鎵電源晶片效益可觀 65W電源設計更精巧

氮化鎵(GaN) MOSFET已經開始在電源應用發酵。不過,受限於驅動器、控制器仍採用CMOS製程,因此氮化鎵MOSFET的威力還無法完全釋放。為此,電源晶片新創公司Navitas以全氮化鎵電源晶片作為挑戰題目,並已成功開發出整合電源管理電路、驅動器與MOSFET的晶片解決方案。此外,該公司為了展示全氮化鎵方案的優勢,還推出外觀尺寸僅2.7立方英吋,重量60公克,輸出功率卻可達65W的USB-PD電源參考設計。...
2017 年 09 月 15 日

納微推出小型65W USB-PD電源轉換器

納微半導體(Navitas)宣布推出最小65W USB-PD(Type-C)電源轉換器參考設計,以跟上過去十年來筆記型電腦在更小尺寸和更輕重量兩方面的顯著改變。這高頻及高效的AllGaN功率IC,可縮小變壓器、濾波器和散熱器的尺寸、減輕重量和降低成本。相比現有基於矽的設計,需要98-115cc(或6-7...
2017 年 09 月 15 日

氮化鎵元件市場快速成長 手機充電器巧扮開路先鋒

氮化鎵元件在小型化電源應用產品領域逐漸擴散,特別是支援快速充電功能的新一代充電器,更是為氮化鎵元件創造經濟規模,促成應用普及的重要推手。 德州儀器(TI)電源管理應用經理蕭進皇表示,氮化鎵材料具有低Qg、Qoss與零Qrr的特性,能為高頻電源設計帶來效率提升、體積縮小與提升功率密度的優勢,因此在伺服器、通訊電源及可攜式裝置充電器等領域受到市場相當不錯的回響,應用需求也越來越多。...
2017 年 06 月 30 日

滿足5G基地台高頻需求 砷化鎵SoC勢在必行

為滿足5G基地台高頻需求,拉高整合層級的砷化鎵製程將是勢在必行。由於功率表現上的優勢,砷化鎵顯然在4G功率放大器(PA)市場,透過與CMOS製程的角力,奪得一片天。但朝向未來的5G,在功率表現上更具優勢的氮化鎵製程,卻開始緊追在後。因此,促使砷化鎵逐步達成one-chip解決方案的SoC,藉此高效率地滿足5G基地台的高頻需求,將會是砷化鎵與氮化鎵產生差異的關鍵。...
2017 年 06 月 03 日

5G PA高功率需求增 氮化鎵元件身價看漲

具高功率特性的氮化鎵(GaN),將可滿足5G對功率放大器(Power Amplifier, PA)的高頻需求,有充分潛力超越砷化鎵(GaAs)。氮化鎵在高功率應用的實現上,比砷化鎵更具實力,因而能充分滿足5G的高頻需求,除了將逐步在手機的5G功率放大器中出現,基地台功率放大器應用也是另一項發展主力。...
2017 年 05 月 31 日

ADI發表兩款寬頻6GHz模組

亞德諾半導體(ADI)近日宣布推出兩款高性能氮化鎵(GaN)功率放大器(PA)模組(HMC7885/HMC7748),兩款模組皆擁有高功率密度,可大幅縮減子系統的尺寸和重量。 HMC7885和HMC7748寬頻模組,針對2GHz至6GHz頻率範圍的應用,包括量測、通訊、替代行波管(TWT)、航空監控、雷達等應用領域。這些完全整合型全固態元件擴展了ADI公司現有的GaN功率放大器系列,使用方便,可以加快原型開發和系統設計。...
2017 年 04 月 11 日