全氮化鎵電源晶片效益可觀 65W電源設計更精巧

氮化鎵(GaN) MOSFET已經開始在電源應用發酵。不過,受限於驅動器、控制器仍採用CMOS製程,因此氮化鎵MOSFET的威力還無法完全釋放。為此,電源晶片新創公司Navitas以全氮化鎵電源晶片作為挑戰題目,並已成功開發出整合電源管理電路、驅動器與MOSFET的晶片解決方案。此外,該公司為了展示全氮化鎵方案的優勢,還推出外觀尺寸僅2.7立方英吋,重量60公克,輸出功率卻可達65W的USB-PD電源參考設計。...
2017 年 09 月 15 日

納微推出小型65W USB-PD電源轉換器

納微半導體(Navitas)宣布推出最小65W USB-PD(Type-C)電源轉換器參考設計,以跟上過去十年來筆記型電腦在更小尺寸和更輕重量兩方面的顯著改變。這高頻及高效的AllGaN功率IC,可縮小變壓器、濾波器和散熱器的尺寸、減輕重量和降低成本。相比現有基於矽的設計,需要98-115cc(或6-7...
2017 年 09 月 15 日

氮化鎵元件市場快速成長 手機充電器巧扮開路先鋒

氮化鎵元件在小型化電源應用產品領域逐漸擴散,特別是支援快速充電功能的新一代充電器,更是為氮化鎵元件創造經濟規模,促成應用普及的重要推手。 德州儀器(TI)電源管理應用經理蕭進皇表示,氮化鎵材料具有低Qg、Qoss與零Qrr的特性,能為高頻電源設計帶來效率提升、體積縮小與提升功率密度的優勢,因此在伺服器、通訊電源及可攜式裝置充電器等領域受到市場相當不錯的回響,應用需求也越來越多。...
2017 年 06 月 30 日

滿足5G基地台高頻需求 砷化鎵SoC勢在必行

為滿足5G基地台高頻需求,拉高整合層級的砷化鎵製程將是勢在必行。由於功率表現上的優勢,砷化鎵顯然在4G功率放大器(PA)市場,透過與CMOS製程的角力,奪得一片天。但朝向未來的5G,在功率表現上更具優勢的氮化鎵製程,卻開始緊追在後。因此,促使砷化鎵逐步達成one-chip解決方案的SoC,藉此高效率地滿足5G基地台的高頻需求,將會是砷化鎵與氮化鎵產生差異的關鍵。...
2017 年 06 月 03 日

5G PA高功率需求增 氮化鎵元件身價看漲

具高功率特性的氮化鎵(GaN),將可滿足5G對功率放大器(Power Amplifier, PA)的高頻需求,有充分潛力超越砷化鎵(GaAs)。氮化鎵在高功率應用的實現上,比砷化鎵更具實力,因而能充分滿足5G的高頻需求,除了將逐步在手機的5G功率放大器中出現,基地台功率放大器應用也是另一項發展主力。...
2017 年 05 月 31 日

ADI發表兩款寬頻6GHz模組

亞德諾半導體(ADI)近日宣布推出兩款高性能氮化鎵(GaN)功率放大器(PA)模組(HMC7885/HMC7748),兩款模組皆擁有高功率密度,可大幅縮減子系統的尺寸和重量。 HMC7885和HMC7748寬頻模組,針對2GHz至6GHz頻率範圍的應用,包括量測、通訊、替代行波管(TWT)、航空監控、雷達等應用領域。這些完全整合型全固態元件擴展了ADI公司現有的GaN功率放大器系列,使用方便,可以加快原型開發和系統設計。...
2017 年 04 月 11 日

照亮健康生活 紫光LED引領先鋒

健康議題發酵,促成紫光LED嶄露頭角。根據許多研究指出,光對人體睡眠模式與健康影響甚大,當人體在夜晚暴露於帶有藍光的LED燈下時,可能對睡眠與長期健康產生負面影響。為解決這個問題,紫光LED具備複製自然光時間與可見光光譜的特性,可根據日出和日落時間自動適應環境,調整使用者習慣,打造全新的健康生活環境。...
2017 年 03 月 28 日

射頻/功率/光源應用護航 化合物半導體前景可期

在車用高功率半導體、光源與射頻(RF)三大應用需求加持下,化合物半導體(Compound Semiconductor, CS)將有遠優於單晶半導體的成長速度。根據Strategy Analytice與SEMI的報告指出,化合物半導體市場規模預計將在2020年成長至440億美元,年複合成長率(CAGR)為12.9%,遠優於矽晶半導體的成長速度。...
2017 年 01 月 20 日

太克推出S540功率半導體測試系統

太克(Tektronix)近期宣布推出Keithley S540功率半導體測試系統,這是為高達3kV的功率半導體裝置和結構,提供的全自動48針腳參數測試系統。完全整合的S540是專為與最新複合功率半導體材料,包括碳化矽(SiC)和氮化鎵(GaN),搭配使用而進行最佳化處理,可在一次探頭接入中執行所有高壓、低壓和電容等測試。 ...
2016 年 11 月 08 日

英飛凌購併Wolfspeed 拓展車用/能源應用商機

英飛凌(Infineon)與科銳(Cree)宣布,英飛凌將以高達8.5億美元現金收購科銳旗下Wolfspeed功率與射頻(RF)部門部門,其中,包含功率與射頻功率相關的矽(SiC)晶圓基板事業。此次的併購案將使英飛凌提供更廣泛的化合物半導體及其電源管理晶片解決方案,包含電動車、再生能源,以及與物聯網相關的下一代蜂巢式基礎設備。...
2016 年 07 月 20 日

氮化鎵「錢」景可期 TI晶片樣品搶先推出

看好氮化鎵(GaN)成長商機,德州儀器(TI)積極布局,於近期推出一款功率可達600瓦的氮化鎵(GaN)場效應電晶體(FET)功率級工程樣本–LMG3410。與基於矽材料FET的解決方案相比,此一產品與該公司的類比和數位電力轉換控制器相結合,能讓設計人員開發出尺寸更小、效率及效能更高的設計,以滿足隔離式高壓工業、電信、企業級運算和再生能源的應用。 ...
2016 年 05 月 20 日

IDT/EPC攜手研發GaN 探索無線充電/射頻新應用

IDT/宜普電源轉換公司(EPC)將同共拓展氮化鎵(GaN)新商機。兩間公司將聯手發展氮化鎵技術,並結合EPC的eGaN技術和IDT的解決方案,以將氮化鎵技術拓展至無線充電、射頻(RF)和通訊等創新應用領域。 ...
2015 年 05 月 28 日