拓展數位電源應用版圖 微芯新一代DSC產品上陣

數位電源擴大應用版圖。電子產品掀節能減碳風,使得能提供最佳電源效率的數位電源日益受到市場青睞;看準此趨勢,微芯(Microchip)推出新一代數位訊號控制器(DSC)–dsPIC33EP「GS」系列,該系列元件涵蓋多種高階性能且具備高整合度,能協助設計人員以更低成本開發出密度更高、體積更小的電源產品。 ...
2015 年 05 月 20 日

英飛凌收購美國國際整流器公司

英飛凌(Infineon)完成收購美國國際整流器公司(International Rectifier)。收購完成後,英飛凌將擁有更豐富的產品組合與業務版圖,特別是美國與亞洲的中小企業客戶,也會該公司帶來更多電源管理系統專業技術,進一步強化功率半導體方面的專業。 ...
2015 年 01 月 19 日

提高數位電源功率密度 GaN MOSFET應用受矚目

氮化鎵(GaN)金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)漸露鋒芒。為提升數位電源系統單位功率密度(Power Density),包括德州儀器(TI)等電源晶片大廠已全力投入GaN MOSFET的應用效能研究。現階段,GaN...
2014 年 12 月 23 日

收購國際整流器 英飛凌壯大功率半導體版圖

英飛凌(Infineon)日前豪擲30億美元購併國際整流器(IR),創下該公司有史以來最高收購金額,藉此接收國際整流器先進的氮化鎵(GaN)、絕緣閘雙極性電晶體(IGBT)等功率半導體產品線、核心技術及銷售通路,強化在各種功率半導體應用領域的市場地位。 ...
2014 年 08 月 22 日

擺脫電源轉換損耗宿命 HV LED點亮高效率光源

目前廣泛使用的直流發光二極體(DC LED),若要經由市電供電,須外加交流對直流(AC-DC)整流器,易造成額外物料成本及能源轉換損失,因此產業界已發展出以交流電直接驅動的高壓LED(HV LED),可大幅提升LED照明系統的能源利用率和發光效率。
2014 年 02 月 10 日

專訪快捷半導體首席技術長Dan Kinzer SiC功率元件擴張應用版圖

為改善過去採用矽(Si)材料開發的功率元件無法耐高溫環境、低承受電壓值等缺陷,快捷半導體(Fairchild)已改用碳化矽(SiC)材料量產雙極接面電晶體(BJT),且持續開發出新一代產品,準備大舉插旗太陽能裝置、風能、輕軌牽引(Rail...
2014 年 01 月 06 日

鎖定大功率轉換應用 快捷強推SiC功率元件

為改善過去採用矽(Si)材料開發的功率元件無法耐高溫環境、低承受電壓值等缺陷,快捷半導體(Fairchild)已改用碳化矽(SiC)材料量產雙極接面電晶體(BJT),且持續開發出新一代產品,準備大舉插旗太陽能裝置、風能、輕軌牽引(Rail...
2013 年 12 月 27 日

威科與IMEC合作 突破GaN-on-Si成本困境

比利時微電子研究中心(IMEC)與有機金屬化學氣相沉積(MOCVD)製程設備供應商–威科(Veeco)日前宣布,將共同投入於矽基氮化鎵(GaN-on-Si)基板研究計畫,目的在於降低功率元件(Power...
2013 年 09 月 12 日

加速LTE-A/5G設計 射頻LNA/PA需求爆發

射頻(RF)元件需求急速增長。先進長程演進計畫(LTE-Advanced, LTE-A)商轉啟動,下一代5G標準亦蓄勢待發,驅動行動裝置射頻系統規格升級。系統廠為支援100MHz超大頻寬、四十個以上頻段並降低雜訊干擾,除計畫增加低雜訊放大器(LNA)和功率放大器(PA)等射頻元件用量外,亦將要求射頻前端模組(FAM)提高功能整合度,吸引晶片商加緊展開卡位。 ...
2013 年 08 月 26 日

富士通推出150V GaN功率元件

富士通(Fujitsu)推出矽基板氮化鎵(GaN)功率元件晶片–MB51T008A,耐電壓能達到150伏特(V)。MB51T008A的初始性能狀態為常關型(Normally-off),與同級耐電壓的矽功率元件相比,MB51T008A的優值因數(FOM)可减低將近一半。採用富士通半導體的GaN功率器件,客戶能設計出體積更小、效率更高的電源元件,並廣泛運用於家電、資通訊科技(ICT)設備和汽車電子等領域。 ...
2013 年 07 月 29 日

PV逆變器應用增溫 SiC功率元件後勢看漲

碳化矽(SiC)功率元件正快速在太陽能(PV)逆變器應用市場攻城掠地。SiC功率元件具高頻和耐高溫特性,不僅可較傳統矽功率半導體,提供更高的電源轉換效率,更可減少所需的電容和感測器數量,已吸引愈來愈多太陽能逆變器製造商青睞。
2013 年 06 月 24 日

IR氮化鎵元件開始商用出貨

國際整流器(International Rectifier)宣布為一家消費性電子產品公司的家庭劇院系統,成功測試並量產供應採用其氮化鎵(GaN)功率技術平台製造的元件。 IR總裁暨執行長Oleg...
2013 年 05 月 22 日