照亮健康生活 紫光LED引領先鋒

健康議題發酵,促成紫光LED嶄露頭角。根據許多研究指出,光對人體睡眠模式與健康影響甚大,當人體在夜晚暴露於帶有藍光的LED燈下時,可能對睡眠與長期健康產生負面影響。為解決這個問題,紫光LED具備複製自然光時間與可見光光譜的特性,可根據日出和日落時間自動適應環境,調整使用者習慣,打造全新的健康生活環境。...
2017 年 03 月 28 日

射頻/功率/光源應用護航 化合物半導體前景可期

在車用高功率半導體、光源與射頻(RF)三大應用需求加持下,化合物半導體(Compound Semiconductor, CS)將有遠優於單晶半導體的成長速度。根據Strategy Analytice與SEMI的報告指出,化合物半導體市場規模預計將在2020年成長至440億美元,年複合成長率(CAGR)為12.9%,遠優於矽晶半導體的成長速度。...
2017 年 01 月 20 日

太克推出S540功率半導體測試系統

太克(Tektronix)近期宣布推出Keithley S540功率半導體測試系統,這是為高達3kV的功率半導體裝置和結構,提供的全自動48針腳參數測試系統。完全整合的S540是專為與最新複合功率半導體材料,包括碳化矽(SiC)和氮化鎵(GaN),搭配使用而進行最佳化處理,可在一次探頭接入中執行所有高壓、低壓和電容等測試。 ...
2016 年 11 月 08 日

英飛凌購併Wolfspeed 拓展車用/能源應用商機

英飛凌(Infineon)與科銳(Cree)宣布,英飛凌將以高達8.5億美元現金收購科銳旗下Wolfspeed功率與射頻(RF)部門部門,其中,包含功率與射頻功率相關的矽(SiC)晶圓基板事業。此次的併購案將使英飛凌提供更廣泛的化合物半導體及其電源管理晶片解決方案,包含電動車、再生能源,以及與物聯網相關的下一代蜂巢式基礎設備。...
2016 年 07 月 20 日

氮化鎵「錢」景可期 TI晶片樣品搶先推出

看好氮化鎵(GaN)成長商機,德州儀器(TI)積極布局,於近期推出一款功率可達600瓦的氮化鎵(GaN)場效應電晶體(FET)功率級工程樣本–LMG3410。與基於矽材料FET的解決方案相比,此一產品與該公司的類比和數位電力轉換控制器相結合,能讓設計人員開發出尺寸更小、效率及效能更高的設計,以滿足隔離式高壓工業、電信、企業級運算和再生能源的應用。 ...
2016 年 05 月 20 日

IDT/EPC攜手研發GaN 探索無線充電/射頻新應用

IDT/宜普電源轉換公司(EPC)將同共拓展氮化鎵(GaN)新商機。兩間公司將聯手發展氮化鎵技術,並結合EPC的eGaN技術和IDT的解決方案,以將氮化鎵技術拓展至無線充電、射頻(RF)和通訊等創新應用領域。 ...
2015 年 05 月 28 日

拓展數位電源應用版圖 微芯新一代DSC產品上陣

數位電源擴大應用版圖。電子產品掀節能減碳風,使得能提供最佳電源效率的數位電源日益受到市場青睞;看準此趨勢,微芯(Microchip)推出新一代數位訊號控制器(DSC)–dsPIC33EP「GS」系列,該系列元件涵蓋多種高階性能且具備高整合度,能協助設計人員以更低成本開發出密度更高、體積更小的電源產品。 ...
2015 年 05 月 20 日

英飛凌收購美國國際整流器公司

英飛凌(Infineon)完成收購美國國際整流器公司(International Rectifier)。收購完成後,英飛凌將擁有更豐富的產品組合與業務版圖,特別是美國與亞洲的中小企業客戶,也會該公司帶來更多電源管理系統專業技術,進一步強化功率半導體方面的專業。 ...
2015 年 01 月 19 日

提高數位電源功率密度 GaN MOSFET應用受矚目

氮化鎵(GaN)金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)漸露鋒芒。為提升數位電源系統單位功率密度(Power Density),包括德州儀器(TI)等電源晶片大廠已全力投入GaN MOSFET的應用效能研究。現階段,GaN...
2014 年 12 月 23 日

收購國際整流器 英飛凌壯大功率半導體版圖

英飛凌(Infineon)日前豪擲30億美元購併國際整流器(IR),創下該公司有史以來最高收購金額,藉此接收國際整流器先進的氮化鎵(GaN)、絕緣閘雙極性電晶體(IGBT)等功率半導體產品線、核心技術及銷售通路,強化在各種功率半導體應用領域的市場地位。 ...
2014 年 08 月 22 日

擺脫電源轉換損耗宿命 HV LED點亮高效率光源

目前廣泛使用的直流發光二極體(DC LED),若要經由市電供電,須外加交流對直流(AC-DC)整流器,易造成額外物料成本及能源轉換損失,因此產業界已發展出以交流電直接驅動的高壓LED(HV LED),可大幅提升LED照明系統的能源利用率和發光效率。
2014 年 02 月 10 日

專訪快捷半導體首席技術長Dan Kinzer SiC功率元件擴張應用版圖

為改善過去採用矽(Si)材料開發的功率元件無法耐高溫環境、低承受電壓值等缺陷,快捷半導體(Fairchild)已改用碳化矽(SiC)材料量產雙極接面電晶體(BJT),且持續開發出新一代產品,準備大舉插旗太陽能裝置、風能、輕軌牽引(Rail...
2014 年 01 月 06 日