寬能隙電晶體帶來雙重優勢　電動車OBC效能更上層樓(1)

為了避免讓電動車成為破壞電網穩定的元凶，甚至反過來讓電動車成為電網的安定因子，基於寬能隙元件技術的雙向OBC，將是未來的發展趨勢。 在汽車產業，從底盤到動力傳動、資訊娛樂、連線功能和駕駛輔助系統，車輛設計的幾乎所有方面都在快速發展和創新。純電動車(BEV)若要快速且廣泛地普及，就必須解決充電時間對駕駛人造成的擔憂和壓力，尤其是在長途公路的旅途中。毫無疑問，車載充電器(OBC)設計比大多數領域受到更嚴格的檢視。...
2024 年 03 月 21 日

寬能隙電晶體帶來雙重優勢　電動車OBC效能更上層樓(2)

為了避免讓電動車成為破壞電網穩定的元凶，甚至反過來讓電動車成為電網的安定因子，基於寬能隙元件技術的雙向OBC，將是未來的發展趨勢。 創新封裝和散熱方法實現全新散熱設計 然而，在認識WBG技術所帶來優勢的同時，設計人員也必須意識到，散熱效能的改善，是實現這些重要目標的關鍵所在。...
2024 年 03 月 21 日

英飛凌/Worksport利用GaN升級可攜式發電站

英飛凌(Infineon)宣布與Worksport合作，共同利用氮化鎵(GaN)降低可攜式發電站的重量和成本。Worksport將在其可攜式發電站轉換器中使用英飛凌的GaN功率半導體GS-065-060-5-B-A提高效能和功率密度。在採用英飛凌GaN電晶體後，該功率轉換器將變得更輕、更小，系統成本也將隨之降低。此外，英飛凌還將幫助Worksport優化電路和布局設計，進一步縮小尺寸並提高功率密度。...
2024 年 03 月 18 日

ROHM EcoGaN獲台達45W輸出AC適配器採用

羅姆(ROHM)宣布，該公司推出的650V GaN元件(EcoGaN)被台灣台達電子(Delta Electronics)的45W輸出AC適配器Innergie C4 Duo採用。該產品透過搭載可提高電源系統效率的ROHM...
2024 年 03 月 04 日

功率需求持續高漲　先進電源設計攻克應用挑戰(1)

隨著應用發展，對於電源的要求也更加嚴苛，業者在進行產品設計時，需要確保精準控制並降低雜訊，以滿足高階應用需求。與此同時，氮化鎵(GaN)應用市場前景可期，相關電源產品設計也需要考量應用需求，選用合適方案。...
2024 年 02 月 27 日

功率需求持續高漲　先進電源設計攻克應用挑戰(2)

隨著應用發展，對於電源的要求也更加嚴苛，業者在進行產品設計時，需要確保精準控制並降低雜訊，以滿足高階應用需求。與此同時，氮化鎵(GaN)應用市場前景可期，相關電源產品設計也需要考量應用需求，選用合適方案。...
2024 年 02 月 27 日

PI推出InnoSwitch5離線返馳式切換開關IC

Power Integrations(PI)宣布推出InnoSwitch5-Pro系列的高效率、可程式化返馳式切換開關IC。單晶片切換開關透過一種新穎的二次側控制方案達成超過95%的效率，該方案無需專用且昂貴的額外高壓開關即可實現零電壓切換(ZVS)。新款IC採用750V或900V...
2024 年 02 月 05 日

TEM分析穩固GaN元件功能　掌握差排晶體缺陷(1)

對比前兩大類半導體材料，第三類半導體氮化鎵因製程原料關係，易產生大量的差排缺陷，而差排的密度和種類，又是影響元件功能的一大要素。如何解析差排類型，並將差排的密度控制在一定範圍，是第三類半導體發展的重要關鍵。...
2024 年 02 月 02 日

TEM分析穩固GaN元件功能　掌握差排晶體缺陷(2)

對比前兩大類半導體材料，第三類半導體氮化鎵因製程原料關係，易產生大量的差排缺陷，而差排的密度和種類，又是影響元件功能的一大要素。如何解析差排類型，並將差排的密度控制在一定範圍，是第三類半導體發展的重要關鍵。...
2024 年 02 月 02 日

SiC/GaN最佳化傳動系統效率　實現EV節能設計(1)

電動車的傳動系統至關重要，其核心元件是牽引逆變器。牽引逆變器是電動交通工具提升效率和永續性的關鍵，會直接影響功率輸出，並大幅改變汽車動力。電動車效率的提升，也必須考慮整合輔助子系統，並運用高階半導體技術。...
2024 年 02 月 02 日

SiC/GaN最佳化傳動系統效率　實現EV節能設計(2)

電動車的傳動系統至關重要，其核心元件是牽引逆變器。牽引逆變器是電動交通工具提升效率和永續性的關鍵，會直接影響功率輸出，並大幅改變汽車動力。電動車效率的提升，也必須考慮整合輔助子系統，並運用高階半導體技術。...
2024 年 02 月 02 日

功率/矽光子同步帶動　化合物半導體成長可期

研究機構Yole Group預期，在矽光子(Photonics)與功率應用的帶動下，化合物半導體基板跟磊晶圓(Epiwafer)市場規模在未來幾年將出現明顯成長。預估到2029年時，整體化合物半導體基板的市場規模將成長到33億美元，2023年~2029年間的複合年增率(CAGR)為17%。碳化矽(SiC)、氮化鎵(GaN)與磷化銦(InP)會是成長排名前三的化合物半導體基板。研究機構Yole...
2024 年 02 月 01 日
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