神盾聯盟策略轉型　深耕AI PC/車用/電源

IC設計公司神盾日前舉辦聯盟Tech Day，揭櫫神盾聯盟IC設計產業新策略，以及旗下各企業AI PC完整解決方案，包括AI PC platform、Power IC for AI PC及伺服器，以及AI...
2024 年 01 月 31 日

善用背向分析技術　基板移除速找GaN晶片異常點(1)

第三類半導體因具有寬能隙、低漏電、耐高電壓及高溫等特性，且其能源轉換效率更好，因此普遍被應用於功率元件。而氮化鎵元件可支援更高的開關切換頻率，並提供極佳的功率密度，在相同電氣性能下，可有效縮減整體系統的尺寸。...
2024 年 01 月 08 日

專訪英飛凌科技高級副總裁曹彥飛：車用GaN/SiC技術/產能邁大步

汽車電動化已經是不可逆的市場趨勢，車用IC供應商紛紛投入更多電動車相關的研發能量與布局力道，搶攻電動車商機。在電動車的能源系統中，盡可能提升能源轉換效率是重要的目標，因此寬能隙半導體碳化矽(SiC)與氮化鎵(GaN)的市場熱度，隨著電動車的快速發展成長。...
2024 年 01 月 08 日

善用背向分析技術　基板移除速找GaN晶片異常點(2)

第三類半導體因具有寬能隙、低漏電、耐高電壓及高溫等特性，且其能源轉換效率更好，因此普遍被應用於功率元件。而氮化鎵元件可支援更高的開關切換頻率，並提供極佳的功率密度，在相同電氣性能下，可有效縮減整體系統的尺寸。...
2024 年 01 月 08 日

Transphorm/偉詮電子推出GaN系統級封裝元件

Transphorm與偉詮電子(Weltrend)宣布合作推出100瓦USB-C PD電源適配器參考設計。該參考設計電路採用兩家公司合作開發的系統級封裝(SiP)SuperGaN電源控制晶片WT7162RHUG24A，在准諧振反激式(QRF)拓撲中可實現92.2%的效率。...
2024 年 01 月 04 日

Transphorm發布兩款兩輪/三輪電動車充電參考設計

Transphorm宣布推出兩款面向電動車充電應用的參考設計。300W和600W恆流/恆壓(CC/CV)電池充電器採用Transphorm的70毫歐和150毫歐SuperGaN元件，以極具競爭力的成本實現高效的AC-DC功率轉換和高功率密度。這兩款參考設計旨在幫助兩輪和三輪電動車充電器快速實現量產。...
2023 年 12 月 25 日

Transphorm/Allegro提升氮化鎵電源系統性能

Transphorm宣布與為運動控制和節能系統提供電源及感測半導體技術的Allegro MicroSystems合作，使用Transphorm 的 SuperGaN場效應電晶體和Allegro的AHV85110隔離式柵極驅動器，針對大功率應用擴展氮化鎵電源系統設計。...
2023 年 12 月 11 日

GaN大破電動車效能瓶頸

在電動車市場蓬勃發展之際，化合物半導體氮化鎵(GaN)與碳化矽(SiC)成為應用關鍵。目前特斯拉導入SiC，更確立了採用化合物半導體是電動車產業不可逆的趨勢。SiC與GaN 都適用於高頻、高壓的情境，有助於實現電動車充電器快充，緩解車主的里程焦慮。目前GaN尚有技術挑戰待克服，也能拓展儲能與微型電動車等商機。...
2023 年 12 月 11 日

TI低功率GaN產品縮減AC/DC電源供應器體積

德州儀器(TI)宣布擴大其低功率氮化鎵(GaN)產品組合，旨在協助提升功率密度、最大化系統效率，以及縮小AC/DC電源供應消費電子和工業系統的尺寸。TI具備整合式閘極驅動器的GaN場效應電晶體(FET)整體產品組合，可解決常見的散熱設計挑戰，讓供應器維持低溫，同時以更小的體積推動更大功率。...
2023 年 12 月 07 日

PI發布突破性1,250V GaN切換開關IC

Power Integrations發布電壓最高的單切換開關氮化鎵(GaN)電源供應器IC，其配備1,250伏特的PowiGaN切換開關。 InnoSwitch 3-EP 1250 V IC是Power...
2023 年 11 月 14 日

意法GaN驅動器整合電流隔離功能

意法半導體(ST)推出首款具有電流隔離功能的氮化鎵(GaN)電晶體閘極驅動器，新款STGAP2GS縮小了晶片尺寸，同時降低物料清單成本，能夠滿足應用對寬能隙晶片的效能以及安全性和電氣保護的更高需求。 此款單通道驅動器可連接最高1,200V的電壓，而窄版STGAP2GSN則可連接達1,700V的電壓，閘極驅動電壓最高達15V。該驅動器能夠為所連接的GaN電晶體閘極灌入和源出最高3A的電流，即使在高運作頻率下也能精準控制功率電晶體的開關操作。...
2023 年 11 月 14 日

CGD/群光電能/劍橋大學技術服務部共組GaN生態系統

Cambridge GaN Devices(CGD)宣布與群光電能以及英國劍橋大學技術服務部(CUTS)簽署了一項三方協議，將共同合作開發基於GaN技術的先進、高效、高功率密度變壓器和資料中心電源產品。此次三方合作將致力於推進一項名為「採用先進GaN解決方案的創新低功率和高功率SMPS(切換模式電源供應器)」的技術專案。...
2023 年 11 月 09 日
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