Transphorm/Allegro提升氮化鎵電源系統性能

Transphorm宣布與為運動控制和節能系統提供電源及感測半導體技術的Allegro MicroSystems合作，使用Transphorm 的 SuperGaN場效應電晶體和Allegro的AHV85110隔離式柵極驅動器，針對大功率應用擴展氮化鎵電源系統設計。...
2023 年 12 月 11 日

GaN大破電動車效能瓶頸

在電動車市場蓬勃發展之際，化合物半導體氮化鎵(GaN)與碳化矽(SiC)成為應用關鍵。目前特斯拉導入SiC，更確立了採用化合物半導體是電動車產業不可逆的趨勢。SiC與GaN 都適用於高頻、高壓的情境，有助於實現電動車充電器快充，緩解車主的里程焦慮。目前GaN尚有技術挑戰待克服，也能拓展儲能與微型電動車等商機。...
2023 年 12 月 11 日

TI低功率GaN產品縮減AC/DC電源供應器體積

德州儀器(TI)宣布擴大其低功率氮化鎵(GaN)產品組合，旨在協助提升功率密度、最大化系統效率，以及縮小AC/DC電源供應消費電子和工業系統的尺寸。TI具備整合式閘極驅動器的GaN場效應電晶體(FET)整體產品組合，可解決常見的散熱設計挑戰，讓供應器維持低溫，同時以更小的體積推動更大功率。...
2023 年 12 月 07 日

PI發布突破性1,250V GaN切換開關IC

Power Integrations發布電壓最高的單切換開關氮化鎵(GaN)電源供應器IC，其配備1,250伏特的PowiGaN切換開關。 InnoSwitch 3-EP 1250 V IC是Power...
2023 年 11 月 14 日

意法GaN驅動器整合電流隔離功能

意法半導體(ST)推出首款具有電流隔離功能的氮化鎵(GaN)電晶體閘極驅動器，新款STGAP2GS縮小了晶片尺寸，同時降低物料清單成本，能夠滿足應用對寬能隙晶片的效能以及安全性和電氣保護的更高需求。 此款單通道驅動器可連接最高1,200V的電壓，而窄版STGAP2GSN則可連接達1,700V的電壓，閘極驅動電壓最高達15V。該驅動器能夠為所連接的GaN電晶體閘極灌入和源出最高3A的電流，即使在高運作頻率下也能精準控制功率電晶體的開關操作。...
2023 年 11 月 14 日

CGD/群光電能/劍橋大學技術服務部共組GaN生態系統

Cambridge GaN Devices(CGD)宣布與群光電能以及英國劍橋大學技術服務部(CUTS)簽署了一項三方協議，將共同合作開發基於GaN技術的先進、高效、高功率密度變壓器和資料中心電源產品。此次三方合作將致力於推進一項名為「採用先進GaN解決方案的創新低功率和高功率SMPS(切換模式電源供應器)」的技術專案。...
2023 年 11 月 09 日

常關需求引發路線之爭　D-mode GaN不容低估(1)

氮化鎵功率半導體元件毫無疑問是目前電力電子領域中非常火熱的一個話題。當今占主導有兩種電晶體類型：常關(Normally-off)耗盡型(D-mode)和常關增強型(E-mode)氮化鎵電晶體。當人們面臨選擇時，有時會難以言明地傾向于使用E-mode電晶體。而事實上，常關D-mode在性能、可靠性、多樣性、可製造性以及實際用途方面，都是本質上更優越的平台。這之中的原因在於常關D-mode能充分利用氮化鎵本身優勢。...
2023 年 10 月 31 日

常關需求引發路線之爭　D-mode GaN不容低估(2)

氮化鎵功率半導體元件毫無疑問是目前電力電子領域中非常火熱的一個話題。當今占主導有兩種電晶體類型：常關(Normally-off)耗盡型(D-mode)和常關增強型(E-mode)氮化鎵電晶體。當人們面臨選擇時，有時會難以言明地傾向于使用E-mode電晶體。而事實上，常關D-mode在性能、可靠性、多樣性、可製造性以及實際用途方面，都是本質上更優越的平台。這之中的原因在於常關D-mode能充分利用氮化鎵本身優勢。...
2023 年 10 月 31 日

常關需求引發路線之爭　D-mode GaN不容低估(3)

氮化鎵功率半導體元件毫無疑問是目前電力電子領域中非常火熱的一個話題。當今占主導有兩種電晶體類型：常關(Normally-off)耗盡型(D-mode)和常關增強型(E-mode)氮化鎵電晶體。當人們面臨選擇時，有時會難以言明地傾向于使用E-mode電晶體。而事實上，常關D-mode在性能、可靠性、多樣性、可製造性以及實際用途方面，都是本質上更優越的平台。這之中的原因在於常關D-mode能充分利用氮化鎵本身優勢。...
2023 年 10 月 31 日

筑波科技11/09舉辦化合物半導體應用交流會

筑波科技將於11月9日舉辦化合物半導體應用交流會，會中由優貝克(ULVAC)、陽明交大、泰瑞達(Teradyne)、鴻海研究院、羅姆半導體(ROHM)進行演講，分享化合物半導體的技術發展及應用前景。 本活動將深入探討材料分析(MA)、故障瑕疵分析(FA)和封裝測試(FT)等議題，分享全面的整合測試解決方案。串聯業界跨域代表深入洞察市場及應用案例。...
2023 年 10 月 26 日

英飛凌完成收購GaN Systems公司

英飛凌科技(Infineon)宣布完成收購GaN Systems。這家總部位於加拿大渥太華的公司，為英飛凌帶來了豐富的氮化鎵(GaN)功率轉換解決方案產品組合和領先的應用技術。已獲得所有必要的監管部門審批，交易結束後，GaN...
2023 年 10 月 26 日

ROHM超高速閘極驅動器IC發揮GaN元件性能

羅姆(ROHM)推出一款超高速驅動GaN元件的閘極驅動器IC「BD2311NVX-LB」。 近年來在伺服器系統等應用領域，由於IoT設備的需求日益成長，關於電源部分的功率轉換效率提升和設備小型化已經成為重要的社會課題，要求功率元件不斷進行優化。另外不僅在自動駕駛領域，在工控設備和社會基礎建設監控等應用領域中也非常廣泛的LiDAR，也需要透過高速脈衝雷射光照射來進一步提高辨識精度。...
2023 年 10 月 20 日
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