DAH Solar整合型光伏系統採用Transphorm氮化鎵元件

Transphorm宣布,DAH Solar的世界首個整合型光伏(PV)系統採用了Transphorm氮化鎵平台,DAH Solar是安徽大恒新能源技術公司的子公司。該整合型光伏系統已應用在大恒能源的最新SolarUnit...
2023 年 10 月 16 日

GaN對電池測試系統的效益

電動化市場趨勢的成長和電動車產業的擴張對電池化成和測試市場構成新的挑戰仍然是鋰離子電池量產的最大瓶頸。為了尋求因應之道,設計工程師設法提高測試設備通道密度、改善整體系統效率和降低系統成本。其中一種解決方案是氮化鎵(GaN)技術,而德州儀器(TI)的GaN...
2023 年 10 月 13 日

GaN Systems推出第四代氮化鎵平台

GaN Systems近日推出其第四代氮化鎵平台(Gen 4 GaN Power Platform),不僅在能源效率及尺寸上確立新的標竿,更提供顯著的性能表現優化及業界領先的品質因數(Figures of...
2023 年 10 月 02 日

意法半導體量產PowerGaN元件

意法半導體(ST)宣布量產能夠簡化高效功率轉換系統設計之增強型PowerGaN HEMT(高電子遷移率電晶體)元件。STPOWER GaN電晶體提升了牆插電源轉接器、充電器、照明系統、工業電源、再生能源發電、汽車電氣化等應用的性能。...
2023 年 09 月 26 日

德州儀器確保GaN產品可靠性

氮化鎵(GaN)場效應電晶體 (FET)正在迅速獲得採用,因為這能夠提高效率並縮小電源供應器尺寸。GaN產業已經建立一套方法來保證 GaN 產品的可靠性,德州儀器(TI)GaN裝置在元件級和實際應用中均極為可靠。這些裝置已經通過矽認證標準和GaN產業準則。尤其是,TI...
2023 年 09 月 23 日

TI改善熱效率幫助資料中心永續運作

隨著伺服器電源需求增加,創新的半導體設計和封裝技術正在改善資料中心的效率。德州儀器(TI)率先生產創新的半導體電源產品,藉以滿足目前和未來幾代先進資料中心對於性能、效率和熱管理的高度需求。由此產生的電源有助於保持最大型資料中心以更持續的能源穩定運作。...
2023 年 08 月 23 日

英飛凌/群光電能打造氮化鎵PD3.1電源供應器

英飛凌科技(Infineon)透過運用氮化鎵(GaN)半導體,賦予電源轉換器更高的效能、更精簡的體積以及更低的能耗。群光電能(Chicony Power)透過與英飛凌的合作夥伴關係,提高其最新PD3.1筆記型電腦電源供應器系列的效能。雙方透過加強合作,共同為終端客戶提供具備更小尺寸、更高功率密度的高效率氮化鎵電源解決方案。...
2023 年 08 月 18 日

CGD/SCI簽訂亞太地區分銷協議

Cambridge GaN Devices(CGD)專門開發多種節能氮化鎵(GaN)型功率裝置,旨在實現更環保的電子元件,與新加坡Supreme Components International Pte...
2023 年 08 月 10 日

SiC高電壓應用穩健無虞

近期碳化矽(SiC)及其在電力電子領域的潛在應用受到了廣泛關注, 但同時也引發了一些誤解。圍繞SiC產生的一些疑慮與其應用範圍相關, 例如一些設計人員認為SiC MOSFET應該用來替代IGBT,而矽MOSFET的替代品應該是氮化鎵(GaN)元件。然而,額定電壓為650V的SiC...
2023 年 07 月 13 日

超寬能隙材料熱導性能更驚豔(1)

大電源及高速傳輸的供應需求,諸如太陽能、風電、電動交通工具,或家用裝置、物聯網、資料中心等,在原本主流的半導體材料矽(Si)無法勝任此一變化下,新世代的寬能隙材料應運而生。 在現代人的生活極度依賴行動或穿戴裝置,存於其中的半導體材料無所不在。從早上的鬧鐘,到盥洗用的電動牙刷、上網訂早餐、用手機收看新聞,再到交通工具、工作用電腦、回家做飯的電鍋、微波爐等,半導體無所不在。近年來,隨著環保節能意識抬頭,為了實現淨零碳排放,必須將製造大量空污的油、氣發電,轉向更潔淨的綠電能源,未來的生活工具勢必共同邁向此目標。...
2023 年 07 月 03 日

超寬能隙材料熱導性能更驚豔(2)

大電源及高速傳輸的供應需求,諸如太陽能、風電、電動交通工具,或家用裝置、物聯網、資料中心等,在原本主流的半導體材料矽(Si)無法勝任此一變化下,新世代的寬能隙材料應運而生。 XRD鑑定晶體堆疊對能隙的影響...
2023 年 07 月 03 日

應用障礙逐步掃除 WBG元件普及大步向前(2)

寬能隙元件能為電源、逆變器等功率應用帶來極大的效益,但在設計導入方面也有相當的門檻存在。因此,如何降低設計導入的門檻,成為供應商必須面對的課題。 GaN驅動難題有解 台達實現百瓦功率密度 同樣屬於寬能隙半導體的氮化鎵功率元件,也跟碳化矽元件一樣,能協助電源開發者實現更高的電源密度。然而,氮化鎵元件的驅動與控制方式與矽元件大相逕庭,因此在高功率應用的設計開發上,有比較多技術議題需要克服。...
2023 年 07 月 03 日