伺服器PSU面臨雙重挑戰　寬能隙元件機會來了(2)

成本是伺服器或PC電源供應器導入寬能隙元件的最大阻礙，但由於法規跟客戶對轉換效率與外觀尺寸的要求越來越嚴格，在高階PSU上使用寬能隙元件，已成為必然的趨勢。 SiC vs. GaN　寬能隙內戰漸趨白熱化...
2023 年 04 月 27 日

伺服器PSU面臨雙重挑戰　寬能隙元件機會來了(1)

成本是伺服器或PC電源供應器導入寬能隙元件的最大阻礙，但由於法規跟客戶對轉換效率與外觀尺寸的要求越來越嚴格，在高階PSU上使用寬能隙元件，已成為必然的趨勢。 對伺服器所使用的電源供應器(PSU)而言，電源轉換效率一直是很重要的技術指標。在同樣的輸出功率下，轉換效率越高的PSU不僅越節能，同時也可以幫助使用者省下可觀的冷卻成本。...
2023 年 04 月 27 日

IGBT實現可靠高功率應用

近期碳化矽(SiC)和氮化鎵(GaN)等寬能隙半導體的應用日益增多，受到市場廣泛關注。然而，在這些新技術出現之前，許多高功率應用都是使用高效、可靠的絕緣閘雙極電晶體(IGBT)，事實上，許多此類應用仍然適合繼續使用...
2023 年 04 月 21 日

CGD ICeGaN透過維吉尼亞理工大學技術論文獲得驗證

Cambridge GaN Devices(CGD)宣布，由維吉尼亞理工大學進行的獨立第三方研究表明，CGD的ICeGaN氮化鎵技術較其他氮化鎵平台更具可靠性及堅固性。在由維吉尼亞理工大學的研究人員與CGD創新與研究總監Daniel...
2023 年 04 月 20 日

新拓撲帶來切入契機　GaN進軍電動車OBC應用

GaN Systems日前在應用電力電子會議(APEC 2023)上發表了11kW/800V氮化鎵(GaN)車載充電器(On-Board Charger, OBC)參考設計。傳統上，電動車的OBC不是採用絕緣閘級電晶體(IGBT)，就是使用碳化矽(SiC)電晶體做為功率開關。但由於GaN...
2023 年 03 月 31 日

CGD 2023 APEC展示電力電子裝置永續未來

Cambridge GaN Devices(CGD)致力於開發一系列節能的GaN式電力裝置，目標是讓電子元件變得更環保，該公司在應用電子電力大會(APEC)上提出多篇論文，涵蓋關於永續發展的策略觀點並深入進行技術分析。CGD使用通過驗證的參考設計和評估板，並透過新建立和既有的GaN生態系統合作夥伴進行展示。...
2023 年 03 月 29 日

Power Integrations新推900V GaN返馳式切換開關IC

Power Integrations宣布為該公司InnoSwitch3系列返馳式切換開關IC擴充900伏特氮化鎵(GaN)。新款IC採用專有的PowiGaN技術，輸出功率達100瓦，效率超過93%，不僅省去了使用散熱片的需求，還簡化了空間有限的應用設計。InnoSwitch3設計還提供卓越的輕載效率，是在低功率睡眠模式下為電動車輛提供輔助電源的理想選擇。符合AEC-Q100標準的InnoSwitch3-AQ系列特別適用於採用400伏特匯流排系統的電動車輛，其中900伏特PowiGaN切換開關可提供12伏特電池更換系統所需的更大功率和更高的設計餘裕，與矽基轉換器相比效率更高。...
2023 年 03 月 28 日

ROHM超高速驅動控制IC技術發揮GaN元件性能

羅姆(ROHM)確立了一項超高速驅動控制IC技術，利用該技術可更大程度發揮GaN等高速開關元件的性能。 近年來，GaN元件因具有高速開關的特性優勢而被廣泛採用，然而，如何提高控制IC(負責GaN元件的驅動控制)的速度已成為亟須解決的課題。...
2023 年 03 月 27 日

Transphorm/偉詮合作發布整合式GaN SiP

偉詮電子新推出的WT7162RHUG24A電源轉換器控制晶片，設計用於為智慧手機、平板電腦、筆記型電腦和其它智慧設備充電的45至100瓦USB-C PD電源適配器。峰值功率效率超過93%。該元件的樣品將在2023年第二季度推出。...
2023 年 03 月 25 日

TI/光寶GaN打造高效能伺服器電源供應器

德州儀器(TI)宣布攜手光寶科技正式在北美市場推出搭載TI高整合式氮化鎵(GaN)與C2000即時微控制器(MCU)的商用化伺服器電源供應器(PSU)。透過TI LMG3522R030 GaN FET...
2023 年 03 月 06 日

英飛凌將以8.3億美元收購GaN Systems

英飛淩(Infineon)與GaN Systems兩家公司共同宣布，雙方已簽署最終協議，英飛淩將以8.3億美元的價格收購GaN Systems。GaN Systems是氮化鎵(GaN)功率半導體解決方案的全球技術領導者，總部位於加拿大渥太華，擁有200多名員工。...
2023 年 03 月 03 日

擴展應用層面/簡化開發　GaN FET搶占功率版圖

根據美國市場研究公司GVR(Grand View Research)的研究報告指出氮化鎵(Gallium Nitride, GaN)半導體市值將從2021年開始以複合成長率24.4%的速度成長至2030年，其成長速度將是矽半導體的100倍並且延伸到車用、機器人、馬達驅動器和通訊等領域。...
2023 年 02 月 27 日
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