價格比六軸更便宜 九軸MEMS單晶片年底搶市

九軸微機電系統(MEMS)單晶片將大舉出籠。瞄準智慧型手機、平板電腦應用商機,意法半導體(ST)和應美盛(InvenSense)預計於2013年底量產集加速度計、磁力計和陀螺儀於一身的九軸MEMS單晶片;新產品不僅功耗、占位空間將比分離式設計顯著縮減,價格更可低於六軸方案,有助吸引行動裝置品牌廠擴大導入。 ...
2013 年 03 月 14 日

格羅方德/三星支援Cadence先進製程技術

益華電腦(Cadence)宣布主要晶圓廠夥伴中的兩家–三星電子晶圓代工部門(Samsung Foundry)與格羅方德(GLOBALFOUNDRIES),可支援以20和14奈米先進製程設計為目標的嶄新Cadence客製/類比技術。這兩家晶圓廠將為最近導入的Cadence...
2013 年 03 月 08 日

營收超越聯電 三星晶圓代工市場坐三望二

2012年三星(Samsung)晶圓代工營收再創新高。IC Insights指出,拜蘋果應用處理器大單挹注所賜,三星2012年晶圓代工業務總營收高達43億3,000萬美元,較2011年成長將近一倍,並擠下聯電,成為全球第三大晶圓代工業者。不僅如此,三星目前僅以2億美元營收差距,落後排名第二的格羅方德(GLOBALFOUNDRIES),可望在2013年迎頭趕上。 ...
2013 年 01 月 17 日

專訪格羅方德執行副總裁Michael Noonen 格羅方德後年量產14奈米

格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)將於2014年量產14奈米(nm)方案。為與台積電爭搶下一波行動裝置晶片製造商機,格羅方德將率先導入三維鰭式電晶體(3D FinFET)架構於14nm製程產品中,預計明年客戶即可開始投片,後年則可望大量生產。
2012 年 11 月 01 日

緊咬台積電不放 格羅方德後年量產14奈米

格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)將於2014年量產14奈米(nm)方案。為與台積電爭搶下一波行動裝置晶片製造商機,GLOBALFOUNDRIES將率先導入三維鰭式電晶體(3D FinFET)架構於14nm製程產品中,預計明年客戶即可開始投片,後年則可望大量生產。 ...
2012 年 10 月 09 日

加碼擴產不手軟 晶圓代工廠車拚先進製程

晶圓代工廠在先進製程的競爭愈演愈烈。行動裝置對採用先進製程的晶片需求日益高漲,讓台積電、聯電、GLOBALFOUNDRIES與三星等晶圓廠,皆不約而同加碼擴大先進製程產能,特別是現今需求最為殷切的28奈米製程,更是首要布局重點。
2012 年 09 月 20 日

投片案破百件 格羅方德28奈米耕耘有成

格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)28奈米製程投片試產的設計案已突破一百件。隨著紐約八廠即將於明年開始上線運作,格羅方德已陸續接獲客戶投片試產的合作案,包括超微(AMD)、高通(Qualcomm)、意法半導體(ST)、Adapteva和Rambus等晶片業者,皆已公開表示將與格羅方德展開28奈米生產合作。 ...
2012 年 08 月 27 日

先進製程需求強勁 晶圓代工廠爭相擴產

全球各大晶圓代工廠正加速擴大先進製程產能規模。智慧型手機與平板裝置市場不斷增長,讓兼具低成本與高效能的先進製程需求快速升溫,包括台積電、聯電、格羅方德(GlobalFoundries)與三星(Samsung)等晶圓代工廠,皆已積極擴充產能。 ...
2012 年 08 月 22 日

爭搶台積電28奈米訂單 格羅方德擴產紐約八廠

格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)近期在28奈米晶圓代工市場布局動作頻頻。在成功自台積電手裡搶得高通(Qualcomm)28奈米晶片訂單後,格羅方德日前再度宣布啟動紐約12吋晶圓八廠(Fab 8)擴產計畫,進一步擴大第一期廠房(Module...
2012 年 08 月 06 日

Rambus、格羅方德完成28奈米矽測試晶片

Rambus與格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)宣布雙方合作開發的兩款獨立記憶體架構式矽測試晶片的成果。第一款測試晶片是專為智慧型手機和平板電腦等行動記憶體應用所設計的解決方案,第二款測試晶片則是專為伺服器等運算主要記憶體應用所設計的解決方案。 ...
2012 年 07 月 30 日

專訪格羅方德先進技術架構主管Subramani Kengeri HKMG成28奈米量產致勝關鍵

趁台積電28奈米(nm)產能供應不及之際,格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)已積極展開搶單攻勢。挾在高介電常數金屬閘極(HKMG)技術豐富經驗,格羅方德已成功拿下超微(AMD)第二代加速處理器(APU)、意法半導體(ST)及多家通訊晶片大廠等九十幾個設計定案(Tape...
2012 年 07 月 12 日

ST委託格羅方德代工28/20奈米FD-SOI晶片

意法半導體(ST)宣布格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)將採用意法半導體獨有的完全空乏型矽絕緣層金氧半電晶體元件(Fully Depleted Silicon-on-Insulator, FD-SOI)技術,為意法半導體生產28奈米和20奈米晶片。 ...
2012 年 06 月 19 日