意法半導體量產PowerGaN元件

意法半導體(ST)宣布量產能夠簡化高效功率轉換系統設計之增強型PowerGaN HEMT(高電子遷移率電晶體)元件。STPOWER GaN電晶體提升了牆插電源轉接器、充電器、照明系統、工業電源、再生能源發電、汽車電氣化等應用的性能。...
2023 年 09 月 26 日

CGD新推第二代ICeGaN HEMT產品

Cambridge GaN Devices(CGD)是一家無晶圓廠無塵技術半導體公司，開發一系列節能的GaN型功率裝置，目標是實現更環保的電子裝置；CGD近日宣布推出第二代的ICeGaN 650V氮化鎵HEMT系列產品，提供耐用性、易於使用及最高效率等特色。...
2023 年 05 月 16 日

CGD ICeGaN透過維吉尼亞理工大學技術論文獲得驗證

Cambridge GaN Devices(CGD)宣布，由維吉尼亞理工大學進行的獨立第三方研究表明，CGD的ICeGaN氮化鎵技術較其他氮化鎵平台更具可靠性及堅固性。在由維吉尼亞理工大學的研究人員與CGD創新與研究總監Daniel...
2023 年 04 月 20 日

專訪英飛凌電源與感測系統事業部大中華區協理陳志星　寬能隙功率元件GaN/SiC大有可為

半導體的應用越來越廣泛，隨著許多領域陸續電氣化，尤其5G、雲端運算、物聯網、電動車等趨勢，而為了提升效率與擴大應用規模，耐高電壓、更低導通電阻與更快切換速度的寬能隙半導體氮化鎵(GaN)、碳化矽(SiC)迅速崛起，Infineon長期投入功率元件的開發，自然在當紅的第三代半導體擁有完整布局。
2021 年 09 月 30 日

意法新增非對稱拓撲產品

為延伸MasterGaN平台的創新優勢，意法半導體(ST)推出之MasterGaN2是新系列雙非對稱氮化鎵(GaN)電晶體的首款產品，亦是一個適用於軟開關有源鉗位元反激拓撲的GaN整合化解決方案。 兩個650V常關型GaN電晶體的導通電阻(RDS(on))分別為150mΩ和225mΩ，每個電晶體皆整合一個最佳化的閘極驅動器，讓GaN電晶體如普通矽元件一般便捷易用。其整合了先進驅動功能和GaN既有的性能優勢，MasterGaN2可進一步提升有源鉗位反激式轉換器等拓撲電路之高效能、小體積和輕量化優勢。...
2021 年 02 月 17 日

英飛凌推出CoolGaN 400V/CoolGaN 600V工業級產品

英飛凌科旗下CoolGaN系列新增兩款產品。CoolGaN 400V開關元件(IGT40R070D1 E8220)專為頂級HiFi音響系統量身打造，可滿足終端使用者對於高解析度聲軌所有細節的要求。 傳統作法上，這項功能需要具備龐大的線性或真空管放大器才能完成。將...
2019 年 11 月 07 日

電源供應市場帶頭衝　GaN功率IC商機超展開

GaN功率半導體，近來無論市場應用或技術進展皆跨入新的發展階段，加上研究機構單體式整合製程的催化，後市可望由電源供應市場逐步壯大。
2019 年 08 月 08 日

推升大功率電源轉換器能效　新GaN功率開關鋒芒畢露

採用GaN HEMT可使電源轉換器的效率增加，對於大功率電源轉換器在能源節省方面有極大助益，並提升終端產品效能。
2019 年 05 月 09 日

矽材料已近物理極限急尋接班　寬能隙GaN表現優異可望出線

使用矽(Silicon)材料的金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)元件於1960年代問世，到了1998年以超接面(Super Junction)技術為主的功率晶體被開始使用，數十年來矽的功率晶體對電子產業的影響甚鉅，但到了今日，矽材料作為功率元件也接近物理開發極限，而相關從業人員早已考量寬能隙材料(Wide...
2019 年 03 月 28 日

(更新)國防/電信驅動RF GaN需求　專利申請戰全面啟動

電信和國防應用推動射頻氮化鎵(RF GaN)蓬勃發展。根據市調機構Yole Développement調查指出，RF GaN產業於2017~2023年間的年複合增長率達到23%。隨著市場不斷地發展，截至2017年底，RF...
2019 年 02 月 19 日
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