邏輯/DRAM齊頭並進 imec展示High-NA EUV圖形化研究成果

比利時微電子研究中心(imec)在荷蘭費爾德霍溫與艾司摩爾(ASML)合作建立的高數值孔徑(High-NA)極紫外光(EUV)微影實驗室中,利用數值孔徑0.55的極紫外光曝光機,發表了曝光後的圖形化元件結構。在單次曝光後,9奈米和5奈米(間距19奈米)的隨機邏輯結構、中心間距為30奈米的隨機通孔、間距為22奈米的二維特徵,以及間距為32奈米的動態隨機存取記憶體(DRAM)專用布局全部成功成形(圖1~圖4),採用的是由imec與其先進圖形化研究計畫夥伴所優化的材料和基線製程。透過這些研究成果,imec證實該微影技術的生態系統已經準備就緒,能夠實現高解析度的High-NA...
2024 年 08 月 14 日

imec/ASML攜手推動高數值孔徑EUV技術發展

比利時微電子研究中心(imec)及艾司摩爾(ASML)近日宣布,雙方計畫在開發最先進高數值孔徑(high-NA)極紫外光(EUV)微影試驗製程的下一階段強化彼此之間的合作。 比利時微電子與ASML簽署合作備忘錄,雙方將共同推動高數值孔徑EUV技術發展...
2023 年 06 月 29 日

先進製程推動EUV需求 ASML加速布局

10奈米及7奈米等先進製程節點帶動極紫外線(EUV)設備持續成長,看好未來潛在商機,半導體設備大廠艾司摩爾(ASML)也加速布局腳步,提升EUV設備出貨量,計畫於2018年達到出貨20台,2019年出貨30台以上EUV設備的目標。...
2018 年 04 月 30 日