TSV助臂力 3D NAND記憶體性能更上層樓

矽穿孔(Through-silicon Via, TSV)將是三維NAND快閃記憶體(3D NAND Flash Memory)效能不斷提升的重要技術。現今NAND快閃記憶體已面臨製程微縮的瓶頸,各家廠商無不戮力開發3D...
2013 年 11 月 11 日

專訪飛索Flash產品行銷總監Touhid Raza 飛索強攻利基嵌入式版圖

飛索(Spansion)正全力搶進單層式儲存型快閃記憶體(SLC NAND Flash)市場。飛索日前推出首款40奈米SLC NAND快閃記憶體方案,正式跨足NAND市場。未來將結合原有的編碼型快閃記憶體(NOR...
2012 年 07 月 09 日

鎖定利基嵌入式應用 飛索SLC NAND搶市

飛索(Spansion)正全力搶進單層式儲存型快閃記憶體(SLC NAND Flash)市場。飛索日前推出首款40奈米SLC NAND快閃記憶體方案,正式跨足NAND市場。未來將結合原有的編碼型快閃記憶體(NOR...
2012 年 06 月 04 日

爾必達破產衝擊 全球DRAM勢力板塊大挪移

日本記憶體大廠爾必達日前無預警宣布破產,不僅為DRAM產業投下一顆震撼彈,更讓韓系記憶體廠有機可乘,特別是已掌握全球DRAM市場45%市占率的三星,將有機會一舉壯大,在2012年取得過半的占有率,讓全球記憶體市場重新洗牌。
2012 年 03 月 19 日

三星/海力士撐住 南韓IC銷售首度超越日本

南韓業者在全球IC市場的銷售額首度贏過日本。市調機構IC Insights公布2011年全球各區域市場IC銷售額排名,其中,北美IC供應商合計銷售金額達1,395億美元,再度蟬聯冠軍寶座;南韓IC業者的總銷售額則為422億美元,以2億美元之差,小勝日本業者,首次站上第二名位置。 ...
2012 年 02 月 07 日

成本低於1美元 2012年SSD取代DRAM

隨著東芝(Toshiba)、SanDisk與三星(Samsung)競相導入20奈米(nm)製程,儲存型快閃(NAND Flash)記憶體價格已下探至每GB達1.1美元,預期至2012年將跌至1美元以下,屆時,固態硬碟(SSD)市場需求將會首度超越動態隨機存取記憶體(DRAM)。 ...
2011 年 10 月 12 日

挑戰全球DRAM大廠 三星擴產牽一髮動全身

三星投入160億美元擴增DRAM及TFT產能的消息一出,在全球各廠間皆造成震撼,而台灣也未能於此役中倖免。如何在三星這頭大獅子的地盤,搶得一線生機,美日台大廠的結盟可能是唯一的選擇,然而未來DRAM產業的大戰,究竟誰能勝出,靜待市場來證明。
2010 年 07 月 01 日