科銳發表新型SiC功率模組

科銳(Cree)發表45毫米(mm)封裝的商用化碳化矽(SiC)六單元(Six-pack)功率模組。在相同矽模組額定電流值下,科銳的六單元碳化矽模組可降低功率損耗達75%,散熱片尺寸可以立即減少70%或提高功率密度50%。新型六單元SiC功率模組能擺脫傳統上對功率密度、效率及成本等設計上的限制,協助設計人員實現高性能、高可靠度及成本更低的功率轉換系統。與尖端技術的矽模組比較起來,1.2千伏特(kV)、50安培(A)的SiC模組所提供的性能等同於額定電流為150安培的矽模組。 ...
2013 年 05 月 20 日

開拓新市場商機 IGBT廠轉攻低電壓應用

IGBT業者正積極搶進600伏特以下的低電壓應用。全球經濟不穩定,加上主要應用市場競爭日益激烈,使得IGBT產業近來成長趨緩。為開創成長新契機,IGBT業者遂致力研發適合低電壓應用領域的新技術與產品方案,甚至朝向12吋晶圓製造發展。
2013 年 05 月 06 日

國際整流器提升IGBT選擇工具效能

國際整流器(IR)提升絕緣閘雙極電晶體(IGBT)選擇工具的效能,藉以優化馬達驅動器、不斷電供應系統(UPS)、太陽能逆變器及焊接等多種應用的設計。   國際整流器亞太區銷售副總裁潘大偉表示,該公司提供一系列IGBT產品,為不同的應用優化逆變器設計。功能更強的線上選擇工具,有助於工程師更迅速輕易比較元件的效能,從而為他們的設計選出最理想的IGBT。 ...
2013 年 03 月 18 日

TI針對IGBT與SiC FET設計推出閘極驅動器

德州儀器(TI)針對絕緣閘雙極電晶體(IGBT)與碳化矽(silicon carbide, SiC)單結型場效應電晶體(FET)的設計,推出業界首款35伏特(V)單通道輸出電源管理閘極驅動器。 ...
2013 年 03 月 06 日

廠商戮力開發新應用 晶片立體堆疊技術未來可期

TSV立體堆疊技術已在各式應用領域當中嶄露頭角。TSV堆疊技術應用於DRAM、FPGA、無線設備等應用上,可提升其效能並維持低功耗,因而獲得半導體廠及類比元件廠的青睞,儘管如此,若要加速TSV技術於市場上應用的速度,仍須仰賴代工廠、IP供應商、EDA廠與封測代工廠的共同合作。
2013 年 02 月 24 日

IR擴充600V溝道超高速IGBT陣容

國際整流器(IR)擴充600伏特(V)絕緣閘雙極電晶體(IGBT)陣容,推出堅固可靠的IRGP4640D、IRGP4650D及IRGP4660D,藉以優化不斷電供應系統(UPS)、太陽能、感應加熱、工業用馬達和焊接應用。 ...
2013 年 02 月 20 日

瑞薩電子光耦合器內建IGBT保護功能

瑞薩電子(Renesas Electronics)發表兩款光耦合器–PS9332L及PS9332L2,均內建絕緣閘雙極性電晶體(IGBT)保護功能,適用於工業機械及太陽能系統等應用。 ...
2013 年 02 月 20 日

快捷陽極短路IGBT提供最佳開關性能

快捷半導體(Fairchild)的高壓場截止陽極短路(Shorted Anode)溝槽式絕緣閘雙極電晶體(IGBT),為設計者提供高效且具有成本效益的解決方案。   ...
2013 年 01 月 30 日

茂矽攜手富鼎先進 開發電動車高功率IGBT

茂矽電子與富鼎先進將合作開發電動車(EV)高功率絕緣閘雙極型電晶體(Insulated Gate Bipolar Transistor, IGBT)元件。茂矽電子與富鼎先進聯合申請的「綠能車用高功率IGBT元件技術開發計畫」日前獲經濟部「業界科專計畫」審議通過,未來茂矽電子、富鼎先進將與工研院電光所進一步合作,透過雷射退火(Laser...
2013 年 01 月 10 日

卡位國際供應鏈 台灣電動車元件商拼轉型

台灣電動車(EV)廠正積極發展關鍵零組件以切入國際大廠供應鏈。面對歐美日電動車供應鏈逐漸成形,且合作關係日益密切,台灣零組件供應商正戮力提升電池、馬達、功率模組等關鍵零組件規格,以符合電動車需求,期在未來進一步透過與歐美日廠商合作,切入國際電動車市場。 ...
2012 年 12 月 28 日

國際整流器IGBT技術平台強攻工業市場

國際整流器(IR)推出新一代絕緣閘雙極電晶體(IGBT)技術平台。全新第八代(Gen8) 1200伏特(V)IGBT技術平台利用IR新一代溝道閘極場截止技術,為工業及節能應用提供卓越的性能。 ...
2012 年 11 月 26 日

IR為家電馬達驅動器擴充IGBT陣營

國際整流器(IR)推出IRGR4045DPbF及IRGS4045DPbF,藉以擴充絕緣閘雙極電晶體(IGBT)陣營。全新600伏特(V)溝槽型超高速IGBT能為洗衣機和冰箱等家電與輕工業馬達驅動應用提升效能及效率。 ...
2012 年 10 月 20 日