瑞薩新款閘極驅動IC用於EV逆變器IGBT/SiC MOSFET

瑞薩電子(Renesas Electronics)宣布推出新款閘極驅動IC，以驅動絕緣閘雙極性電晶體(IGBT)和碳化矽(SiC)MOSFET等用於電動汽車(EV)逆變器高壓功率元件。 閘極驅動IC是EV逆變器的重要元件，在用於控制的MCU與功率放大的IGBT和SiC...
2023 年 02 月 22 日

體積小/重量輕/效能高　IGBT開關速配不斷電系統

絕緣柵雙極晶體管(IGBT)被認為是執行各項電能轉換的出色解決方案，特別適用於不斷電系統(UPS)；UPS在AC電源的電壓出現異常時，供電給AC線路所連接的設備。 5kW UPS的目的是在供電中斷發生時，在備用柴油發電機啟動供電前維持AC電源的電壓。在這種情況下，UPS將啟動，提供數分鐘所需的AC電流，以讓發電機供應所需要的負載電流。...
2023 年 02 月 20 日

提高整合度/引進SiC技術　高效馬達驅控轉動綠色商機

馬達驅動與控制設計面臨新考驗。物聯網(IoT)與電氣化、自動化的發展，使得馬達運用比例不斷攀升；在工業4.0與數位轉型過程中，馬達更扮演著關鍵角色。然而，隨著全球ESG與淨零碳排聲浪高漲，產業界對於馬達運轉效率的要求也愈來愈高，馬達設計已不再是能否作動的問題，而是必須在滿足應用需求規格的前提下，同時兼顧高效率、低成本，以及高準確度和可靠度。...
2022 年 11 月 17 日

準確量測功率轉變　IGBT力降開關/傳導損耗

絕緣柵雙極晶體管(IGBT)的性能和效能可以透過其在導通(ON)和截止(OFF)狀態之間轉換時的開關損耗及傳導損耗來進行量化。典型性能較高的IGBT由同一個半導體封裝中的IGBT和二極體構成。IGBT和二極體都會產生組合損耗，需要考量它們的相互作用。...
2022 年 11 月 14 日

東芝發布智慧閘極驅動光電耦合器

東芝擴大其智慧閘極驅動光電耦合器的產品陣容。該隔離閘極驅動器具有過電流保護功能，適用於MOSFET或IGBT等功率元件。新元件TLP5222是一款2.5A輸出的智慧閘極驅動光電耦合器，擁有內建的保護操作自動恢復功能。產品出貨從即日起開始。...
2022 年 10 月 25 日

升級電源轉換效率　SiC MOSFET降低電磁損耗

超過1,000V電壓的應用通常使用IGBT解決方案。但如今碳化矽(SiC)元件性能卓越，能夠實現快速開關的單極元件，可取代雙極IGBT。這些SiC元件可以在較高的電壓下實施先前只能在較低電壓(<600V)下才可行的應用。與雙極IGBT相比，這些基於SiC的MOSFET可將功率損耗降低多達80%。SiC元件具有更高的系統效率和穩健性，以及更低的系統成本，適用於電信、伺服器、電動汽車充電站和電池組等應用。如果在基於矽的成熟MOSFET技術，和基於SiC的較新MOSFET之間進行選擇，需要考慮多種因素。...
2022 年 09 月 04 日

TI閘極驅動器減少SiC牽引逆變器功率損耗/熱散逸

隨著電動車(EV)製造商之間為了開發成本更低、續航里程更長的車型所進行的競爭日益激烈，電力系統工程師必須設法藉由降低功率損耗和提高牽引逆變器系統效率，來提升續航里程並增加競爭優勢。效率與較低的功率損耗有關，而這會影響熱性能、系統重量、尺寸和成本。降低功率損耗的需求將隨著開發功率更高的逆變器而持續存在，尤其是在這每輛汽車的馬達數量增加以及卡車轉向純電動車發展的現況下。...
2022 年 08 月 15 日

啟動高電壓/高電流功率半導體　脈衝式電源效能步步高

本文說明了絕緣閘極雙極性電晶體(IGBT)、閘極關閉晶體閘流管(GTO)以及晶體閘流管等高功率半導體在脈衝式電源應用中的應用。為了達到所要求的功率水準，像是高功率半導體的堆疊，就需要能啟動高電壓、高電流的條件(圖1)。...
2022 年 07 月 28 日

實現更高效率/更低耗損　SiC功率元件追求零電壓切換

人們普遍認識到碳化矽(SiC)技術如今已發展成熟，並正逐漸改變電力產業在工業、能源和汽車等眾多領域的許多應用，範圍涵蓋功率從瓦特到兆瓦的不同設計。 這主要是因為SiC比以前的矽(Si)和絕緣閘雙極電晶體(IGBT)應用具備了更多優勢，包括更高的開關頻率，較低的工作溫度，更高的電流和電壓範圍，以及更低的損耗，進而能夠實現更高的功率密度、可靠性和效率。而且，由於溫度較低和磁材更小，因此熱管理和功率元件如今尺寸也變得更小、重量更輕、成本更低，不僅降低了整體的物料清單(BOM)成本，也可實現更小尺寸。...
2022 年 07 月 07 日

排除多重技術障礙　SiC MOSFET模組設計上手

功率半導體的並聯分成幾個層級， 最常見的是功率模組內部的晶片層級，這些層級可以達到更高的額定電流。其根據是，晶片只能設計為限定的額定電流，因此需要並聯多個晶片才能達到所需的額定電流。並聯可發生在單獨的模組層級，例如將六開關模組的三個支路並聯，便能建立一個額定電流為單獨支路三倍的半橋模組。另外，也可以採使用多個獨立封裝(例如TO-247)或一起切換的模組的形式，這裡將聚焦在後者的並聯範例。...
2022 年 05 月 16 日

Power Integrations IGBT/SiC模組驅動器提升EV效能

Power Integrations推出SCALE EV該驅動器適用於原創、再製和新型SiC變體，適用目標為電動車輛、混合動力和燃料電池車輛(包括公車和卡車)以及建築、採礦和農業設備的大功率汽車和牽引變頻器。...
2022 年 05 月 12 日

英飛凌新推750V EDT2 IGBT

英飛凌(Infineon)推出採用TO247PLUS封裝的全新EDT2 IGBT。該元件專門針對分立式汽車牽引逆變器進行了優化，進一步豐富了英飛凌車規級分立式高壓元件的產品陣容。得益於其出色的品質，EDT2...
2022 年 03 月 31 日
近期研討會 More
白皮書

【工程師必備收藏】SiC引領能源新革命: 高效儲能與轉換系統設計指南

2024 年 10 月 14 日

【免費下載】解鎖未來智慧車關鍵議題！免費下載《AI智慧車與智慧座艙》白皮書

2024 年 09 月 18 日

【成功案例分享】即刻下載！ROHM使用Siemens Tanner提供一流的dual MOSFET元件

2024 年 05 月 07 日

【熱門白皮書】快來下載！類比混合訊號驗證方法論

2024 年 01 月 31 日

【重磅白皮書】立刻下載！實惠且全面的3D堆疊晶粒元件測試

2024 年 01 月 31 日
重磅專訪

XR產業協會理事長鄭育鎔：智慧頭戴裝置內容為王

2024 年 12 月 09 日

Synaptics總裁兼執行長Michael Hurlston：押寶Edge AI應用擴大台灣布局

2024 年 12 月 04 日

專訪ADI資深區域銷售經理陳曜桎　智慧解決方案賦能AI無極限

2024 年 12 月 03 日

神盾董事長羅森洲：Chiplet/IP擁抱AI轉型

2024 年 12 月 02 日

u-blox CEO Stephan Zizala：數位轉型挑戰AIoT解題

2024 年 11 月 18 日
最新文章

3Q’24全球前十大晶圓代工產值創新高

2024 年 12 月 12 日

宸曜科技支援Tier IV C1/C2 GMSL2車用相機

2024 年 12 月 12 日

xMEMS「氣冷式主動散熱晶片」獲得CES 2025創新獎

2024 年 12 月 12 日

奇景光電/源奇科技發表液晶光學創新技術

2024 年 12 月 12 日

全球製造業大舉南移印度　地緣政治推動新興市場發展(1)

2024 年 12 月 11 日
編輯推薦

挑戰七埃米製程　imec提出雙列CFET結構

2024 年 12 月 09 日

光電交接拉開序幕　生成式AI驅動HPC I/O革命

2024 年 12 月 05 日

掌握技術特性　蕭特基二極體應用更上手(1)

2024 年 12 月 02 日

可程式化移相器問世　光子晶片設計彈性大增(1)

2024 年 11 月 12 日

汽車Tier 1加速三電轉型　ADAS/車聯網齊頭並進(1)

2024 年 11 月 11 日
城邦文化事業股份有限公司版權所有、轉載必究．Copyright(c) 2004 - 2024 Cite Publishing Ltd.