快捷離散式元件/裸片IGBT滿足混合動力與全電動汽車設計

快捷半導體(Fairchild)宣布推出新的車用離散式元件與裸片IGBT與二極體產品，擴大其為混合動力汽車(HEV)、插電式混合動力汽車(PHEV)及電動汽車(EV)提供的車用級半導體解決方案的產品組合。 ...
2016 年 05 月 23 日

盛群新款IGBT Driver IC滿足小家電產品應用

盛群推出HT45B1S IGBT Driver with LDO IC，可應用於小家電電磁爐、微波爐等產品，與使用外接元件相比，該產品可節省外部元件，減少PCB面積及加工成本，適合有驅動IGBT等產品應用。 ...
2016 年 01 月 19 日

貿澤供貨英飛凌TRENCHSTOP 5 S5 IGBT

貿澤(Mouser)宣布供貨英飛凌(Infineon)TRENCHSTOP 5 S5絕緣柵雙極電晶體(IGBT)。此全新系列產品具備1.60 VCE(sat)低典型飽和電壓(於攝氏175度)，即使在高溫運作環境中亦可維持高效率。 ...
2015 年 12 月 18 日

TI閘極驅動器實現更高功率密度

德州儀器(TI)推出新款業界半橋閘極驅動器– UCC27714，此款用於離散式功率MOSFET和絕緣閘雙極電晶體(IGBT)的閘極驅動器工作電壓可高達600V。新產品高側、低側驅動器具有4A源電流和4A汲電流的處理能力，能夠將元件占板面積減少50%，進而在伺服器、電信和不斷電供應系統等工業設計所使用的高頻、離線AC/DC電源中實現更高的功率密度。 ...
2015 年 10 月 16 日

快捷SPM 55系列智慧功率模組獲中國電源產品獎

快捷半導體(Fairchild)宣布，其智慧功率模組技術被「今日電子」(EPC)和21IC選中，獲得其第十三屆年度Top-10電源產品獎。 Fairchild大中華區銷售副總裁賴長青表示，該獎項是業界對FNB51560TD1模組的高效率、多功能性和耐用性，以及對該公司在先進的電源模組和馬達電子中所扮演角色的認可。...
2015 年 10 月 02 日

ROHM量產溝槽構造SiC-MOSFET

羅姆(ROHM)研發出採用溝槽結構的SiC-金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)，並已建立完備的量產體制。與量產中的平面型SiC-MOSFET相比，同一晶片尺寸的導通電阻可降低50%，將降低太陽能發電用功率調節器和工業設備用電源、工業用變流器等所有相關設備的功率損耗。 ...
2015 年 08 月 17 日

ST絕緣閘極雙極性電晶體具低導通及關斷耗損

意法半導體(ST)推出S系列1200伏特(V)絕緣閘極雙極性電晶體(IGBT)。當開關頻率達到8kHz時，新系列的雙極元件擁有較低的導通及關斷耗損，提升不間斷電源、太陽能發電、電焊機、工業馬達驅動器等相關設備的電源轉換效率。 ...
2015 年 07 月 01 日

英飛凌全新封裝IGBT電流高達120安培

英飛凌(Infineon)推出TO-247PLUS封裝絕緣閘雙極電晶體(IGBT)，為旗下高功率應用的獨立IGBT產品再添新兵。新封裝可納入電流達120安培(A)的IGBT與全額定電流二極體，且尺寸不變，腳位與符合JEDEC標準的TO-247-3相容。 ...
2014 年 12 月 08 日

威世針對太陽能逆變器推出IGBT模組

威世(Vishay)近期推出四款新型絕緣閘雙極電晶體(IGBT)電源模組。此四款電源模組專用於太陽能串列逆變器及中階功率不斷電電源供應器(UPS)等架構。 新款整合方案可協助設計者縮短產品上市的時間並有效提升系統整體效能。在中性點箝位(NPC)架構中，VS-ENQ030L120S提供1200伏特(V)，集極到射極(Collector-to-emitter)的崩潰(Breakdown)耐壓，與30安培(A)的額定耐電流。 ...
2014 年 12 月 08 日

收購國際整流器　英飛凌壯大功率半導體版圖

英飛凌(Infineon)日前豪擲30億美元購併國際整流器(IR)，創下該公司有史以來最高收購金額，藉此接收國際整流器先進的氮化鎵(GaN)、絕緣閘雙極性電晶體(IGBT)等功率半導體產品線、核心技術及銷售通路，強化在各種功率半導體應用領域的市場地位。 ...
2014 年 08 月 22 日

強化功率模組可靠性　功率循環/量測系統挑大樑

在可預見的將來，功率電子元件的使用將持續不斷的增加。任何需要電力變換、轉換或控制等功能都須使用各種形式的功率電子元件。現今功率電子元件已廣泛應用於各種不同的行業(圖1)。灰色圓圈所代表的是需要使用功率模組的行業，如汽車業(電動車、混合動力車、燃料電池車等其他輪式車)、可再生能源業(太陽能逆變器、風力發電機、太陽能電站、衛星太陽能面板)、鐵路設施(引擎元件、牽引控制系統)及高階馬達驅動器。這些功率電子元件一般由多種絕緣閘雙極性電晶體(IGBT)或金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)組成。
2014 年 08 月 16 日

英飛凌650V IGBT切換耗損減少30%

英飛凌(Infineon)針對諧振應用擴充最新一代逆導絕緣閘雙極性電晶體(IGBT)，內建單片整合RC二極體的全新650伏特(V)產品，使高效能RC-H5產品系列可以運用於更廣泛的應用範圍。全新離散式RC-H5...
2014 年 06 月 18 日
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