IR擴充600V節能溝道IGBT系列

國際整流器(IR)擴充節能600伏特(V)絕緣閘雙極電晶體(IGBT)系列,並提供多種封裝選擇。IRxx46xx元件系列為從小型馬達及低負載產品,以至工業應用的完整功率應用範圍作出優化,包括不斷電供應系統(UPS)、太陽能、感應加熱、工業用馬達和焊接應用。 ...
2014 年 05 月 21 日

強攻綠色能源商機 明導首款工業電源測試儀亮相

瞄準電動車、風力發電等綠色能源應用對於功率電子元件可靠性測試需求日益高漲,明導國際(Mentor Graphics)日前發布首款工業電源測試儀,能讓功率電子元件製造商於同一台機器中,同時完成功率循環和暫態熱特性量測,且毋須從測試環境中移除功率電子元件,大幅縮短測試時間。 ...
2014 年 05 月 14 日

IR高速IGBT電壓範圍擴充至1400V

國際整流器(IR)推出高速1,400伏特(V)溝槽型絕緣閘雙極電晶體(IGBT)IRG7PK35UD1PbF,新元件優化電磁爐及微波爐等軟開關產品。 IR亞太區銷售副總裁潘大偉表示,IRG7PK35UD1PBF憑藉IR的1,400伏特場截止溝槽型技術,把感應加熱及軟開關產品內的導通和開關損耗減低,進而提升系統可靠性。 ...
2014 年 03 月 24 日

專訪NI自動化測試東亞區行銷技術經理張天生 PXI SMU加速高功率元件量測

PXI模組化電源量測單元(SMU)儀器問世。高亮度發光二極體(LED)、絕緣閘雙極性電晶體(IGBT)、金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)等需要SMU輸出瞬間高瓦數的電源進行量測,然高瓦數的SMU往往價格昂貴,有鑑於此,美商國家儀器(NI)發布新一代PXI模組化SMU儀器,助力客戶大幅降低測試成本。
2014 年 03 月 17 日

專訪快捷半導體首席技術長Dan Kinzer SiC功率元件擴張應用版圖

為改善過去採用矽(Si)材料開發的功率元件無法耐高溫環境、低承受電壓值等缺陷,快捷半導體(Fairchild)已改用碳化矽(SiC)材料量產雙極接面電晶體(BJT),且持續開發出新一代產品,準備大舉插旗太陽能裝置、風能、輕軌牽引(Rail...
2014 年 01 月 06 日

鎖定大功率轉換應用 快捷強推SiC功率元件

為改善過去採用矽(Si)材料開發的功率元件無法耐高溫環境、低承受電壓值等缺陷,快捷半導體(Fairchild)已改用碳化矽(SiC)材料量產雙極接面電晶體(BJT),且持續開發出新一代產品,準備大舉插旗太陽能裝置、風能、輕軌牽引(Rail...
2013 年 12 月 27 日

快捷發表1200V場截止溝道IGBT系列開關

快捷半導體(Fairchild)推出1,200伏特(V)場截止溝道絕緣閘雙極性電晶體(IGBT)系列產品。全新的IGBT系列瞄準硬開關工業應用,如太陽能逆變器、不斷電系統(UPS)及焊機電源,將幫助電源工程師們的設計實現更高的效率及可靠性。 ...
2013 年 12 月 10 日

安華高推出車用智慧型閘極驅動光耦合器

安華高(Avago)宣布推出一款新2.5安培(A)汽車用智慧型閘極驅動光耦合器–ACPL-32JT,帶來汽車動力系統中的電源隔離,此產品內建飛返控制器,支援穩壓輸出,以及可滿足汽車安全功能要求的完整防失效絕緣閘雙極性電晶體(IGBT)診斷、保護與錯誤回報功能。ACPL-32JT非常適合汽車動力系統牽引逆變器、電源轉換器、電池充電器、空調以及油泵馬達驅動等電動車(Electric...
2013 年 10 月 22 日

快捷拓展PSW線上設計工具模組功能

快捷半導體(Fairchild)增強Power Supply WebDesigner(PSW)線上設計及模擬工具的功能,協助客戶在1分鐘內設計出完整的方案,包含動力傳動離散金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)/絕緣閘雙極性電晶體(IGBT)/整流器)元件功率損失及效率分析工具。 ...
2013 年 10 月 04 日

快捷高電壓IGBT榮獲年度電源產品獎

快捷半導體(Fairchild)的高電壓場截止陽極短路溝槽式絕緣閘雙極性電晶體(IGBT)榮獲《今日電子》雜誌主辦的年度十大直流對直流電源產品獎,此為快捷半導體第七次榮獲此獎項,該類獎項認可在性價比以及理解市場需求方面取得的理想成績。 ...
2013 年 09 月 25 日

提升IGBT特性分析功能 線上工具加速功率級設計

為讓電子產品設計人員在最短時間內,完成新一代絕緣閘雙極電晶體(IGBT)元件特性評估作業,功率半導體業者研發出更精密的線上設計工具,不僅能提供溫度和頻率等重要應用參數分析功能,更可協助工程師挑選出最適合的解決方案,提升功率級設計效率。
2013 年 08 月 15 日

PV逆變器應用增溫 SiC功率元件後勢看漲

碳化矽(SiC)功率元件正快速在太陽能(PV)逆變器應用市場攻城掠地。SiC功率元件具高頻和耐高溫特性,不僅可較傳統矽功率半導體,提供更高的電源轉換效率,更可減少所需的電容和感測器數量,已吸引愈來愈多太陽能逆變器製造商青睞。
2013 年 06 月 24 日