3D NAND邁向千層堆疊 imec超前布署改良型結構(2)

憑藉著性價比極高的優勢,NAND Flash成為目前最主流的儲存裝置之一。目前最先進的NAND Flash均採用3D堆疊結構,但若要持續堆疊更多層NAND Flash,在電晶體結構設計上需要更多創新。...
2023 年 08 月 28 日

雲端/AI應用頻寬需求孔急 矽光子技術將成重中之重(1)

為了滿足傳輸大量資料所衍生的頻寬需求,光通訊技術在近十年有非常大的進展。人工智慧(AI)與機器學習(ML)應用的興起,將使光通訊元件必須進一步微縮到能直接與晶片整合的程度,以進一步降低延遲與成本。這也使得矽光子將成為半導體領域不可或缺的核心技術。...
2023 年 06 月 29 日

雲端/AI應用頻寬需求孔急 矽光子技術將成重中之重(2)

為了滿足傳輸大量資料所衍生的頻寬需求,光通訊技術在近十年有非常大的進展。人工智慧(AI)與機器學習(ML)應用的興起,將使光通訊元件必須進一步微縮到能直接與晶片整合的程度,以進一步降低延遲與成本。這也使得矽光子將成為半導體領域不可或缺的核心技術。...
2023 年 06 月 29 日

imec/ASML攜手推動高數值孔徑EUV技術發展

比利時微電子研究中心(imec)及艾司摩爾(ASML)近日宣布,雙方計畫在開發最先進高數值孔徑(high-NA)極紫外光(EUV)微影試驗製程的下一階段強化彼此之間的合作。 比利時微電子與ASML簽署合作備忘錄,雙方將共同推動高數值孔徑EUV技術發展...
2023 年 06 月 29 日

為10奈米以下線寬鋪路 imec發表超低電阻合金研究成果

在近日舉行的2023年IEEE國際內連技術會議(IITC)上,比利時微電子研究中心(imec)展示其實驗成果,首次證實導體薄膜的電阻在12吋矽晶圓上,可超越目前業界使用的金屬導線材料銅(Cu)和釕(Ru)。例如,厚度為7.7奈米的鎳鋁二元合金在經過晶粒工程後,可測得的最低電阻為11.5µWcm。這些研究成果是在線寬10奈米以下實現低電阻互連技術的里程碑。...
2023 年 05 月 26 日

格羅方德、三星與台積電加入imec永續半導體計畫

比利時微電子研究中心(imec)宣布,格羅方德(GlobalFoundries)、三星(Samsung)與台積電已加入其永續半導體技術與系統(SSTS)研究計畫。SSTS計畫於2021年啟動,集結了整個半導體業的關鍵要角,包含系統商、設備供應商及最新加入的三家國際晶圓大廠,以協助晶片價值鏈降低對生態的影響。...
2023 年 05 月 17 日

高光譜成像技術出現重要進展 顯微手術再添利器

過去幾十年來,外科手術歷經了重大變革。其中一項備受矚目的發展是顯微手術的出現。這項特別重大的進展運用手術顯微鏡,不僅提供手術區放大作用,也讓手術更精準。這些顯微鏡在結合新型相機後,就能真正地「突破肉眼的視野極限」。...
2023 年 04 月 10 日

讓半導體製程更加環境友善 imec發表量化評估方案

日前由國際光學工程學會(SPIE)舉辦的2023年先進微影成形技術會議(2023 Advanced Lithography and Patterning Conference)上,比利時微電子研究中心(imec)展示了一套先進IC圖形化製程的環境影響量化評估方案,並在imec.netzero模擬平台上開發了一座虛擬晶圓廠。利用該平台的分析結果,imec與其夥伴就能評估現有的製程方案,識別開發的重點領域,並推算未來數據。imec在其實體晶圓廠探索各式高影響力(high...
2023 年 03 月 17 日

imec發表創新PLL技術 奠定140GHz雷達應用基礎

日前舉行的2023年國際固態電路會議(ISSCC)上,比利時微電子研究中心(imec)展示一款採用數位校正與充電幫浦技術的創新鎖相迴路(PLL),能以低功耗產生高品質的調頻連續波(FMCW)訊號,滿足毫米波雷達應用。該電路是未來短距雷達應用的重要構件,包含車內與車外感測器,以及協作機器人感測器等。...
2023 年 02 月 23 日

imec高光譜成像鎖定腫瘤活體細胞偵測

由國際光電工程學會(SPIE)舉辦的美西光電展(Photonics West)於近日展開,比利時微電子研究中心(imec)在生醫光學與生醫光電(BiOS)展區提出了活體偵測低級神經膠質細胞(LGG)的醫療影像分析解決方案,有望早期發現生長速度較慢的腦瘤。這項創新技術整合了imec開發的SNAPSCAN...
2023 年 02 月 02 日

電源/訊號網路分道揚鑣好處多 晶背供電將成大勢所趨

晶片供電網路(Power Delivery Network, PDN)的設計目標是以最高效率為晶片上的主動元件提供所需的電源(VDD)與參考電壓(VSS)。一直以來,業界都是利用後段製程(BEOL),在晶圓正面布線,透過這些低電阻的導線來供應電力給晶片(圖1)。但也因為如此,晶片內的供電網路與訊號網路(即晶片內的訊號線)必須共用相同的元件空間。...
2022 年 12 月 19 日

imec展示最新介面氧化技術 鐵電記憶體性能再升級

比利時微電子研究中心(imec)於近日舉行的2022年IEEE國際電子會議(IEDM)上,展示了一款摻雜鑭(La)元素的氧化鉿鋯(HZO)電容器,不僅將循環操作次數提高到1011次,同時具備更佳的電滯曲線,喚醒效應亦有所改善。此次能夠實現鐵電電容的多項性能升級,關鍵在於介面氧化工程技術。這項鐵電電容技術具備高性能、微縮能力與CMOS相容性,將是實現新一代嵌入式與獨立式鐵電隨機存取記憶體(FeRAM)應用的關鍵。...
2022 年 12 月 08 日