NAND遭逢25奈米難關 美光整合ECC化疑慮

隨製程技術下探25奈米,儲存型快閃(NAND Flash)記憶體將面臨讀寫次數短縮的問題,必須提升錯誤碼修正(ECC)能力來化解疑慮。對此,美光(Micron)提出不同產品設計架構,將自行開發的ECC晶片與NAND...
2010 年 12 月 20 日
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