TI發布三款新型高壓放大器

德州儀器(TI)近日推出了三款兼具高速和高精密度的新型放大器,可讓設計人員為誤差敏感型應用創造更準確的電路。新裝置支援各項經由測試與量測、醫療和資料採集系統所輸入的訊號進行更精確的量測和更快的處理。 設計人員可選擇符合其系統需求的放大器架構,其輸入電壓、頻寬及其重要特性如下,OPA2810:27V結閘極場效應電晶體(JFET)輸入雙運算放大器(Op...
2018 年 06 月 25 日

專訪快捷亞太區市場行銷副總裁藍建銅 快捷SiC BJT搶進高瓦數應用市場

快捷(Fairchild)正式加入碳化矽(SiC)功率半導體元件戰局。繼科銳(Cree)、英飛凌(Infineon)、羅姆(Rohm)、意法半導體(ST)等半導體大廠後,快捷首款SiC功率半導體元件--雙極電晶體(BJT)亦預定於2013年導入量產,將與其他SiC功率半導體供應商爭食5kW以上高瓦數應用市場大餅。
2012 年 12 月 03 日

插旗5kW以上應用版圖 快捷SiC BJT上陣

快捷(Fairchild)正式加入碳化矽(SiC)功率半導體元件戰局。繼科銳(Cree)、英飛凌(Infineon)、羅姆(Rohm)、意法半導體(ST)等半導體大廠後,快捷首款SiC功率半導體元件–雙極電晶體(BJT)亦預定於2013年導入量產,將與其他SiC功率半導體供應商爭食5kW以上高瓦數應用市場大餅。 ...
2012 年 11 月 21 日

下世代功率半導體競技賽開打 GaN/SiC爭搶主流寶座

基於GaN與SiC材料的新世代功率半導體技術之間的戰火,近期再度升溫,尤其在首款SiC功率半導體商品成功問世後,更讓SiC技術聲勢大漲;面對SiC技術急起直追,已推出低電壓功率產品的GaN陣營亦不甘示弱,正積極朝向更高電壓市場邁進。
2011 年 05 月 30 日

快捷半導體導入碳化矽技術開發創新產品

全球高性能電源和可攜式產品供應商快捷半導體(Fairchild Semiconductor)日前宣布收購碳化矽(SiC)功率電晶體企業TranSiC,以擴展其技術領先地位。此舉使其可在超廣溫度範圍下有出色性能,以及優於金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)和接面場效電晶體(JFET)技術卓越性能的雙極SiC電晶體技術。 ...
2011 年 04 月 28 日

商用進展邁大步 SiC功率半導體前景看俏

繼科銳(Cree)於今年1月中發表業界首款商用碳化矽(SiC)功率金屬氧化物半導體場效電晶體(Power MOSFET)後,快捷(Fairchild)日前也宣布收購TranSiC,正式跨入碳化矽功率半導體領域;此外,包爾英特(...
2011 年 04 月 26 日

亞德諾推出新款精密JFET輸入運算放大器

亞德諾(ADI)正式發表一款精巧的36伏特精密接面場效電晶體(JFET)輸入運算放大器(Op Amp),該元件在最寬廣的溫度範圍內具有較低的雜訊與失真度。19MHz的ADA 4627 JFET輸入運算放大器在攝氏25度下具有5微微安培(pA)的最大偏壓電流及在40~+85℃的工業溫度範圍內最大500微微安培,比同級的JFET輸入放大器低了十倍之多。ADA...
2009 年 09 月 10 日