滿足製程微縮需求 多孔低介電材料重要性日增

低介電材料(ILD)被用於電子設備的後端系統整合已有十多年的歷史。這些薄膜已經從細密的、單一前驅物的摻碳氧化物,進化到多孔的、架構前身和多孔的摻碳氧化物,或多孔的low-k薄膜(圖1)。為了降低介電常數k至2.5~2.6之間,孔隙率的提升是必要的,這是目前已經量產(HVM)的多孔low-k薄膜之現狀。
2021 年 06 月 14 日

挑戰DRAM製程微縮關卡 應材發表三項新技術

在全球經濟數位轉型的帶動下,DRAM的市場需求不斷創造新高。但由於DRAM製程微縮比邏輯電路製程更早遇到瓶頸,故DRAM業界迫切需要新的材料與技術突破,方可繼續縮小DRAM晶片尺寸,進而減少成本,同時以更高的速度和更低的功耗運作。為協助記憶體產業攻克DRAM製程微縮的技術天險,美商應材(Applied...
2021 年 05 月 12 日