盛美拓展立式爐半導體設備 支援邏輯/記憶體/功率元件應用

盛美半導體設備日前宣布,為其不斷發展的300mm Ultra Fn立式爐幹法製程設備產品系列,增加了以下半導體製造製程:非摻雜的多晶矽沉積、摻雜的多晶矽沉積、柵極氧化物沉積、高溫氧化和高溫退火。 盛美先前已發布了應用於氧化物、氮化矽(SiN)低壓化學氣相沉積(LPCVD)和合金退火製程功能的立式爐系統,基於該可配置的立式爐平臺,盛美開發了上述新功能。支援這些新應用的立式爐設備現已交付或預計陸續於2021年上半年內交付到用戶端。...
2021 年 04 月 08 日

改用多晶矽鍺閘 p通道MOS開關時間縮短

多晶矽鍺閘MOSFET的下降時間與開關性能,較多晶矽閘更具競爭力,為縮減p通道MOSFET的開關時間,產業界已開始以多晶矽鍺閘取代傳統的多晶矽閘。不過,多晶矽鍺雖具發展潛力,卻面臨蝕刻效率和製程控制的複雜考驗,為廠商須克服的首要難題。
2012 年 03 月 12 日