打通量產關鍵環節 高功率LPP光源加速EUV商用

EUV微影預計將在後193奈米浸潤式微影技術時代,成為關鍵尺寸成像的解決方案,而高功率LPP光源系統則是實現EUV微影商用的重要條件;藉由超過400瓦輸出功率的LPP光源,可滿足光阻劑靈敏度等各方面的製程需求,並進一步抑制光學元件的退化。
2011 年 12 月 29 日

先進製程競爭加劇 EUV提前商用有譜

受到邏輯晶圓廠與儲存型快閃(NAND Flash)記憶體製造商大舉加碼先進製程的激勵,微影(Lithography)掃描機大廠艾司摩爾(ASML)與極紫外光(EUV)雷射光源供應商西盟(Cymer)均已緊鑼密鼓展開量產用EUV微影掃描機台的相關研發工作,預計2012年可望率先用於22奈米製程節點的商用生產。 ...
2010 年 12 月 13 日