富士通發表高密度4Mb ReRAM

富士通(Fujitsu)近期發表高密度4 Mbit可變電阻式記憶體(ReRAM)產品MB85AS4MT。此產品為富士通與松下電器合作開發之首款ReRAM產品。 MB85AS4MT為SPI介面的ReRAM產品,能在1.65至3.6伏特電壓下運作,並於最高時脈5MHz的讀取操作下,僅需0.2mA的平均消耗電流。此全新產品適用於需要電池供電之穿戴式及醫療裝置,例如助聽器等需要高記憶體密度,且低功耗的電子裝置。 ...
2016 年 11 月 10 日