Littelfuse推出超級結X4-Class 200V功率MOSFET

Littelfuse宣布推出IXTN400N20X4和IXTN500N20X4超級結X4-Class功率MOSFET。 這些新元件在目前200V X4-Class超級接面MOSFET的基礎上進行擴展，有些具有最低導通電阻。這些MOSFET具有高電流額定值，設計人員能夠用來取代多個並聯的低額定電流元件，從而簡化設計流程，提高應用的可靠性和功率密度。此外，SOT-227B封裝的螺絲安裝端子可確保安裝堅固穩定。...
2024 年 11 月 29 日

Littelfuse推出雙5安培低壓側MOSFET柵極驅動器

Littelfuse宣布推出IX4341和IX4342雙5安培低壓側MOSFET閘極驅動器。這些閘極驅動器專為驅動MOSFET而設計，透過增加其餘兩個邏輯輸入版本來完善了現有的IX434x驅動器系列。IX434x系列現在包括雙路同相、雙路反相以及同相和反相輸入版本，為客戶提供了全面的選擇。...
2024 年 09 月 23 日

ROHM全新車電Nch MOSFET具備低導通電阻優勢

羅姆(ROHM)推出具備低導通電阻優勢的車電Nch MOSFET「RF9x120BKFRA」、「RQ3xxx0BxFRA」、「RD3x0xxBKHRB」。新產品適用於車門鎖和座椅調節裝置等馬達以及LED頭燈等應用。目前3種封裝共10種型號的新產品已經開始銷售，未來還會繼續擴大產品陣容。...
2024 年 08 月 26 日

低耗損MOSFET 為AI資料中心節能　解決散熱/省電挑戰

在加密貨幣和人工智慧/機器學習(AI/ML)等新興應用的驅動下，資料中心的耗能巨大，並將快速成長以滿足用戶需求。根據國際能源署(IEA)的最新報告，2022年資料中心的耗電量將達到460 太瓦時(TWh)，約占全球總用電量的2%。其中，美國擁有全球三分之一的資料中心，耗電量為260...
2024 年 08 月 20 日

監控電路提高系統可靠性　優化系統電源迴圈設計(1)

  在無線收發器等應用中，由於系統一般設置於偏遠地區，因此通常由電池供電。由於鮮少有人能前往現場進行人為介入，此類應用必須持續運行。系統持續無活動或中斷後，需要重置系統以恢復操作。為了實現系統重置，可以切斷電源電壓，斷開系統電源，然後再次連接電源以重啟系統。本文將探討使用何種方法和技術，透過可監控電路的低位準有效輸出驅動高側輸入開關，進而執行系統電源迴圈。...
2024 年 06 月 21 日

監控電路提高系統可靠性　優化系統電源迴圈設計(2)

監控電路透過監測電源電壓和/或使用看門狗計時器，檢測是否存在脈衝後，便可輕鬆感測系統是否處於不活動狀態。一旦檢測到不活動狀態，看門狗計時器就會置位復位輸出，該輸出通常是低位準有效訊號。 (承前文)當一段時間(看門狗逾時tWD)內並未檢測到脈衝或變化時，看門狗輸出(WDO)將轉為低位準。具有看門狗計時器的監控電路如MAX16155...
2024 年 06 月 21 日

強茂推出高效能60V/100V/150V車規級MOSFET系列

強茂推出最新的60V、100V和150V車規級MOSFET，此系列專為汽車和工業電力系統設計提供優異性能和效率。採用先進溝槽技術設計，與傳統標準溝槽設計相比，為60V MOSFET的品質因數(FOM)減少68%、100V減少41%、150V則減少了53%，且顯著降低電容，確保了最低的導通和開關損耗，進而提升了整體性能。...
2024 年 06 月 07 日

氣相層析感測器環境監控立功　污染物排放無所遁形

在環保領域中，排放廢氣的監控扮演重要角色。因為工業廢棄物中含有一些揮發性有機化合物可能釋放到大氣，而危害自然環境與人類健康。 儘管各界將目光聚焦於環境監控以減少這些有害氣體的排放，但傳統感測器系統並無法因應各界目前對於速度與準確度的要求。更有甚者，環境監視系統的功能還需要進一步增強來達到高精密度的要求。本文將概述各種新興氣相層析技術，以及目前市場上可取得的解決方案。...
2024 年 05 月 13 日

英飛凌推出OptiMOS 6 200V MOSFET

英飛凌(Infineon)推出OptiMOS 6 200V MOSFET產品系列，使馬達驅動應用取得了飛躍性的進展。全新產品組合將為電動摩托車、微型電動車和電動堆高機等應用提供出色的性能。 新款MOSFET產品的導通損耗和開關性能都更加優化，降低了電磁干擾(EMI)和開關損耗，有益於用於伺服器、電信、儲能系統(ESS)、音訊、太陽能等用途的各種開關應用。此外，憑藉寬安全工作區(SOA)和優秀的RDS(on)，該產品系列適合電池管理系統等靜態開關應用。全新推出的英飛凌OptiMOS...
2024 年 04 月 01 日

確保碳化矽電源系統可靠度　元件溫度不宜超過鋁熔點

碳化矽功率元件的本質載子濃度(ni)在室溫下非常低，約在1X10-9cm-3，當溫度上升到超過1,200℃時，才會趨近於磊晶背景的濃度。當元件溫度升高到這個水準，由於本質載子濃度與摻雜濃度相近，碳化矽功率元件的特性將消失，造成其無法正常工作，進而可能發生熱跑脫(Thermal...
2024 年 01 月 11 日

ROHM推出小型封裝600V耐壓Super Junction MOSFET

羅姆(ROHM)推出採用SOT-223-3小型封裝(6.50mm×7.00mm×1.66mm)的600V耐壓Super Junction MOSFET「R6004END4/R6003KND4/R6006KND4/R6002JND4/R6003JND4」，適用於照明用小型電源、泵浦和馬達等應用。...
2023 年 12 月 18 日

SiC低耗損提升UPS效率

許多交流電源供電的關鍵應用均配有不斷電系統(UPS)，以便在完全斷電時，UPS能夠作為臨時電源，確保供電電壓保持在規格範圍內，這對於負載容易受電源電壓突降或波動影響的情況尤為重要。UPS有兩種類型，線上式和離線式(圖1)。線上式UPS是首選方法，因為它能夠在需要時從電網供電無縫切換到電池供電。此類UPS從電網接收輸入功率，並將輸出供應給負載，通常是資料中心中的伺服器或工廠生產線上的關鍵設備。...
2023 年 11 月 09 日
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