ROHM開發車電超小型MOSFET RV4xxx系列

半導體製造商ROHM研發出1.6mm×1.6mm尺寸超小型MOSFET「RV4xxx 系列」,該系列產品可確保零件安裝後的可靠性,且符合車電產品可靠性標準 AEC-Q101,是確保車規級品質的高可靠性產品。此外,該系列採用了ROHM...
2019 年 08 月 01 日

儒卓力提供英飛凌OptiMOS功率MOSFET

英飛凌的OptiMOS 3和5是同類最佳(BiC)的功率MOSFET,採用節省空間的SuperSO8封裝,與先前型號相比,具有更高的功率密度和穩健性,讓系統成本得以降低,而整體性能也得以提升。客戶可以到儒卓力電子商務平台www.rutronik24.com瞭解有關OptiMOS...
2019 年 07 月 31 日

選用本體二極體 LLC拓撲反向恢復快又穩

在當前全球能源危機的影響下,提升電子裝置的效能,取得高性能同時降低功耗,成為產業關注的焦點。為順應這一趨勢,世界上許多電子廠商希望在產品規格中提升效能標準。在電源管理方面,若使用傳統的硬開關轉換器是很難達到新的效能標準。因此,電源設計者已將開發方向轉向軟開關拓撲,以提升電源表現,以達到更高的工作頻率。
2019 年 07 月 04 日

採用額外肖特基二極體 有效減少電壓干擾

同步降壓轉換器相較非同步開關穩壓器具更高的電壓轉換效率,但也更容易產生干擾。為解決此問題,在MOSFET插入額外的肖特基二極體可以有效地減少此類干擾。
2019 年 06 月 11 日

PI公布整合有900 V MOSFET的全系列切換開關IC

Power Integrations(PI)宣佈推出整合了900 V一次側MOSFET的離線式切換開關IC系列。最新推出的裝置包括適用於高效率、隔離返馳式電源供應器和簡易非隔離降壓式轉換器的IC。應用包括高達480...
2019 年 05 月 28 日

推升大功率電源轉換器能效 新GaN功率開關鋒芒畢露

採用GaN HEMT可使電源轉換器的效率增加,對於大功率電源轉換器在能源節省方面有極大助益,並提升終端產品效能。
2019 年 05 月 09 日

ROHM推出內建1700V SiC MOSFET AC/DC轉換IC

半導體製造商ROHM針對大功率通用變流器、AC伺服器、工業用空調、街燈等工控裝置,研發出內建1700V耐壓SiC MOSFET的AC/DC轉換器ICBM2SCQ12xT-LBZ。 BM2SCQ12xT-LBZ是世界首款內建高度節能性的SiC...
2019 年 05 月 06 日

英飛凌推出全新OptiMOS 6系列具備優異切換效能

英飛凌科技推出全新OptiMOS 6系列,為分立式功率MOSFET技術奠定新技術標準。新產品系列採用英飛凌薄晶圓技術,提供顯著的效能優勢,並涵蓋寬廣的電壓範圍。全新40 V MOSFET系列已針對SMPS的同步整流進行最佳化,適用於伺服器、桌上型電腦、無線充電器、快速充電器及ORing電路。...
2019 年 04 月 15 日

ROHM推出600V耐壓超接合面MOSFET PrestoMOS

ROHM推出600V耐壓超接合面MOSFET「PrestoMOS」系列產品,在保持業界最快反向恢復時間的同時,提高設計靈活度,非常適用於空調、冰箱等生活家電的馬達驅動以及EV充電樁,而該「R60xxJNx系列」產品群於近期又新增共30種機型。...
2019 年 04 月 11 日

發揮長期隔離能力 閘極驅動器功率極限再進化

隨著Si-MOSFET/IGBT不斷改良,以及氮化鎵和碳化矽技術的推出,功率轉換器/逆變器的功率密度也跟著提升。本文將探討藉由對IGBT/MOSFET電源開關進行破壞性檢測,分析閘極驅動器的隔離耐受能力。
2019 年 04 月 11 日

資通訊軟硬體技術加持 電動車效能改善上軌道

電動車趨勢帶動傳統車廠、新興純電動車廠、Tier 1車廠、通路商、零組件或資通訊系統廠商,積極布局與發展相關解決方案。電動車半導體元件使用數量持續增加,挑選有潛力的系統/技術布局,將會找到下一個百年成長契機。
2019 年 04 月 08 日

矽材料已近物理極限急尋接班 寬能隙GaN表現優異可望出線

使用矽(Silicon)材料的金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)元件於1960年代問世,到了1998年以超接面(Super Junction)技術為主的功率晶體被開始使用,數十年來矽的功率晶體對電子產業的影響甚鉅,但到了今日,矽材料作為功率元件也接近物理開發極限,而相關從業人員早已考量寬能隙材料(Wide...
2019 年 03 月 28 日