凌力爾特降壓轉換器可供400mA連續輸出電流

凌力爾特(Linear Technology)近日發表具備140伏特(V)輸入功能的高效率降壓轉換器–LTC7138。該轉換器可提供高達400毫安培(mA)的連續輸出電流；操作於4～140伏特的輸入電壓範圍，適用於廣泛的電信、工業、航空電子和汽車應用。 ...
2015 年 02 月 10 日

凌力爾特負輸入同步PWM控制器具20A輸出電流

凌力爾特(Linear Technology)日前發表可進行負至負或負至正DC-DC轉換的同步脈衝寬度調變(PWM)控制器–LT8709。 新元件可針對系統接地端解決調節負電壓的問題，不需複雜的移位電路，其同步操作可透過高效率的P通道金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)來取代輸出二極體，以達到更高輸出電流(高達20安培(A))，同時不需中至高功率應用中通常所需的散熱片，使LT8709可用於廣泛的電源設計；還可配置為降壓、升壓、升降壓及負壓架構，因此可針對廣泛的電源設計提供多樣化方案。 ...
2015 年 01 月 28 日

可調式高電壓轉換器奧援　行動裝置實現快速充電

行動裝置搭載大尺寸、高畫質螢幕已是大勢所趨，產品製造商無不積極採納新的快速充電方案以延長電池使用壽命。新型混合可調式高電壓轉換器可辨識系統電壓需求，彈性調升輸出電壓至9伏特或12伏特，因而能顯著縮短電池充電速度。
2015 年 01 月 26 日

英飛凌推出RGB LED照明/直流馬達控制擴充板

英飛凌(Infineon)針對Arduino設計社群推出兩款擴充板–RGB LED照明擴充板/直流馬達控制擴充板。 據了解，兩款擴充板均相容於Arduino Uno R3，並可使用內建XMC1000系列32位元微控制器(MCU)的啟動套件。Arduino專用RGB...
2014 年 12 月 29 日

提高數位電源功率密度　GaN MOSFET應用受矚目

氮化鎵(GaN)金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)漸露鋒芒。為提升數位電源系統單位功率密度(Power Density)，包括德州儀器(TI)等電源晶片大廠已全力投入GaN MOSFET的應用效能研究。現階段，GaN...
2014 年 12 月 23 日

凌力爾特發表20A降壓μModule穩壓器

凌力爾特(Linear Technology)日前發表20安培(A)DC-DC降壓μModule(微型模組)穩壓器–LTM4639。新元件能以最佳效率轉換2.5～7伏特(V)主電源系統電源端至低至0.6伏特的負載點電壓，在複雜的機架安裝系統中，更高的電壓轉換效率將可節省能源消耗、熱管理和設備尺寸。應用包括雲端設備及RAID系統，其3.3伏特是主電源配送軌的優選。 ...
2014 年 12 月 12 日

凌力爾特發表60V同步升降壓控制器

凌力爾特(Linear Technology)日前發表同步升降壓DC-DC控制器–LT3790。新產品可以單一積體電路(IC)提供超過250瓦(W)的功率；4.7～60伏特(V)輸入電壓範圍非常適合廣泛的汽車、工業應用。 ...
2014 年 12 月 09 日

ST超接面MOSFET提升家電電源能效

意法半導體(ST)新款超接面(Super-junction)功率金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)系列產品–MDmesh M2可滿足家電、低功耗照明以及太陽能微逆變器對電源能效的要求，同時提供更高的可靠性和最新且可滿足高功率密度的封裝選項。 ...
2014 年 12 月 08 日

主動箝位技術顯威　順向轉換器輸出完整傳遞函數

此系列文章第三篇也是最後章節，將說明採用電壓模式工作的主動箝位轉換器的控制至輸出傳遞函數。第一和第二篇闡釋經典順向式轉換器與其主動箝位式版本之間的差別。簡而言之，主動箝位式轉換器重用儲存在磁化電感中的能量，並透過對漏極節點寄生電容放電來重複利用此能量，提供一種降低開關損耗的簡單方式。此外，此技術使變壓器能在象限I和III工作，自然導致更好及最佳化的磁心利用。
2014 年 12 月 07 日

前饋方法助臂力　順向式轉換器效能更精進

順向式轉換器常用於AC-DC和DC-DC電源供應器設計，但囿於其工作週期動態參數偏低，無法有效應付寬輸入電壓範圍，導致轉換效率不彰。因此，電源晶片開發商研發出前饋(Feedforward)設計方法，可讓順向式轉換器降低輸入電壓變化的影響，進而提升整體系統效能。
2014 年 10 月 27 日

Mouser推出全新高壓技術子網站

貿澤電子(Mouser Electronics)宣布推出全新高壓元件技術子網站，讓設計工程師能快速獲得此熱門技術領域的最新產品發展以及高壓設計安全的重要性等趨勢。 該網站提供此領域的開發人員包括正確挑選元件的方式等極有價值的設計資源。 ...
2014 年 10 月 20 日

英飛凌躍居2013年全球功率半導體龍頭

英飛凌(Infineon)於2013年的全球功率半導體市場持續取得領先，蟬聯龍頭地位，同時在金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)功率電晶體市場首次取得領先。根據市調機構IHS的研究報告指出，英飛凌以12.3%的市占率連續11年奪得第一。 ...
2014 年 09 月 22 日
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