凌力爾特發表60V同步升降壓控制器

凌力爾特(Linear Technology)日前發表同步升降壓DC-DC控制器–LT3790。新產品可以單一積體電路(IC)提供超過250瓦(W)的功率；4.7～60伏特(V)輸入電壓範圍非常適合廣泛的汽車、工業應用。 ...
2014 年 12 月 09 日

ST超接面MOSFET提升家電電源能效

意法半導體(ST)新款超接面(Super-junction)功率金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)系列產品–MDmesh M2可滿足家電、低功耗照明以及太陽能微逆變器對電源能效的要求，同時提供更高的可靠性和最新且可滿足高功率密度的封裝選項。 ...
2014 年 12 月 08 日

主動箝位技術顯威　順向轉換器輸出完整傳遞函數

此系列文章第三篇也是最後章節，將說明採用電壓模式工作的主動箝位轉換器的控制至輸出傳遞函數。第一和第二篇闡釋經典順向式轉換器與其主動箝位式版本之間的差別。簡而言之，主動箝位式轉換器重用儲存在磁化電感中的能量，並透過對漏極節點寄生電容放電來重複利用此能量，提供一種降低開關損耗的簡單方式。此外，此技術使變壓器能在象限I和III工作，自然導致更好及最佳化的磁心利用。
2014 年 12 月 07 日

前饋方法助臂力　順向式轉換器效能更精進

順向式轉換器常用於AC-DC和DC-DC電源供應器設計，但囿於其工作週期動態參數偏低，無法有效應付寬輸入電壓範圍，導致轉換效率不彰。因此，電源晶片開發商研發出前饋(Feedforward)設計方法，可讓順向式轉換器降低輸入電壓變化的影響，進而提升整體系統效能。
2014 年 10 月 27 日

Mouser推出全新高壓技術子網站

貿澤電子(Mouser Electronics)宣布推出全新高壓元件技術子網站，讓設計工程師能快速獲得此熱門技術領域的最新產品發展以及高壓設計安全的重要性等趨勢。 該網站提供此領域的開發人員包括正確挑選元件的方式等極有價值的設計資源。 ...
2014 年 10 月 20 日

英飛凌躍居2013年全球功率半導體龍頭

英飛凌(Infineon)於2013年的全球功率半導體市場持續取得領先，蟬聯龍頭地位，同時在金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)功率電晶體市場首次取得領先。根據市調機構IHS的研究報告指出，英飛凌以12.3%的市占率連續11年奪得第一。 ...
2014 年 09 月 22 日

優化功率MOSFET開關設計　行動裝置充電器轉換效率躍升

行動裝置充電器可望突破效能瓶頸。功率半導體開發商透過減少閘極電荷和輸出電容中儲存的能量，讓新一代MOSFET大幅降低導通和驅動損失，並實現更高的開關效率，將有助提高10瓦行動裝置充電器的系統效率與功率密度。
2014 年 09 月 18 日

凌力爾特超低靜態電流控制器適合能量採集應用

凌力爾特(Linear Technology)發表低靜態電流(IQ)Hot Swap控制器–LTC4231，可在2.7～36伏特(V)系統上實現安全的電路板或電池插拔，並能控制外部N通道金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)，以平順地供電電路板電容，避免火花、連接器損壞和系統故障。 ...
2014 年 09 月 09 日

收購國際整流器　英飛凌壯大功率半導體版圖

英飛凌(Infineon)日前豪擲30億美元購併國際整流器(IR)，創下該公司有史以來最高收購金額，藉此接收國際整流器先進的氮化鎵(GaN)、絕緣閘雙極性電晶體(IGBT)等功率半導體產品線、核心技術及銷售通路，強化在各種功率半導體應用領域的市場地位。 ...
2014 年 08 月 22 日

強化功率模組可靠性　功率循環/量測系統挑大樑

在可預見的將來，功率電子元件的使用將持續不斷的增加。任何需要電力變換、轉換或控制等功能都須使用各種形式的功率電子元件。現今功率電子元件已廣泛應用於各種不同的行業(圖1)。灰色圓圈所代表的是需要使用功率模組的行業，如汽車業(電動車、混合動力車、燃料電池車等其他輪式車)、可再生能源業(太陽能逆變器、風力發電機、太陽能電站、衛星太陽能面板)、鐵路設施(引擎元件、牽引控制系統)及高階馬達驅動器。這些功率電子元件一般由多種絕緣閘雙極性電晶體(IGBT)或金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)組成。
2014 年 08 月 16 日

凌力爾特60V同步升壓控制器可降低熱應力

凌力爾特(Linear Technology)發表同步升壓直流對直流(DC-DC)控制器–LTC3769，可透過高效率N通道MOSFET取代升壓二極體，以提高效率並將輸出電流能力達到最高。該控制器可於5安培(A)輸出從12伏特(V)輸入產生24伏特，效率高達98%，適合汽車、工業和醫療應用中，升壓DC-DC轉換器的小尺寸與低熱耗需求。...
2014 年 07 月 29 日

英飛凌CoolMOS MOSFET面積僅5mm×6mm

英飛凌(Infineon)推出全新無引線表面黏著(SMD)封裝的CoolMOS金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)ThinPAK 5×6，藉由減少占據印刷電路板(PCB)面積的元件尺寸及重量，有助於節省可觀的空間需求。 ...
2014 年 06 月 05 日
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