優化功率MOSFET開關設計　行動裝置充電器轉換效率躍升

行動裝置充電器可望突破效能瓶頸。功率半導體開發商透過減少閘極電荷和輸出電容中儲存的能量，讓新一代MOSFET大幅降低導通和驅動損失，並實現更高的開關效率，將有助提高10瓦行動裝置充電器的系統效率與功率密度。
2014 年 09 月 18 日

凌力爾特超低靜態電流控制器適合能量採集應用

凌力爾特(Linear Technology)發表低靜態電流(IQ)Hot Swap控制器–LTC4231，可在2.7～36伏特(V)系統上實現安全的電路板或電池插拔，並能控制外部N通道金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)，以平順地供電電路板電容，避免火花、連接器損壞和系統故障。 ...
2014 年 09 月 09 日

收購國際整流器　英飛凌壯大功率半導體版圖

英飛凌(Infineon)日前豪擲30億美元購併國際整流器(IR)，創下該公司有史以來最高收購金額，藉此接收國際整流器先進的氮化鎵(GaN)、絕緣閘雙極性電晶體(IGBT)等功率半導體產品線、核心技術及銷售通路，強化在各種功率半導體應用領域的市場地位。 ...
2014 年 08 月 22 日

強化功率模組可靠性　功率循環/量測系統挑大樑

在可預見的將來，功率電子元件的使用將持續不斷的增加。任何需要電力變換、轉換或控制等功能都須使用各種形式的功率電子元件。現今功率電子元件已廣泛應用於各種不同的行業(圖1)。灰色圓圈所代表的是需要使用功率模組的行業，如汽車業(電動車、混合動力車、燃料電池車等其他輪式車)、可再生能源業(太陽能逆變器、風力發電機、太陽能電站、衛星太陽能面板)、鐵路設施(引擎元件、牽引控制系統)及高階馬達驅動器。這些功率電子元件一般由多種絕緣閘雙極性電晶體(IGBT)或金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)組成。
2014 年 08 月 16 日

凌力爾特60V同步升壓控制器可降低熱應力

凌力爾特(Linear Technology)發表同步升壓直流對直流(DC-DC)控制器–LTC3769，可透過高效率N通道MOSFET取代升壓二極體，以提高效率並將輸出電流能力達到最高。該控制器可於5安培(A)輸出從12伏特(V)輸入產生24伏特，效率高達98%，適合汽車、工業和醫療應用中，升壓DC-DC轉換器的小尺寸與低熱耗需求。...
2014 年 07 月 29 日

英飛凌CoolMOS MOSFET面積僅5mm×6mm

英飛凌(Infineon)推出全新無引線表面黏著(SMD)封裝的CoolMOS金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)ThinPAK 5×6，藉由減少占據印刷電路板(PCB)面積的元件尺寸及重量，有助於節省可觀的空間需求。 ...
2014 年 06 月 05 日

強攻綠色能源商機　明導首款工業電源測試儀亮相

瞄準電動車、風力發電等綠色能源應用對於功率電子元件可靠性測試需求日益高漲，明導國際(Mentor Graphics)日前發布首款工業電源測試儀，能讓功率電子元件製造商於同一台機器中，同時完成功率循環和暫態熱特性量測，且毋須從測試環境中移除功率電子元件，大幅縮短測試時間。 ...
2014 年 05 月 14 日

凌力爾特易用型同步順向控制器效率達95%

凌力爾特(Linear Technology)發表一次側、電流模式脈寬調變(PWM)控制器LT3753，該元件特別最佳化以用於同步順向轉換器並具備主動箝位重設，可操作於8.5～100伏特(V)的輸入電壓範圍，提供高達95%的效率，並能因應高達400瓦(W)的功率位準；可編程次級電壓箝位提供變壓器重設的保障，以防止飽和及保護金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)，該項功能允許變壓器和MOSFET的最佳化，進而縮減解決方案尺寸。 ...
2014 年 05 月 13 日

轉換效率再升級　SMPS強化資料中心效能

提升生活水準須要持續增加能源需求，特別是電力能源。人類並未直接使用電能，而是透過資訊科技(IT)、電信設備、運輸車輛、白色家電、燈光與機械的運作來利用。
2014 年 05 月 11 日

專訪柏恩工業部市場行銷總監Daniel D. Callen Jr.　新場效管觸發器推升RS-485效能

RS-485介面效能可望大幅精進。柏恩(Bourns)日前推出內阻值低於2歐姆(Ω)的新一代場效管觸發器(TBU)，將可避免長距離工業用RS-485傳輸介面纜線發生訊號衰減情形。
2014 年 04 月 17 日

IR 600V電流感測IC可大幅節省空間

國際整流器(IR)推出IR25750通用電流感測積體電路(IC)，並採精巧的SOT23-5L封裝，為高電流應用提升整體系統效率及大幅節省空間。 IR亞太區銷售副總裁潘大偉表示，IR25750電流感測IC是新的組合區塊，利用功率金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)的導通電阻，或絕緣閘雙極性電晶體(IGBT)的集射極導通電壓(Vce(on))量測電流，不需大型外部電流感測電阻器。這些功能可大幅提升常用開關式電力電子產品、馬達控制和工業設備等高電流應用的效率，並顯著節省空間。 ...
2014 年 04 月 10 日

凌力爾特MOSFET驅動器不需訊號變壓器

凌力爾特(Linear Technology)發表高效率二次側金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)驅動器LT8311。新元件省去隔離式同步順向轉換器所須的一次側控制，透過感測二次側訊號來控制同步整流；Preactive模式不須訊號變壓器進行一次側到二次側通訊，能縮減元件數和方案尺寸。...
2014 年 04 月 10 日
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