TI小型12A同步降壓轉換器支援PMBus

德州儀器(TI)推出支援PMBus介面的小型12安培(A)同步降壓直流對直流(DC-DC)轉換器SWIFT TPS53915。 SWIFT TPS53915採用微小型PowerStack四方形扁平無接腳(QFN)封裝，並整合NexFET金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)，可在空間有限的高電源密度應用中驅動特定應用積體電路(ASIC)，能滿足有線/無線通訊、企業/雲端計算及儲存系統等市場需求。 ...
2014 年 03 月 27 日

推升RS-485效能　新一代場效管觸發器獻計

RS-485介面效能可望大幅精進。柏恩(Bourns)日前推出內阻值低於2歐姆(Ω)的新一代場效管觸發器(TBU)，將可避免長距離工業用RS-485傳輸介面纜線發生訊號衰減情形。 ...
2014 年 03 月 26 日

英飛凌推出OptiMOS快速二極體

英飛凌(Infineon)推出OptiMOS FD 200伏特(V)和250伏特。最新一代的Power 金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)專為本體二極體硬式整流最佳化所設計，不僅提高產品耐用度、降低電壓尖波，還能降低逆向回復電荷(Qrr)損失，進而提高系統可靠度。產品適用於電信系統、工業用電源供應器、D類音頻放大器、48～110伏特(V)馬達控制系統及直流對交流(DC-AC)變頻器等硬式切換應用方面。 ...
2014 年 03 月 24 日

專訪NI自動化測試東亞區行銷技術經理張天生　PXI SMU加速高功率元件量測

PXI模組化電源量測單元(SMU)儀器問世。高亮度發光二極體(LED)、絕緣閘雙極性電晶體(IGBT)、金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)等需要SMU輸出瞬間高瓦數的電源進行量測，然高瓦數的SMU往往價格昂貴，有鑑於此，美商國家儀器(NI)發布新一代PXI模組化SMU儀器，助力客戶大幅降低測試成本。
2014 年 03 月 17 日

取代內嵌離散式MOSFET　APM增強汽車電氣效能

小尺寸、高整合的車用電源模組(APM)，可較傳統採用多顆金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)的離散式設計，實現更高功率密度，並減少機械元件數量與熱阻抗，可讓設計者以更佳方式管理汽車各子系統的電源，進而提升整體電氣表現。
2014 年 02 月 27 日

快捷中壓MOSFET實現功率利用最佳化

許多終端應用如網際網路協定(IP)電話、馬達控制電路、主動箝位開關及負載開關，須要在更小的封裝內實現更佳能效，從而滿足製造廠商的要求。快捷半導體(Fairchild)研發的FDMC86xxxP系列產品，採用P通道PowerTrench金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)來減小封裝，同時實現理想的開關速度和功耗。 ...
2014 年 02 月 21 日

凌力爾特同步升降壓 DC-DC轉換器上市

凌力爾特(Linear Technology)推出同步升降壓轉換器–LTC3111，其可從廣泛的電源提供高達1.5安培(A)的輸出電流，包括多顆電池、超級電容堆和牆式電源轉接器。此元件的2.5～15伏特(V)輸入及輸出範圍可透過輸入高於、低於或等於穩壓輸出來提供穩壓輸出。低雜訊升降壓架構可於降壓和升壓模式之間進行連續、無抖動轉換，非常適合射頻(RF)和其他具雜訊敏感度之應用，這些應用必須以可變輸入電源保持低雜訊固定輸出電壓。 ...
2014 年 02 月 05 日

快捷半導體整合式SPS模組提升功率密度

快捷半導體(Fairchild)開發出智慧功率級模組(Smart Power Stage, SPS)系列，下一代超精簡型整合式金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)外加驅動器功率級解決方案。該系列利用快捷半導體公司的DrMOS專業技術在諸如高性能計算及通信的同步降壓直流對直流(DC-DC)轉換器類的應用中實現高效率、高功率密度以及高開關頻率。 ...
2013 年 11 月 22 日

恩智浦推出超薄DFN電晶體

恩智浦(NXP)推出首款採用1.1毫米(mm)×1毫米×0.37毫米超薄矩形平面無接腳封裝(DFN)的電晶體。全新產品組合由二十五種元件組成，其中包括低RDson金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)以及可將電流能力最高提升至3.2安培(A)的低飽和通用電晶體。此全新產品系列憑藉其超小尺寸和高性能，相當適用於可攜式、空間受限應用的電源管理和負載開關，特別因外形大小、功率密度和效率皆為關鍵因素。 ...
2013 年 11 月 07 日

凌力爾特發表同步降壓DC-DC控制器

凌力爾特(Linear Technology)發表電流模式雙組輸出同步降壓直流-直流(DC-DC)控制器–LTC3774，藉由強化電流感測訊號使該元件可運用非常低DC阻抗(DCR)的功率電感。低至0.2毫歐姆(mΩ)的功率電感DCR可用來將轉換效率達到最高(達95%)並增加功率密度，同時降低高電流應用的輸出漣波。新DCR感測技術大幅降低DCR電阻應用中常見的切換抖動，DCR溫度補償更可在寬廣的溫度範圍內保持恆定和精準的限流門檻。 ...
2013 年 11 月 06 日

兼顧初/次級側MOSFET選用考量　LLC共振式轉換器提升可靠度

在眾多電源轉換器架構中，共振式轉換器基於其高效率、低電磁干擾的特點，可符合電源供應器的高效率要求，已廣為工程師所採用。如圖1所示，此一半橋LLC共振式轉換器，為近年來廣為工程師所使用的轉換器架構。然而，在LLC共振式轉換器中，除變壓器與共振電路的設計外，初級側及同步整流金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)在效率及可靠度的提升上，也扮演重要的角色。
2013 年 10 月 27 日

凌力爾特發表二極體橋式控制器

凌力爾特(Linear Technology)發表理想二極體橋式控制器–LT4321，其可透過低損耗N通道金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)取代兩個二極體橋式整流器，增加可用功率並降低乙太網路供電之受電裝置(PoE...
2013 年 10 月 25 日
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