英飛凌車電管理40V P通道MOSFET問世

英飛凌(Infineon)宣佈推出採用先進溝槽技術製程的最新單一P通道 40伏特汽車電源金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)系列產品。新型40伏特OptiMOS P2 產品為提升能源效率、減少二氧化碳排放及節省成本設立新的基準,再次強化英飛凌在未來汽車應用電源管理方面的市場地位。 ...
2011 年 09 月 09 日

LED照明IDH勢力抬頭 功率半導體商搶單

發光二極體(LED)照明需求持續走強,不少新進者正試圖透過與委外代工照明系統廠或第三方設計公司(IDH)策略結盟,藉此降低進入門檻、投資風險及製造成本,以迅速搶攻LED照明版圖,預期在吸引更多後進者起而效尤之下,IDH將成為功率半導體商拉攏的主力客源之一,未來挹注晶片商的營收貢獻比重將持續看漲。 ...
2011 年 08 月 26 日

多元方案各展所長 太陽能電池I-V量測迎刃解

世界各國正不遺餘力朝向綠色能源邁進,並投注大量研發資源發展太陽光電產品。為讓產業界了解適用於太陽光電產品的各種量測方案,本文除介紹太陽能電池的基本測試參數及其相對應的計算方案外,也整理分析數種學術或業界常見的測試機台,供開發人員參考。
2011 年 08 月 25 日

恩智浦力推精巧型電源管理解決方案

恩智浦半導體(NXP)宣布推出採用DFN2020-6(SOT1118)無鉛塑膠封裝的精巧型中功率電晶體和N-channel Trench金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)產品–PBSM5240PF。DFN2020-6...
2011 年 08 月 22 日

平板/超薄筆電熱 高頻切換電源晶片當道

為滿足平板裝置(Tablet Device)與超輕薄筆記型電腦的設計需求,兼具省電與輕薄特性的高頻切換式電源管理單元(PMU)與電源管理晶片(PMIC),已成為功率半導體業者爭相布局的熱門方案,並逐漸在市場上大行其道。 ...
2011 年 08 月 21 日

凌力爾特DC-DC轉換器延長電池續航力

凌力爾特(Linear Technology)日前推出直流對直流(DC-DC)同步升降壓轉換器LTC3536,此元件能從鋰電池/鋰聚合物電源提供1安培的輸出電流,或從雙顆鹼性/鎳鎘/鎳氫電源提供300毫安培。其1.8~5.5伏特輸入及輸出電壓範圍可達到±1%的精準輸出,並具備高於、低於或等於穩壓輸出的輸入。 ...
2011 年 08 月 15 日

晶門科技推出高功率因數LED驅動器晶片

晶門科技有宣布其環保能源業務單元的發光二極體(LED)照明系列增加兩位新成員–SSD1072/1073。該款恒流驅動積體電路晶片在LED照明方面,提供高功率因數和高效率的系統解決方案,並內嵌有源功率因數校正功能,功率因數可高達0.98。此外,有源功率因數校正省去輸入整流橋後的一個大電解電容或鉭電容濾波電容器,不僅有助於提高系統的壽命,同時也降低元件數量及生產成本。 ...
2011 年 08 月 12 日

德州儀器推同步降壓穩壓器簡化工業電源設計

德州儀器(TI)推出一款具高效率與低雜訊效能的同步50毫安培(mA)、60伏特SWIFT降壓穩壓器TPS54062,其整合高側(High-side)與低側(Low-side)電源 金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET),可為雜訊敏感型工業自動化與感測器控制、智慧型儀表、電信、運算及消費類等設計,提供高效率電源轉換與暫態保護。 ...
2011 年 08 月 10 日

瑞薩電子發表大電流低損耗功率半導體裝置

先進半導體解決方案供應商瑞薩電子(Renesas Electronics)宣布推出100安培大電流功率金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET),適用於消費性產品中的馬達驅動器,如無線電動工具及動力輔助自行車,並藉此強化該公司功率半導體裝置的整體產品線。 ...
2011 年 08 月 05 日

IR推微電子繼電器設計人員手冊簡化電路設計

全球功率半導體和管理方案供應商國際整流器(IR)推出以光碟版微電子繼電器 (MER)設計人員手冊,內附該公司一系列MER產品組合的選擇指南、應用手冊、數據資料和設計技巧。   ...
2011 年 08 月 01 日

奧地利微電子第三代LED驅動器優化耗能

全球領先的高效能類比IC設計者及製造商奧地利微電子(Austiamicrosystems)宣布推出兩款新發光二極體(LED)驅動器 IC。新驅動器是首批量產的第三代LED驅動器系列產品,具備優異的性能和功能,適用於最新型液晶顯示器(LCD)電視的需求。這款產品可以在優化電視畫面品質的同時將能源消耗降至最小。 ...
2011 年 08 月 01 日

IR擴展低功率應用PQFN封裝MOSFET

全球功率半導體和管理方案廠商美商國際整流器(IR)擴展其PQFN封裝系列,推出新款的PQFN 2毫米×2毫米和PQFN3.3毫米×3.3毫米封裝。新型封裝把兩個採用 IR最新矽技術的HEXFET 金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)整合,為低功率應用,包括智慧型手機、平板電腦、攝錄機、數位相機、DC馬達和無線電感充電器,以及筆記型電腦、伺服器和網通設備,提供高密度,低成本的解決方案。 ...
2011 年 07 月 26 日