晶門科技推出高功率因數LED驅動器晶片

晶門科技有宣布其環保能源業務單元的發光二極體(LED)照明系列增加兩位新成員–SSD1072/1073。該款恒流驅動積體電路晶片在LED照明方面，提供高功率因數和高效率的系統解決方案，並內嵌有源功率因數校正功能，功率因數可高達0.98。此外，有源功率因數校正省去輸入整流橋後的一個大電解電容或鉭電容濾波電容器，不僅有助於提高系統的壽命，同時也降低元件數量及生產成本。 ...
2011 年 08 月 12 日

德州儀器推同步降壓穩壓器簡化工業電源設計

德州儀器(TI)推出一款具高效率與低雜訊效能的同步50毫安培(mA)、60伏特SWIFT降壓穩壓器TPS54062，其整合高側(High-side)與低側(Low-side)電源 金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)，可為雜訊敏感型工業自動化與感測器控制、智慧型儀表、電信、運算及消費類等設計，提供高效率電源轉換與暫態保護。 ...
2011 年 08 月 10 日

瑞薩電子發表大電流低損耗功率半導體裝置

先進半導體解決方案供應商瑞薩電子(Renesas Electronics)宣布推出100安培大電流功率金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)，適用於消費性產品中的馬達驅動器，如無線電動工具及動力輔助自行車，並藉此強化該公司功率半導體裝置的整體產品線。 ...
2011 年 08 月 05 日

IR推微電子繼電器設計人員手冊簡化電路設計

全球功率半導體和管理方案供應商國際整流器(IR)推出以光碟版微電子繼電器 (MER)設計人員手冊，內附該公司一系列MER產品組合的選擇指南、應用手冊、數據資料和設計技巧。   ...
2011 年 08 月 01 日

奧地利微電子第三代LED驅動器優化耗能

全球領先的高效能類比IC設計者及製造商奧地利微電子(Austiamicrosystems)宣布推出兩款新發光二極體(LED)驅動器 IC。新驅動器是首批量產的第三代LED驅動器系列產品，具備優異的性能和功能，適用於最新型液晶顯示器(LCD)電視的需求。這款產品可以在優化電視畫面品質的同時將能源消耗降至最小。 ...
2011 年 08 月 01 日

IR擴展低功率應用PQFN封裝MOSFET

全球功率半導體和管理方案廠商美商國際整流器(IR)擴展其PQFN封裝系列，推出新款的PQFN 2毫米×2毫米和PQFN3.3毫米×3.3毫米封裝。新型封裝把兩個採用 IR最新矽技術的HEXFET 金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)整合，為低功率應用，包括智慧型手機、平板電腦、攝錄機、數位相機、DC馬達和無線電感充電器，以及筆記型電腦、伺服器和網通設備，提供高密度，低成本的解決方案。 ...
2011 年 07 月 26 日

凌力爾特推寬輸入電壓降壓DC-DC控制器

凌力爾特(Linear Technology)日前發表H及MP等級版本的LTC3851A ，其為具備寬廣輸入電壓範圍(4～38伏特)的同步降壓直流對直流(DC-DC)控制器，涵蓋大部分中間匯流排電壓及電池化學等廣泛應用。 ...
2011 年 07 月 21 日

通嘉發表內建700V MOSFET節能PWM IC

通嘉科技新推出一款節能脈衝寬度調頻(PWM)IC, 內建700伏特(V)金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)，待機耗電小於0.1瓦(W)，相當適合應用於精巧的變壓器設計，是一款兼具節能低功耗及低成本的最佳選擇。 ...
2011 年 06 月 29 日

Maxim發布鋰電池充電器/智慧電源選擇器

Maxim日前發表整合型單顆鋰電池充電器和智慧電源選擇器–MAX8903A/MAX8903C/MAX8903D，其運作於雙電源輸入，開關模式充電器則工作在高開關頻率，可省去散熱器並允許使用小尺寸外部元件。此元件可採用獨立的通用序列匯流排(USB)電源和交流變壓器供電，也可用一個輸入端接收兩路電源輸入，並整合所有充電功能及用於切換電池和外部電源負載的功率開關，此外，該IC亦無需外部金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)、阻斷二極體和檢流電阻。 ...
2011 年 06 月 28 日

IR推超小型功率MOSFET擴展產品組合

美商國際整流器(IR)日前擴展其封裝系列，推出新款的PQFN 2毫米×2毫米封裝，且配合IR最新的HEXFET金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)矽技術，為一系列的低功耗應用，包括智慧手機、平板電腦、攝錄機、數位相機、筆記本電腦、伺服器和網路通訊設備，提供超小型、高密度和高效率的解決方案。 ...
2011 年 06 月 24 日

快捷功率級非對稱雙MOSFET元件簡化設計

電源工程師一直面對縮小應用空間和提高功率密度的兩個主要挑戰，而在筆記型電腦、負載點(Point-of-load)、伺服器、遊戲和電訊應用中，上述兩點尤其重要。為協助設計人員面對這些挑戰，快捷半導體(Fairchild)已開發出FDMS36xxS系列功率級非對稱雙金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)模組，達成高功率密度與簡化設計的需求。 ...
2011 年 06 月 24 日

矽晶片/封裝技術加持　新MOSFET效能/體積齊優化

新問世的NexFET Power Block透過矽晶片及封裝技術的突破，來滿足小尺寸產品的高效率及高電量需求，其所占空間約為離散式MOSFET的一半，可降低相關寄生效應，並使同步降壓電源配置，能夠在效能方面超越離散式MOSFET電晶體。
2011 年 06 月 23 日
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