TI閘極驅動器減少SiC牽引逆變器功率損耗/熱散逸

隨著電動車(EV)製造商之間為了開發成本更低、續航里程更長的車型所進行的競爭日益激烈,電力系統工程師必須設法藉由降低功率損耗和提高牽引逆變器系統效率,來提升續航里程並增加競爭優勢。效率與較低的功率損耗有關,而這會影響熱性能、系統重量、尺寸和成本。降低功率損耗的需求將隨著開發功率更高的逆變器而持續存在,尤其是在這每輛汽車的馬達數量增加以及卡車轉向純電動車發展的現況下。...
2022 年 08 月 15 日

啟動高電壓/高電流功率半導體 脈衝式電源效能步步高

本文說明了絕緣閘極雙極性電晶體(IGBT)、閘極關閉晶體閘流管(GTO)以及晶體閘流管等高功率半導體在脈衝式電源應用中的應用。為了達到所要求的功率水準,像是高功率半導體的堆疊,就需要能啟動高電壓、高電流的條件(圖1)。...
2022 年 07 月 28 日

解決電熱不穩定 線性MOSFET提升工作功率

A類音訊放大器、主動式DC-link放電、電池充放電、浪湧電流限制器、低電壓直流馬達控制或電子負載等線性模式應用,都要求功率MOSFET元件在電流飽和區內運行。標準MOSFET用於線性模式應用時容易產生電熱不穩定性(Electro-Thermal...
2022 年 06 月 20 日

意法推出適用高啟動電流單通道負載開關

意法半導體(ST)推出了IPS1025H與IPS1025H-32單通道可程式高邊開關。這兩款開關內建欠壓保護、過壓保護、過載保護、過熱保護功能,能智慧驅動高啟動電流的電容性負載、電阻性負載或電感性負載。...
2022 年 06 月 17 日

意法新MOSFET提升功率效能/開關性能

意法半導體(ST)新推出之STPOWER MDmesh M9和DM9矽基N通道超接面多汲極功率MOSFET電晶體適用於設計資料中心服務器、5G基礎建設、平面電視的交換式電源供應器(SMPS)。 650V...
2022 年 06 月 09 日

排除多重技術障礙 SiC MOSFET模組設計上手

功率半導體的並聯分成幾個層級, 最常見的是功率模組內部的晶片層級,這些層級可以達到更高的額定電流。其根據是,晶片只能設計為限定的額定電流,因此需要並聯多個晶片才能達到所需的額定電流。並聯可發生在單獨的模組層級,例如將六開關模組的三個支路並聯,便能建立一個額定電流為單獨支路三倍的半橋模組。另外,也可以採使用多個獨立封裝(例如TO-247)或一起切換的模組的形式,這裡將聚焦在後者的並聯範例。...
2022 年 05 月 16 日

成熟製程需求大 八吋晶圓廠欣欣向榮

國際半導體產業協會(SEMI)近日發布最新版全球8吋晶圓廠展望報告(Global 200mm Fab Outlook)。該報告指出,從2020年初到2024年底,全球半導體製造商的8吋晶圓的每月產能可望增加120萬片,增幅21%,達到每月690萬片的歷史新高。而伴隨著產能擴張,半導體廠對8吋晶圓廠設備的支出繼2021年攀升至53億美元後,2022年仍可達到49億美元。...
2022 年 04 月 14 日

意法車門區/後窗控制器增加電動行李尾門功能

意法半導體(ST)之L99DZ200G車門區系統晶片提升車身控制模組的功能整合度,可做到單晶片控制前車窗、後視鏡和照明燈以及後窗升降功能。 L99DZ200G包含兩個H橋閘極驅動器、一個用於驅動外部MOSFET功率電晶體控制後視鏡加熱的閘極驅動器、一個用於控制自動防炫目後視鏡調光的控制單元及高邊驅動器,以及五個LED高邊驅動器,其中三個可以在恆定電流模式下運作,為輸入電容較高的照明模組供電,另外兩個高邊驅動器則用於控制普通LED燈。...
2022 年 03 月 17 日

英飛凌新推智慧半橋驅動整合晶片

繼發佈 BTN89xx獲得成功之後,英飛凌(Infineon)再度推出全新 MOTIX BTN99xx(NovalithIC+)系列智慧半橋驅動整合晶片。該晶片在單個封裝內整合了P通道高側MOSFET和N通道低側MOSFET,以及多個智慧驅動IC。BTN99xx將憑藉其易用性、良好的保護功能和可擴展性,成為汽車應用的理想選擇。此外,由於BTN99xx在單個堅固封裝中整合了多種不同功能,尤其適用於一些需要嚴格控制PCB面積的應用。值得一提的是,它還具備高可靠性,非常適合座椅控制、電動尾門和側滑門、燃油泵等應用。...
2022 年 03 月 07 日

元件長短料依然嚴重 產業設備交期聲聲慢

在半導體廠持續維持產能全開的狀態下,與2021年相比,目前有部分晶片的供需已漸趨平衡,但許多通用元件如微控制器(MCU)、電源管理晶片(PMIC)與MOSFET仍舊處於供貨不足狀態。在元件長短料的影響下,許多產業設備供應商的交貨時間亦受到一定程度的影響。...
2022 年 03 月 03 日

意法雙通道高側開關簡化電容負載驅動設計

意法半導體(ST)最新之高側開關IPS2050H和IPS2050H-32可設定兩個限流值,適用於智慧駕駛起動電流很大的電容負載。 這兩款新雙通道開關的輸入電壓範圍為8V至60V,輸入腳位最大耐受電壓則為65V,可確保開關在工業應用中具有高設計彈性和穩定性能。內部整合之功率MOSFET電晶體的導通電阻小,因此效能很高,而熱耗散功率亦很低。此外,MOSFET單脈衝雪崩能量在2A時大於1J,可提升開關在驅動電感性負載時的可靠性。開關還有一個主動鉗位電路,可實現快速退磁。...
2022 年 02 月 25 日

英飛凌新推OptiMOS源極底置功率MOSFET

英飛凌(Infineon)推出了新一代OptiMOS源極底置(Source-Down, SD)功率MOSFET,為解決終端應用中的設計挑戰提供切實可行的解決方案。新款功率MOSFET採用PQFN封裝,尺寸為3.3×3.3mm2,支援從25V到100V的寬電壓範圍。可實現高效率、高功率密度以及熱性能指標,並降低BOM成本。應用涵蓋馬達驅動,適用於伺服器、電信和OR-ing的SMPS,以及電池管理系統等。...
2022 年 02 月 23 日