寬能隙功率元件再添新兵　氧化鎵進展值得觀察

氮化鎵(GaN)與碳化矽(SiC)已經在功率半導體領域成功掀起一波材料革命，但除了這兩種寬能隙材料外，氧化鎵(Ga2O3)的發展，亦值得密切觀察。
2021 年 05 月 06 日

英飛凌擴展靜態切換應用MOSFET產品

以低頻切換MOSFET的應用中，高功率產品設計必須符合幾個關鍵特性：包括減少導通損耗、提供最佳熱行為，實現小體積輕量化系統，並且保持經濟成本的最高品質。為符合上述需求，英飛凌(infineon)針對靜態切換應用，在600...
2021 年 04 月 21 日

意法新隔離式閘極驅動器可安全控制SiC MOSFET

STGAP2SiCS是意法半導體(ST)STGAP系列隔離式閘極驅動器的最新產品，可安全地控制碳化矽(SiC)MOSFET，作業電源電壓高達1200V。 STGAP2SiCS能夠產生高達26V的閘極驅動電壓，將欠壓鎖定(UVLO)閾壓提升到15.5V，滿足SiC...
2021 年 04 月 13 日

英飛凌推出廣應用功率MOSFET

英飛凌科技(infineon)推出StrongIRFET 2—新一代功率MOSFET技術的80V和100V產品。新產品擁有廣泛的經銷供貨通路和出色的性價比，成為設計人員可以便利選購的產品選擇。該產品系列針對高、低切換頻率進行最佳化，可支援廣泛的應用範圍，提供高度的設計靈活性，可受益於StrongIRFET的應用包括SMPS、馬達驅動、電池充電工具、電池管理、UPS及輕型電動車。...
2021 年 04 月 01 日

ToF應用持續擴展　EPC eGaN FET提升偵測速度/準確度

在車用、工業自動化、醫療保健、智慧廣告、遊戲及安防等應用領域，應用飛時測距(Time of Flight, ToF)技術偵測距離越來越普遍，而偵測速度及準確性也隨著技術的成熟成為效能的重點，氮化鎵場效應電晶體(GaN...
2021 年 02 月 23 日

整合驅動器/保護功能　GaN FET搶進工業電源

傳統電源系統所使用的開關元件，主要有整合式雙金屬氧化物半導體場效應電晶體(MOSFET)和絕緣柵雙極電晶體(IGBT)兩種，但若欲提高功率密度，則必須犧牲效能、外觀尺寸及散熱能力。
2021 年 01 月 21 日

羅姆小型車電MOSFET亮相　強化散熱/安裝可靠性

半導體製造商羅姆(ROHM)研發出符合汽車電子產品可靠性標準AEC-Q1011，尺寸僅為1.0mm×1.0mm的小型MOSFET「RV8C010UN」「RV8L002SN」「BSS84X」。...
2020 年 10 月 07 日

EPC新推100V eGaNFET產品　力助車載娛樂/雷達系統革新

增強型矽基氮化鎵(eGaN)功率場效應電晶體和積體電路商宜普電源轉換公司(EPC)最新推出的兩款100V eGaN FET(EPC2218及EPC2204)，性能更高並且成本更低，可立即供貨。採用這些先進氮化鎵元件的應用非常廣，包括同步整流器、D類音訊放大器、汽車資訊娛樂系統、DC/DC轉換器(硬開關和諧振式)和面向全自動駕駛車輛、機械人及無人機的雷射雷達系統。...
2020 年 09 月 26 日

羅姆新VCSEL模組提高空間識別/測距雷射光源輸出功率

半導體製造商羅姆(ROHM)研發出全新VCSEL模組技術，透過雷射光源中VCSEL的輸出功率的提升，實現了空間識別和測距系統(TOF系統)的高精度化。 傳統採用VCSEL的雷射光源中，作為光源的VCSEL產品和用來驅動光源的MOSFET產品在電路板上皆是個別安裝的。在這種情況下，產品之間的布線長度(寄生電感)會影響到光源的驅動時間和輸出功率，因此將為高精度感測所需的短脈衝大功率光源帶來了局限性。...
2020 年 09 月 18 日

超接面MOSFET技術助攻　固態繼電器/斷路器大有可為

機電式繼電器與電路斷路器相關技術經過完備的建立，發展已臻成熟，但仍受限於本質上的缺陷。改用固態技術雖然可解決這些問題，卻也同時面臨其他挑戰。在電影中，電燈熄滅或斷電通常會伴隨戲劇性的金屬結構倒塌的巨大聲響，幫助觀眾掌握劇情。一般而言，這種呈現方式十分準確，因為高電壓繼電器及電路斷路器本身大多仍為機電式。除了機電解決方案相關的固有作法外，工程界目前普遍認為半導體技術不適合運用在高電壓切換應用。然而，由於新技術的發展，高電壓切換應用的實際情況正在改變，圖1即為經過3次10...
2020 年 08 月 31 日

建置成本/節能利用最佳化　資料中心功秏/效率錙銖必較

功率轉換效率是一個標題性指標，模組製造商總是彼此競爭，在精心挑選的操作條件下，設法達到95%以上的效率，以至於採用如「相移全橋」(PSFB)和「LLC轉換器」等越來越複雜的轉換拓撲架構來實現這些數字。二極體正被MOSFET取代，以便盡可能降低損耗，「寬能隙」元件因其驚人的開關速度被譽為未來首選的半導體元件。
2020 年 08 月 29 日

精簡電路設計/成本　碳化矽輔助電源驅動效率大增

碳化矽(SiC)技術除了效率更高，還提供眾多優勢，即使在相對簡單的電路，例如反馳式轉換器中，也可以協助設計人員提高功率密度、增強可靠性並節省總體材料成本。業界認為碳化矽功率半導體可以在能源極為寶貴的功率轉換應用中實現更高效率，例如用於太陽能發電機和高階電動汽車。
2020 年 08 月 24 日
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