整合驅動器/保護功能　GaN FET搶進工業電源

傳統電源系統所使用的開關元件，主要有整合式雙金屬氧化物半導體場效應電晶體(MOSFET)和絕緣柵雙極電晶體(IGBT)兩種，但若欲提高功率密度，則必須犧牲效能、外觀尺寸及散熱能力。
2021 年 01 月 21 日

羅姆小型車電MOSFET亮相　強化散熱/安裝可靠性

半導體製造商羅姆(ROHM)研發出符合汽車電子產品可靠性標準AEC-Q1011，尺寸僅為1.0mm×1.0mm的小型MOSFET「RV8C010UN」「RV8L002SN」「BSS84X」。...
2020 年 10 月 07 日

EPC新推100V eGaNFET產品　力助車載娛樂/雷達系統革新

增強型矽基氮化鎵(eGaN)功率場效應電晶體和積體電路商宜普電源轉換公司(EPC)最新推出的兩款100V eGaN FET(EPC2218及EPC2204)，性能更高並且成本更低，可立即供貨。採用這些先進氮化鎵元件的應用非常廣，包括同步整流器、D類音訊放大器、汽車資訊娛樂系統、DC/DC轉換器(硬開關和諧振式)和面向全自動駕駛車輛、機械人及無人機的雷射雷達系統。...
2020 年 09 月 26 日

羅姆新VCSEL模組提高空間識別/測距雷射光源輸出功率

半導體製造商羅姆(ROHM)研發出全新VCSEL模組技術，透過雷射光源中VCSEL的輸出功率的提升，實現了空間識別和測距系統(TOF系統)的高精度化。 傳統採用VCSEL的雷射光源中，作為光源的VCSEL產品和用來驅動光源的MOSFET產品在電路板上皆是個別安裝的。在這種情況下，產品之間的布線長度(寄生電感)會影響到光源的驅動時間和輸出功率，因此將為高精度感測所需的短脈衝大功率光源帶來了局限性。...
2020 年 09 月 18 日

超接面MOSFET技術助攻　固態繼電器/斷路器大有可為

機電式繼電器與電路斷路器相關技術經過完備的建立，發展已臻成熟，但仍受限於本質上的缺陷。改用固態技術雖然可解決這些問題，卻也同時面臨其他挑戰。在電影中，電燈熄滅或斷電通常會伴隨戲劇性的金屬結構倒塌的巨大聲響，幫助觀眾掌握劇情。一般而言，這種呈現方式十分準確，因為高電壓繼電器及電路斷路器本身大多仍為機電式。除了機電解決方案相關的固有作法外，工程界目前普遍認為半導體技術不適合運用在高電壓切換應用。然而，由於新技術的發展，高電壓切換應用的實際情況正在改變，圖1即為經過3次10...
2020 年 08 月 31 日

建置成本/節能利用最佳化　資料中心功秏/效率錙銖必較

功率轉換效率是一個標題性指標，模組製造商總是彼此競爭，在精心挑選的操作條件下，設法達到95%以上的效率，以至於採用如「相移全橋」(PSFB)和「LLC轉換器」等越來越複雜的轉換拓撲架構來實現這些數字。二極體正被MOSFET取代，以便盡可能降低損耗，「寬能隙」元件因其驚人的開關速度被譽為未來首選的半導體元件。
2020 年 08 月 29 日

精簡電路設計/成本　碳化矽輔助電源驅動效率大增

碳化矽(SiC)技術除了效率更高，還提供眾多優勢，即使在相對簡單的電路，例如反馳式轉換器中，也可以協助設計人員提高功率密度、增強可靠性並節省總體材料成本。業界認為碳化矽功率半導體可以在能源極為寶貴的功率轉換應用中實現更高效率，例如用於太陽能發電機和高階電動汽車。
2020 年 08 月 24 日

特瑞仕通用N通道MOSFET　具低導通電阻/高速開關

特瑞仕半導體株式會社開發了2種MOSFET新產品－XP22x系列(20V耐壓)。 此次發售的產品是具有低導通電阻和高速開關特性的通用N通道MOSFET產品。該產品可用於各種機器應用，如繼電器電路和開關電路。內置了柵極保護二極管作為防靜電措施。...
2020 年 08 月 24 日

東芝發表新型元件結構　SiC MOSFET可靠性提升十倍

東芝推出可提高SiC(碳化矽)MOSFET可靠性的元件結構。相較於東芝的典型元件結構，MOSFET內嵌的SBD(肖特基勢壘二極體)可在抑制導通電阻增大的同時，將元件結構的可靠性提高10倍以上。 功率元件是降低車輛以及工業設備和其它電氣設備能耗的重要元件，而SiC相較於有機矽可進一步提高電壓並降低損耗，因此業界普遍預期其將成為新一代的功率元件材料。雖然SiC目前主要用於車輛變頻器，預計往後的應用領域會涉及於工業設備的各種光伏發電系統(PPS)和電源管理系統(PMS)。...
2020 年 08 月 20 日

電源設計追求高效/低損耗　閘極驅動器巧助SiC設計

對綠色能源生產和減少能源消耗的追求使高效電源電路變得更加重要。在這方面，許多現代電源和轉換器都在更高的電壓下運轉，進而允許使用更低的電流來大幅降低I2R損耗。碳化矽(SiC)MOSFET和二極體是這些新型大功率、高壓功率轉換電路的重要組成元素(圖1)。
2020 年 08 月 17 日

英飛凌推出車用馬達控制IC　實現高整合性

英飛凌科技股份有限公司(Infineon)推出全新馬達系統IC系列產品，專為控制有刷及無刷馬達所設計。本系列IC是全球第一款驅動MOSFET用的複合半橋驅動器，並具備整合式電源及通訊介面。 英飛凌車體動力部門副總裁暨總經理Andreas...
2020 年 07 月 27 日

拓展碳化矽應用　英飛凌發表62mm CoolSiC模組

英飛凌1200V CoolSiC MOSFET模組系列新添62mm工業標準模組封裝產品。62mm封裝之產品採用半橋拓撲設計及溝槽式晶片技術，此封裝為碳化矽打開了250kW以上，矽基IGBT技術在62mm封裝的功率密度極限，中等功率應用的大門。相較於一般的62mm...
2020 年 07 月 20 日
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