功率密度優勢顯著 GaN HEMT挺進大功率市場

GaN材料具有許多矽所沒有的優勢,且成本結構相當具競爭力。隨著技術日益成熟,安全性與可靠度的疑慮逐漸緩解,許多大功率應用也已經開始嘗試導入。
2020 年 07 月 02 日

寬能隙半導體普及在望 電源轉換損耗再創新低

電氣化趨勢使全球電力需求持續成長,利用寬能隙元件降低電源轉換損耗,將創造可觀的經濟效益與環保價值。
2020 年 07 月 02 日

聯網/供電一兼二顧 PoE設計降耗損迎高功率

聯網的設備依賴於兩個核心功能,即通訊回傳和電源。而物聯網(IoT)設備經常會出現三個核心問題:電源、通訊和安全性。目前Wi-Fi的無線技術已在市場上引起人們的關注多年,但仍為這三個問題困擾。無線電池供電的設備需要定期充電,加上Wi-Fi的頻段飽和,造成兩個常見的問題。較大的功率需求需要連接主電源,使得安裝點複雜並受到限制。
2020 年 06 月 22 日

英飛淩推分離式CoolSiC MOSFET模組化評估平台

雙脈衝測試是設計人員要瞭解功率裝置切換特性的標準程序。為方便測試1200 V CoolSiC MOSFET採用 TO247 3 針腳和 4 針腳封裝的驅動選項,英飛凌(infineon)推出模組化評估平台,其核心包含一個主板與可互換的驅動器卡板,驅動器選項包括米勒鉗制和雙極供電卡;其他版本將於近期內推出。該產品系列有助於推動碳化矽成為主流,縮短多種應用的上市時程。...
2020 年 06 月 05 日

隔離層偏置供電設計靈活並簡化 DC/DC電源四架構大整併

電子設計工程師使用的工具箱日新月異。要找到適合的工具,不僅需要了解手上的工作及現有工具,還要知道如何充分利用這些工具。
2020 年 05 月 11 日

帶通模式護駕降功耗  ECU實現零開關雜訊供電

為汽車電子系統供電時,不但須要具備高可靠性,因應相對不太穩定的電池電壓具有技術門檻。與車輛電池相連接的電子和機械系統因有差異性,可能導致標稱12V電源出現大幅電壓偏移。事實上,在一定時間段內,12V電源的變化範圍為-14V至+35V,且可能出現+150V至-220V的電壓峰值。其中有些湧浪和瞬變在日常使用中出現,其他則是因為故障或人為錯誤導致。無論起因為何,它們對汽車電子系統造成的損害難以診斷,修復成本也很高昂。
2020 年 05 月 04 日

東芝MOSFET採新製程提高電源效率

東芝(Toshiba)日前推出80V N溝道功率MOSFET為採用最新一代製程的「U-MOS X-H系列」。 產品適用於資料中心和通訊基地台中所用的工業設備的開關電源。 新產品為兩款封裝,一款為採用表面黏著SOP...
2020 年 04 月 30 日

MOSFET/封裝設計/切換頻率最佳化 服務型機器人驅動再進步

市場準備度、技術成熟度和交付價值等情況形成的完美風暴,促進機器人廣泛應用於工業和消費領域(圖1)。近年來,機器人的半導體技術發展突飛猛進。新型功率半導體可實現更高效、可靠和多向度的服務型機器人設計。
2020 年 04 月 12 日

特瑞仕推低導通電阻/高速開關通用P通道MOSFET產品陣容

特瑞仕半導體日前開發MOSFET的新產品—XP231P02013R(-30V耐壓)、XP232P05013R(-30V耐壓)。 此次發售的產品,是具有低導通電阻和高速開關特性的通用P通道MOSFET產品。該產品可用於各種機器應用,如繼電器電路和開關電路。內置了柵極保護二極管作為防靜電措施。...
2020 年 04 月 09 日

Power Integrations SiC MOSFET驅動器符合AEC-Q100汽車認證

Power Integrations日前宣布推出用於碳化矽(SiC)MOSFET的高效單通道閘極驅動器SIC118xKQ SCALE-iDriver,該產品現已通過AEC-Q100認證,可供汽車使用。這些裝置可設定為支援常用SiC...
2020 年 04 月 08 日

羅姆SiC功率元件獲UAES應用於OBC

羅姆(ROHM)的SiC功率元件(SiC MOSFET)獲得中國車界Tier1供應商聯合汽車電子有限公司(UAES)採用,將應用於電動車充電器(On Board Charger, OBC)。UAES公司預計將於2020年10月起向汽車製造商供應該款OBC。...
2020 年 04 月 01 日

東芝推驅動中高電流IGBT/MOSFT光耦合器

東芝(Toshiba)日前推出一款驅動中高電流絕緣柵雙極型電晶體(IGBT)和MOSFET的預驅動光耦—TLP5231,其適用於工業逆變器和光伏(PV)的功率調節系統。此預驅動光耦內置多種功能,其中包括通過監控集電極電壓實現過流檢測。產品即日起開始出貨。...
2020 年 03 月 27 日