東芝推工廠自動化/應用小封裝大電流光繼電器

東芝(Toshiba)推出TLP3106A、TLP3107A和TLP3109A光繼電器，此系列可提升導通電流的6引腳SOP小封裝大電流光繼電器，適用於工廠自動化和工業應用。它們可提供30至100V的斷態輸出端子電壓，以及3.0至4.5A的穩定導通電流。即日起開始出貨。...
2020 年 03 月 18 日

東芝100V N通道功率MOSFET助降低車用設備功耗

東芝(Toshiba)日前推出100V N通道功率金屬氧化物半導體場效應電晶體(MOSFET)—XK1R9F10QB，其適用於汽車的48V設備應用，例如負載開關、開關電源和馬達驅動。出貨即日啟動。...
2020 年 03 月 16 日

意法針對智慧工業應用推同步整流DC/DC轉換器

意法半導體(ST)日前推出L6983 38V/3A同步整流DC/DC轉換器，在任何負載時都能保持高效能，其最高效達到95%。晶片上整合同步整流MOSFET電晶體，可節省外部元件並簡化設計流程。 L6983轉換器的靜態電流較低，僅17µA，分為小電流(L6983C)和低雜訊(L6983N)兩種型號。當L6983C負載電流低於0.6A時進入跳脈衝模式，而L6983N則適用於雜訊敏感型應用，在所有負載下均保持脈寬調製(Pulse-Width...
2020 年 03 月 12 日

英飛凌CoolSiC MOSFET650 V系列為應用帶來可靠度與效能

英飛凌科技(Infineon)持續擴展其全方位的碳化矽 (SiC) 產品組合，新增 650 V 產品系列。英飛凌新發表的CoolSiC MOSFET能滿足廣泛應用對於能源效率、功率密度和耐用度不斷提升的需求，包括：伺服器、電信和工業...
2020 年 03 月 03 日

儒卓力推威世高功率密度N-Channel MOSFET

儒卓力(Rutronik)日前宣布供應威世的SiSS12DN 40V N-Channel MOSFET，其設計初衷是提高功率轉換拓撲中的功率密度和效率，它們採用3.3×3.3mm緊湊型PowerPAK...
2020 年 02 月 25 日

英飛凌推OptiMOS源極底置25V功率MOSFET

英飛凌(Infineon)持續專注於解決現今電源管理設計面臨的挑戰，透過元件層級的強化實現系統創新。源極底置(Source Down)是符合業界標準的全新封裝概念，英飛凌已推出首批基於該封裝概念的功率MOSFET—採用PQFN3.3×3.3mm封裝的OptiMOS...
2020 年 02 月 21 日

英飛凌高效多模強制頻率諧振數位控制IC亮相

英飛凌(Infineon)推出首款支援一次側零電壓切換(ZVS)的高效率返馳式控制器XDP數位電源XDPS21071，適用於USB-PD或QuickCharge等快速充電應用，亦可針對各種輸出應用發揮良好的輕載效率。...
2020 年 02 月 17 日

Littelfuse柵極驅動器評估平台加速碳化矽電源轉換器設計週期

電路保護、功率控制和感測技術製造商Littelfuse日前宣布推出柵極驅動器評估平台(GDEV)。新的評估平台可幫助設計師評估碳化矽MOSFET、碳化矽肖特基二極體和柵極驅動器電路等其他周邊元件，使其更易瞭解碳化矽技術在連續工作條件下如何在轉換器應用中發揮作用。...
2020 年 02 月 12 日

英飛凌新半橋式SOI驅動器整合靴帶式二極體

英飛凌(Infineon)擴展旗下EiceDRIVER產品系列，推出採用英飛凌SOI(Silicon On Insulator)技術的650V半橋式閘極驅動器。該產品可提供負瞬態電壓抗擾性、單片整合實體的靴帶式二極體，以及針對MOSFET和IGBT變頻應用提供絕佳的閂鎖效應防護。這些功能可實現穩定可靠的設計，並且降低BOM成本。高輸出電流系列2ED218x專為電磁爐、空調壓縮機、交換式電源供應器(SMPS)和不斷電系統(UPS)等高頻應用所設計。低輸出電流的2ED210x系列則是專為家電、電動工具、馬達控制及驅動器、風扇和幫浦設計。...
2020 年 01 月 24 日

東芝推車用100V N通道功率MOSFET

東芝(Toshiba)新推出兩款車用48V電氣系統應用的100V N通道功率MOSFET。該系列包括擁有低導通電阻「XPH4R10ANB」有利於降低設備功耗，其漏極電流為70A，以及「XPH6R30ANB」，其漏極電流為45A。產品量產和出貨已經開始。...
2020 年 01 月 21 日

意法宣布完成Norstel AB併購

意法半導體(ST)宣布完成對瑞典碳化矽(SiC)晶圓製造商Norstel AB(Norstel)的完整收購。在2019年2月宣布首次交易後，意法半導體行使期權，完成收購剩餘的45％股份。Norstel併購案總金額達1.375億美元，由現金支付。...
2019 年 12 月 20 日

採用直接驅動設計　GaN FET開關控制效率增

高壓(600V)氮化鎵(GaN)高電子移動率電晶體(HEMTs)的開關性能支持新的拓撲結構，能夠提升開關電源效率和密度。GaN的終端電容(Ciss/Coss/Crss)較低，且無第三象限反向恢復(Reverse...
2019 年 12 月 12 日
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