東芝MOSFET採新製程提高電源效率

東芝(Toshiba)日前推出80V N溝道功率MOSFET為採用最新一代製程的「U-MOS X-H系列」。 產品適用於資料中心和通訊基地台中所用的工業設備的開關電源。 新產品為兩款封裝,一款為採用表面黏著SOP...
2020 年 04 月 30 日

MOSFET/封裝設計/切換頻率最佳化 服務型機器人驅動再進步

市場準備度、技術成熟度和交付價值等情況形成的完美風暴,促進機器人廣泛應用於工業和消費領域(圖1)。近年來,機器人的半導體技術發展突飛猛進。新型功率半導體可實現更高效、可靠和多向度的服務型機器人設計。
2020 年 04 月 12 日

特瑞仕推低導通電阻/高速開關通用P通道MOSFET產品陣容

特瑞仕半導體日前開發MOSFET的新產品—XP231P02013R(-30V耐壓)、XP232P05013R(-30V耐壓)。 此次發售的產品,是具有低導通電阻和高速開關特性的通用P通道MOSFET產品。該產品可用於各種機器應用,如繼電器電路和開關電路。內置了柵極保護二極管作為防靜電措施。...
2020 年 04 月 09 日

Power Integrations SiC MOSFET驅動器符合AEC-Q100汽車認證

Power Integrations日前宣布推出用於碳化矽(SiC)MOSFET的高效單通道閘極驅動器SIC118xKQ SCALE-iDriver,該產品現已通過AEC-Q100認證,可供汽車使用。這些裝置可設定為支援常用SiC...
2020 年 04 月 08 日

羅姆SiC功率元件獲UAES應用於OBC

羅姆(ROHM)的SiC功率元件(SiC MOSFET)獲得中國車界Tier1供應商聯合汽車電子有限公司(UAES)採用,將應用於電動車充電器(On Board Charger, OBC)。UAES公司預計將於2020年10月起向汽車製造商供應該款OBC。...
2020 年 04 月 01 日

東芝推驅動中高電流IGBT/MOSFT光耦合器

東芝(Toshiba)日前推出一款驅動中高電流絕緣柵雙極型電晶體(IGBT)和MOSFET的預驅動光耦—TLP5231,其適用於工業逆變器和光伏(PV)的功率調節系統。此預驅動光耦內置多種功能,其中包括通過監控集電極電壓實現過流檢測。產品即日起開始出貨。...
2020 年 03 月 27 日

東芝推工廠自動化/應用小封裝大電流光繼電器

東芝(Toshiba)推出TLP3106A、TLP3107A和TLP3109A光繼電器,此系列可提升導通電流的6引腳SOP小封裝大電流光繼電器,適用於工廠自動化和工業應用。它們可提供30至100V的斷態輸出端子電壓,以及3.0至4.5A的穩定導通電流。即日起開始出貨。...
2020 年 03 月 18 日

東芝100V N通道功率MOSFET助降低車用設備功耗

東芝(Toshiba)日前推出100V N通道功率金屬氧化物半導體場效應電晶體(MOSFET)—XK1R9F10QB,其適用於汽車的48V設備應用,例如負載開關、開關電源和馬達驅動。出貨即日啟動。...
2020 年 03 月 16 日

意法針對智慧工業應用推同步整流DC/DC轉換器

意法半導體(ST)日前推出L6983 38V/3A同步整流DC/DC轉換器,在任何負載時都能保持高效能,其最高效達到95%。晶片上整合同步整流MOSFET電晶體,可節省外部元件並簡化設計流程。 L6983轉換器的靜態電流較低,僅17µA,分為小電流(L6983C)和低雜訊(L6983N)兩種型號。當L6983C負載電流低於0.6A時進入跳脈衝模式,而L6983N則適用於雜訊敏感型應用,在所有負載下均保持脈寬調製(Pulse-Width...
2020 年 03 月 12 日

英飛凌CoolSiC MOSFET650 V系列為應用帶來可靠度與效能

英飛凌科技(Infineon)持續擴展其全方位的碳化矽 (SiC) 產品組合,新增 650 V 產品系列。英飛凌新發表的CoolSiC MOSFET能滿足廣泛應用對於能源效率、功率密度和耐用度不斷提升的需求,包括:伺服器、電信和工業...
2020 年 03 月 03 日

儒卓力推威世高功率密度N-Channel MOSFET

儒卓力(Rutronik)日前宣布供應威世的SiSS12DN 40V N-Channel MOSFET,其設計初衷是提高功率轉換拓撲中的功率密度和效率,它們採用3.3×3.3mm緊湊型PowerPAK...
2020 年 02 月 25 日

英飛凌推OptiMOS源極底置25V功率MOSFET

英飛凌(Infineon)持續專注於解決現今電源管理設計面臨的挑戰,透過元件層級的強化實現系統創新。源極底置(Source Down)是符合業界標準的全新封裝概念,英飛凌已推出首批基於該封裝概念的功率MOSFET—採用PQFN3.3×3.3mm封裝的OptiMOS...
2020 年 02 月 21 日